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[发明专利]一种半导体结构及其制作、减薄方法-CN202011409672.X在审
发明人：胡川;卢瀚仑;陈志涛;王垚 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作、减薄方法，涉及半导体材料加工技术领域。该半导体结构包括衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层，衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层逐层连接；且衬底与目标刻蚀液的刻蚀速率大于或等于减薄功能层与目标刻蚀液的刻蚀速率的2倍。本申请提供的半导体结构及其制作、减薄方法具有减薄效率快且质量更好的效果。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]晶圆湿法减薄方法-CN202111370342.9在审
发明人：孙运龙;陈裕;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。
湿法方法

[实用新型]晶圆减薄装置-CN202222790692.7有效
发明人：向雪燕 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆减薄装置，晶圆减薄装置用于对晶圆进行减薄。晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，晶圆放置于承载上料机构上，承载上料机构与减薄机构相对设置，减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，喷射组件与承载上料机构上放置的晶圆对准，刻蚀液容器与喷射组件相连通，使得第一溶液通过喷射组件喷射至晶圆表面。在本申请的晶圆减薄装置中，第一溶液对晶圆进行刻蚀减薄，减薄晶圆的整体厚度，机械结构稳定性好，避免出现晶格损伤、划痕、崩边甚至破片，有效提升晶圆减薄的良率。
晶圆减薄装置

[发明专利]OLED面板减薄装置、减薄系统及减薄方法-CN201310439051.X有效
发明人：向欣;任海;黄俊;敬启毓;唐元刚;何江 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED面板减薄装置、减薄系统及减薄方法，本发明的OLED面板减薄装置主要包括旋转机架、流体导管及旋转机架腔，旋转机架固定安装于旋转机架腔内，流体导管的端口位于旋转机架中心位置的正上方，其原理是通过旋转机架旋转产生的离心力使刻蚀液由OLED面板的中心向外均匀扩散，进而实现OLED面板的刻蚀和减薄；本发明还公开了基于该OLED面板减薄装置的OLED面板减薄方法，该减薄装置及方法克服了浸泡式减薄中刻蚀液因污染造成减薄品质降低的不足，同时克服了喷淋式减薄中易形成凹点、刻蚀厚度不均等问题。
oled 面板装置系统方法

[发明专利]一种无碱硼铝硅酸盐玻璃的化学减薄方法-CN201711456587.7在审
发明人：彭寿;马立云;赵凤阳;曹欣;单传丽;石丽芬;倪嘉;崔介东;操芳芳;王萍萍;高强;王巍巍;韩娜;仲召进 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种无碱硼铝硅酸盐玻璃的化学减薄方法，包括以下步骤：步骤一、配制减薄刻蚀液；步骤二、对无碱硼硅酸盐玻璃进行外观检查；步骤三、对无碱硼硅酸盐玻璃的周边进行密封处理；步骤四、对无碱硼硅酸盐玻璃进行清洗；步骤五、把无碱硼硅酸盐玻璃放入上述配制好的刻蚀液槽内进行刻蚀；步骤六、对刻蚀后的无碱硼硅酸盐玻璃行清洗、烘干和测量。本发明的优点：本发明提高了无碱硼铝硅酸盐玻璃的刻蚀质量，刻蚀质量好，能够将厚度为0.8mm的玻璃减薄至0.4mm，甚至0.4mm以下，减薄时间短，减薄产量高，玻璃表面刻蚀效果好，适用于工厂大规模生产，减薄用刻蚀液易于制备
硼硅酸盐玻璃减薄无碱刻蚀刻蚀液无碱硼铝硅酸盐玻璃化学减薄配制清洗硼铝硅酸盐玻璃玻璃表面刻蚀效果密封处理外观检查烘干放入制备测量玻璃

