专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果376851个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]晶圆湿法方法-CN202111370342.9在审
  • 孙运龙;陈裕;谭秀文 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-11-18 - 2022-03-01 - H01L21/306
  • 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法方法。所述晶圆湿法方法包括依次进行的以下步骤:获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系;获取当前目标晶圆,确定对所述当前目标晶圆进行湿法工艺时,所述刻蚀药液的当前累计使用时长;基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长,和所述对应关系,确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度;基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀量,计算出对所述当前目标晶圆进行湿法工艺的当前刻蚀时长;使用所述刻蚀药液,以所述当前刻蚀时长,对所述当前目标晶圆进行湿法工艺。
  • 湿法方法
  • [实用新型]晶圆装置-CN202222790692.7有效
  • 向雪燕 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2022-10-21 - 2023-03-28 - B24B7/22
  • 本申请涉及一种晶圆装置,晶圆装置用于对晶圆进行。晶圆装置包括承载上料机构以及机构,其中,晶圆放置于承载上料机构上,承载上料机构与机构相对设置,机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与刻蚀液容器选择性连通的喷射组件,喷射组件与承载上料机构上放置的晶圆对准,刻蚀液容器与喷射组件相连通,使得第一溶液通过喷射组件喷射至晶圆表面。在本申请的晶圆装置中,第一溶液对晶圆进行刻蚀晶圆的整体厚度,机械结构稳定性好,避免出现晶格损伤、划痕、崩边甚至破片,有效提升晶圆的良率。
  • 晶圆减薄装置
  • [发明专利]OLED面板装置、系统及方法-CN201310439051.X有效
  • 向欣;任海;黄俊;敬启毓;唐元刚;何江 - 四川虹视显示技术有限公司
  • 2013-09-24 - 2013-12-18 - H01L27/32
  • 本发明公开了一种OLED面板装置、系统及方法,本发明的OLED面板装置主要包括旋转机架、流体导管及旋转机架腔,旋转机架固定安装于旋转机架腔内,流体导管的端口位于旋转机架中心位置的正上方,其原理是通过旋转机架旋转产生的离心力使刻蚀液由OLED面板的中心向外均匀扩散,进而实现OLED面板的刻蚀;本发明还公开了基于该OLED面板装置的OLED面板方法,该减装置及方法克服了浸泡式刻蚀液因污染造成品质降低的不足,同时克服了喷淋式中易形成凹点、刻蚀厚度不均等问题。
  • oled面板装置系统方法
  • [发明专利]玻璃设备及玻璃方法-CN201410066425.2有效
  • 张迅;阳威;欧阳小园;易伟华 - 江西沃格光电股份有限公司
  • 2014-02-26 - 2017-01-11 - C03C15/00
  • 本发明涉及一种玻璃设备和玻璃方法。玻璃设备包括箱体和设置于箱体中的喷淋装置,箱体中设有依次排列的第一淋洗槽、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽、第三刻蚀槽、第二淋洗槽、第三淋洗槽、第四淋洗槽和干燥槽,喷淋装置包括分别位于第一淋洗槽、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽、第三刻蚀槽、第二淋洗槽、第三淋洗槽和第四淋洗槽的槽底上方的第一喷淋管、第二喷淋管、第三喷淋管、第四喷淋管、第五喷淋管、第六喷淋管和第七喷淋管。使用上述玻璃设备进行在不同的槽中进行喷淋洗涤和刻蚀方法能够避免浸泡式法中的反应产物粘附于玻璃上的问题,并且依次经过第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和第三刻蚀槽的三次刻蚀,避免浸泡式刻蚀不均匀的问题。
  • 玻璃设备方法
  • [发明专利]晶体管的形成方法-CN201410135925.7有效
  • 曾以志 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-04-04 - 2018-02-16 - H01L21/336
  • 本发明提供一种晶体管的形成方法,在晶体管的后栅工艺中,在源漏区上方的刻蚀阻挡层表面形成保护层,对刻蚀阻挡层进行刻蚀栅极结构上的刻蚀阻挡层,栅极结构上的刻蚀阻挡层以后,栅极结构之间的间距增大,使得在栅极结构之间能够更容易地填充层间介质层在栅极结构上的刻蚀阻挡层的过程中,保护层起到保护源漏区上方的刻蚀阻挡层免受刻蚀影响的作用,使得在栅极结构上的刻蚀阻挡层之后,源漏区上方的刻蚀阻挡层的厚度基本不发生变化,能够为源漏区提供有效的保护
  • 晶体管形成方法
  • [发明专利]一种降低硅空洞缺陷率的硅层方法-CN201711388150.4有效
