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- [发明专利]在磷化铟衬底上制备T型栅的方法-CN201010577818.1无效
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黄杰;郭天义;张海英;杨浩
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中国科学院微电子研究所
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2010-12-07
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2012-07-11
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H01L21/28
- 公开了在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括：A、清洗磷化铟衬底外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷（HMDS）蒸发在清洗后的外延片上；B、在上述外延片上匀第一层电子束胶PMGI，前烘；C、在上述第一层电子束胶PMGI上匀第二层电子束胶ZEP520A，前烘；D、在上述第二层电子束胶ZEP520A上匀第三层电子束胶PMGI，前烘；E、在上述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶PMMA，然后前烘；F、将上述匀有四层束胶层的外延片进行电子束曝光；G、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；H、对显影后的外延片进行腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。
- 磷化衬底制备方法
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