[发明专利]玻璃减薄设备及玻璃减薄方法-CN201410066425.2有效
发明人：张迅;阳威;欧阳小园;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃减薄设备和玻璃减薄方法。玻璃减薄设备包括箱体和设置于箱体中的喷淋装置，箱体中设有依次排列的第一淋洗槽、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽、第三刻蚀槽、第二淋洗槽、第三淋洗槽、第四淋洗槽和干燥槽，喷淋装置包括分别位于第一淋洗槽、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽、第三刻蚀槽、第二淋洗槽、第三淋洗槽和第四淋洗槽的槽底上方的第一喷淋管、第二喷淋管、第三喷淋管、第四喷淋管、第五喷淋管、第六喷淋管和第七喷淋管。使用上述玻璃减薄设备进行在不同的槽中进行喷淋洗涤和刻蚀的减薄方法能够避免浸泡式减薄法中的反应产物粘附于玻璃上的问题，并且依次经过第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和第三刻蚀槽的三次刻蚀，避免浸泡式刻蚀不均匀的问题。
玻璃设备方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410135925.7有效
发明人：曾以志 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的形成方法，在晶体管的后栅工艺中，在源漏区上方的刻蚀阻挡层表面形成保护层，对刻蚀阻挡层进行刻蚀，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层以后，栅极结构之间的间距增大，使得在栅极结构之间能够更容易地填充层间介质层在减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层的过程中，保护层起到保护源漏区上方的刻蚀阻挡层免受刻蚀影响的作用，使得在减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层之后，源漏区上方的刻蚀阻挡层的厚度基本不发生变化，能够为源漏区提供有效的保护
晶体管形成方法

[发明专利]一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法-CN201711388150.4有效
发明人：王永波 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法，属于半导体领域，包括：激活操作，于刻蚀腔室内添加一P+类型的第一控片；第一次调节操作，于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第二控片；第一次跑货操作，于刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的复合结构，利用HHC依次进行刻蚀减薄处理；第二次调节操作，于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第三控片；第二次跑货操作，于刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的复合结构，利用HHC依次进行刻蚀减薄处理，随后依次取出。本发明的有益效果：通过添加第二控片，优化HHC刻蚀速率，工艺精度更易控制，保证刻蚀厚度达到目标值的同时，降低硅空洞缺陷率，从而提高提高成品良率。
一种降低空洞缺陷硅层减薄方法

[发明专利]一种用于液晶显示屏减薄的处理液回收处理方法-CN202010355091.6在审
发明人：肖亮灿 -专利权人：滁州东盛电子科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C01B33/10 文献下载
摘要：本发明公开一种用于液晶显示屏减薄的处理液回收处理方法，包括以下步骤：废液收集、初步过滤、沉淀反应、萃取反应、回收和处理；本发明通过过滤箱中的过滤网分别对玻璃基板减薄刻蚀废液和铟锡氧化物刻蚀废液进行初步过滤，通过碱金属盐沉淀剂对玻璃基板减薄刻蚀废液进行化学沉淀，从而得到氟硅酸和用于减薄蚀刻的纯净酸性液体，通过萃取剂和反萃剂对铟锡氧化物刻蚀废液进行铟金属萃取，从而实现玻璃基板减薄刻蚀废液和铟锡氧化物刻蚀废液的分类回收利用，工艺流程简单快速，处理成本较低，且处理过程中无废物排放，消除了环境污染，为液晶显示屏减薄用处理液回收处理开辟了新的途径，经济和社会效益显著，具有很好的应用前景。
一种用于液晶显示屏处理回收方法

[发明专利]外延结构的减薄方法-CN201810933827.6有效
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构的减薄方法，包括：提供一待减薄的外延结构，所示外延结构包括第一外延层、第二外延层和位于所述第一外延层与第二外延层之间的刻蚀阻挡层；以第一刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀，直至第二外延层达到预定厚度；以第二刻蚀速率对所述第二外延层进行刻蚀，去除剩余的第二外延层；对所述刻蚀阻挡层进行研磨，去除所述刻蚀阻挡层，暴露出第一外延层。本发明所提出的外延结构的减薄方法，在外延结构中插入刻蚀阻挡层，分段对刻蚀阻挡层和外延层进行减薄，使剩余的外延层厚度具有较好的均匀性。
外延结构方法