  • 王永波 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2017-12-20 - 2020-08-21 - H01L21/306
  • 本发明提供一种降低硅空洞缺陷率的硅层方法,属于半导体领域,包括:激活操作,于刻蚀腔室内添加一P+类型的第一控片;第一次调节操作,于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第二控片;第一次跑货操作,于刻蚀腔室内依次添加多个未经处理的复合结构,利用HHC依次进行刻蚀处理;第二次调节操作,于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第三控片;第二次跑货操作,于刻蚀腔室内依次添加多个未经处理的复合结构,利用HHC依次进行刻蚀处理,随后依次取出。本发明的有益效果:通过添加第二控片,优化HHC刻蚀速率,工艺精度更易控制,保证刻蚀厚度达到目标值的同时,降低硅空洞缺陷率,从而提高提高成品良率。
  • 一种降低空洞缺陷硅层减薄方法
  • [发明专利]一种用于液晶显示屏的处理液回收处理方法-CN202010355091.6在审
  • 肖亮灿 - 滁州东盛电子科技有限公司
  • 2020-04-29 - 2020-08-11 - C01B33/10
  • 本发明公开一种用于液晶显示屏的处理液回收处理方法,包括以下步骤:废液收集、初步过滤、沉淀反应、萃取反应、回收和处理;本发明通过过滤箱中的过滤网分别对玻璃基板刻蚀废液和铟锡氧化物刻蚀废液进行初步过滤,通过碱金属盐沉淀剂对玻璃基板刻蚀废液进行化学沉淀,从而得到氟硅酸和用于蚀刻的纯净酸性液体,通过萃取剂和反萃剂对铟锡氧化物刻蚀废液进行铟金属萃取,从而实现玻璃基板刻蚀废液和铟锡氧化物刻蚀废液的分类回收利用,工艺流程简单快速,处理成本较低,且处理过程中无废物排放,消除了环境污染,为液晶显示屏用处理液回收处理开辟了新的途径,经济和社会效益显著,具有很好的应用前景。
  • 一种用于液晶显示屏处理回收方法
  • [发明专利]外延结构的方法-CN201810933827.6有效
  • 范谦;倪贤锋;何伟 - 苏州汉骅半导体有限公司
  • 2018-08-16 - 2020-09-08 - H01L21/306
  • 本发明涉及一种外延结构的方法,包括:提供一待的外延结构,所示外延结构包括第一外延层、第二外延层和位于所述第一外延层与第二外延层之间的刻蚀阻挡层;以第一刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀,直至第二外延层达到预定厚度;以第二刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀,去除剩余的第二外延层;对所述刻蚀阻挡层进行研磨,去除所述刻蚀阻挡层,暴露出第一外延层。本发明所提出的外延结构的方法,在外延结构中插入刻蚀阻挡层,分段对刻蚀阻挡层和外延层进行,使剩余的外延层厚度具有较好的均匀性。
  • 外延结构方法
  • [发明专利]一种低能光激励的材料无损方法-CN202011420585.4有效
  • 黎松林;邱利鹏;徐宁 - 南京大学
  • 2020-12-08 - 2022-07-12 - C01G41/00
  • 本发明涉及一种低能光激励的材料无损方法,包括以下步骤:将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上;对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度;控制合适的刻蚀条件;在待材料上施加刻蚀激励本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力;后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性;精度达到原子级控制水平;本发明实现了原位定向刻蚀能力,与微电子工艺兼容;采用低功率刻蚀激励,提高工艺可控性
  • 一种低能激励材料无损方法
  • [发明专利]闪存浮栅的制作方法-CN202310635721.9在审
  • 高毅;马开阳;左睿昊;周婧涵 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-07-14 - H10B41/30
  • 本发明提供一种闪存浮栅的制作方法,包括:提供一具有存储区和外围区的衬底,衬底中形成有浅沟槽隔离和有源区;形成浮栅层;采用化学机械研磨工艺浮栅层;刻蚀后的浮栅层形成浮栅,存储区刻蚀剩余的浮栅层作为浮栅本发明形成浮栅层后,先采CMP工艺部分厚度的浮栅层,然后通过刻蚀定义浮栅厚度。本发明CMP工艺需要的厚度降低且研磨对象为材质相同的浮栅层,因此受负载效应影响较小,较好控制后的浮栅层的厚度均匀性,刻蚀后的浮栅层通过刻蚀终点控制,有效提高浮栅厚度均匀性,可以消除由于台阶差导致的浮栅多晶硅颗粒
  • 闪存制作方法
  • [发明专利]晶圆方法-CN201210333127.6有效
  • 邢家明;洪齐元 - 豪威科技(上海)有限公司
  • 2012-09-10 - 2012-12-19 - B24B37/04
  • 本发明提供了一种晶圆方法,所述晶圆方法包括:提供晶圆,并在所述晶圆中形成阻挡层;利用磨削工艺晶圆;利用化学机械研磨工艺晶圆至所述阻挡层。利用阻挡层标示出晶圆需要到的位置,由此,利用化学机械研磨工艺便能实现对晶圆的精度要求,避免了对于湿法刻蚀工艺的使用,由此也就避免了湿法刻蚀工艺所带来的一些缺陷,提高了晶圆工艺的可靠性。
  • 晶圆减薄方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top