[发明专利]一种低能光激励的材料无损减薄方法-CN202011420585.4有效
发明人：黎松林;邱利鹏;徐宁 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低能光激励的材料无损减薄方法，包括以下步骤：将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上；对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度；控制合适的刻蚀条件；在待减薄材料上施加刻蚀激励本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力；减薄后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性；减薄精度达到原子级控制水平；本发明实现了原位定向刻蚀能力，与微电子工艺兼容；采用低功率刻蚀激励，提高工艺可控性
一种低能激励材料无损方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的减薄方法-CN201310700216.4有效
发明人：陈建奇;潘晶;王琪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的减薄方法。该减薄方法包括：步骤S1，在半导体基底上制作隧穿氧化层、浅沟槽隔离结构和浮栅，半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；步骤S2，刻蚀减薄存储单元区和外围电路区的浅沟槽隔离结构，在被刻蚀的浅沟槽隔离结构所在位置形成开口；步骤S3，在存储单元区和外围电路区的浮栅、浅沟槽隔离结构的表面形成ONO层；步骤S4，刻蚀去除外围电路区的ONO层和浮栅；以及步骤S5，刻蚀减薄外围电路区的浅沟槽隔离结构。同时对存储单元区和外围电路区的浅沟槽隔离结构进行刻蚀减薄，简化了减薄的流程；后续刻蚀在ONO层的保护下，有效避免了浅沟槽隔离结构顶部两侧边沟的出现。
浅沟槽隔离结构外围电路区存储单元区减薄刻蚀减薄浮栅刻蚀半导体基底隧穿氧化层表面形成边沟去除开口申请制作

[发明专利]闪存浮栅的制作方法-CN202310635721.9在审
发明人：高毅;马开阳;左睿昊;周婧涵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存浮栅的制作方法，包括：提供一具有存储区和外围区的衬底，衬底中形成有浅沟槽隔离和有源区；形成浮栅层；采用化学机械研磨工艺减薄浮栅层；刻蚀减薄后的浮栅层形成浮栅，存储区刻蚀剩余的浮栅层作为浮栅本发明形成浮栅层后，先采CMP工艺减薄部分厚度的浮栅层，然后通过刻蚀定义浮栅厚度。本发明CMP工艺需要减薄的厚度降低且研磨对象为材质相同的浮栅层，因此受负载效应影响较小，较好控制减薄后的浮栅层的厚度均匀性，刻蚀减薄后的浮栅层通过刻蚀终点控制，有效提高浮栅厚度均匀性，可以消除由于台阶差导致的浮栅多晶硅颗粒
闪存制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201711010772.3有效
发明人：付俊;施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供待减薄晶圆和临时键合载体，并将待减薄晶圆的正面和临时键合载体临时键合；在待减薄晶圆的背面形成防粘层；在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构，所述凹槽贯穿部分厚度的待减薄晶圆；对所述凹槽的表面进行化学刻蚀，以降低形成所述凹槽时所造成的减薄缺陷和减薄应力问题；将待减薄晶圆和临时键合载体进行解键合。采用本发明的方法，在形成凸起的环状结构之前，形成了防粘层，可有效阻挡化学刻蚀工艺所用的刻蚀液与环状结构表面的物质接触，从而避免刻蚀液造成的环状结构表面的粗糙度的增大，减小在解键合过程中发生破片的风险。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201210333127.6有效
发明人：邢家明;洪齐元 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄方法，所述晶圆减薄方法包括：提供晶圆，并在所述晶圆中形成阻挡层；利用磨削工艺减薄晶圆；利用化学机械研磨工艺减薄晶圆至所述阻挡层。利用阻挡层标示出晶圆需要减薄到的位置，由此，利用化学机械研磨工艺便能实现对晶圆的减薄精度要求，避免了对于湿法刻蚀工艺的使用，由此也就避免了湿法刻蚀工艺所带来的一些缺陷，提高了晶圆减薄工艺的可靠性。
晶圆减薄方法

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