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[发明专利]一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法-CN202210674030.5有效
发明人：陈意桥;钱磊;孙维国;周千学;傅祥良 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于化合物半导体晶片抛光技术领域，具体涉及一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法。本发明较好地解决了InAs衬底这种较软的化合物衬底抛光时易产生的划痕、颗粒污染及在外延生长时表面难脱氧等问题，采用该方法处理的InAs衬底可稳定生长出高质量的超晶格红外探测器外延片。
一种用于分子外延 inas 衬底表面处理方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010186664.7在审
发明人：陈正龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括：在衬底的外延层上方形成硬掩模；在硬掩模上方形成经图案化的掩模；蚀刻硬掩模和外延层以在外延层中形成沟槽，其中，硬掩模的剩余部分覆盖外延层的最上表面，并且沟槽暴露外延层的侧壁；通过沿着与外延层的最上表面的法线不平行的倾斜方向将p型离子束引导到沟槽中来形成P阱区域，其中，在将p型离子束引导到沟槽中期间，通过硬掩模的剩余部分保护外延层的最上表面免受p型离子束的影响；以及在将p型离子束引导到沟槽之后，在沟槽中形成栅极结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法-CN200510084937.2无效
发明人：陈诺夫;白一鸣;梁平;王晓晖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极；底电池以锑化镓单晶片为衬底；在底电池的外延片上面制作正电极，在衬底的下面制作背电极；顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池，然后进行封装
砷化镓锑化镓迭层聚光太阳电池制作方法

[发明专利]在磷化铟衬底上制备T型栅的方法-CN201010578372.4有效
发明人：黄杰;郭天义;张海英;杨浩 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：公开了一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光；F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽
磷化衬底制备方法

[发明专利]一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法-CN201611136266.4在审
发明人：刘铭;周朋;邢伟荣;尚林涛;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法，本发明通过利用所设计的nBin或pB’ip结构，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出InSb高温工作材料，本身工艺的操作性强，而且可以借鉴成熟
一种 insb 高温工作红外探测器材料及其制备方法

[外观设计]高真空加热台-CN202130854373.6有效
发明人：苏君金;胡建伟;许智 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：2.本外观设计产品的用途：用于加热超高真空扫描隧道显微镜中的样品，也可应用于分子束外延设备中衬底的加热。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
真空加热

[发明专利]形成具有可控和新型微观结构的α和β钽薄膜的方法-CN200580016063.5无效
发明人： J·纳拉彦;P·库马;吴荣祯 -专利权人： H.C.施塔克公司;北卡罗莱纳州立大学
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明还提供了使用脉冲激光淀积(PLD)和分子束外延(MBE)淀积法形成所述薄膜的方法以及掺入这些薄膜的微电子器件。
形成具有可控新型微观结构薄膜方法

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法-CN202211399743.1在审
发明人：黄星星;祝经明;吴进;毕诗博;侯少毅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B21F45/00 文献下载
摘要：本申请涉及加热工装技术领域，具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括：固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环；第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上，第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口，开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面，开口的大小与定位凹槽相适配；降低加热丝产生塑性变形的几率，有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀
一种分子外延加热缠绕工装方法

[发明专利]GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法-CN201210496057.6有效
发明人：代盼;陆书龙;何巍;季莲;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层本发明基于p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构对p型掺杂源Be的扩散的抑制，利用分子束外延生长方法，将常用的AlGaInP做势垒和背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构优化为p+-AlInP
gaas gainp 太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种BaSi2-CN201910872831.0有效
发明人：杜伟杰;杜锐;沈岑;张毅闻;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明一种BaSi2薄膜的外延生长方法，具体指一种利用磁控共溅射技术在单晶Si衬底上外延生长BaSi2薄膜的方法，涉及一种BaSi2薄膜的外延生长方法，所述单晶硅衬底晶向为111或100，电阻率0.01～10000Ω.cm。还包括如下步骤：I.单晶硅衬底清洗；II.单晶硅衬底退火；III.BaSi2种子层生长；IV.Ba、Si共溅射生长得到BaSi2外延薄膜综上所述，本发明一种BaSi2薄膜的外延生长方法，与现有技术相比，具有可以实现薄膜的化学计量比的精确控制，提高薄膜的质量，有较好的外延特性及比分子束外延技术有生长速率快
一种 basi base sub

[发明专利]低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法-CN201210333010.8无效
发明人：汤晓燕;多亚军;张玉明;吕红亮;宋庆文 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：其制作过程是：对N-SiC外延材料进行标准清洗处理；利用分子束外延的方法在清洗后的N-SiC外延材料上淀积一层1~10nm厚的AlN；在经过外延AlN处理后的N-SiC外延材料上干氧氧化一层10~100nm厚的SiO2；将氧化后的N-SiC外延材料依次完成在Ar气环境中退火和冷处理；在冷处理后的N-SiC外延材料上通过真空溅射Al制作电极，并在Ar气环境中进行第二次退火，完成整个SiC MOS电容的制作。
偏移电压 sic mos 电容制备方法

[发明专利]定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料-CN202110408385.5在审
发明人：赵越;李传波;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开提出一种定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料。该方法包括：S1，在硅衬底上进行刻蚀，形成硅刻蚀窗口；其中，硅衬底的晶向为(100)；S2，对硅刻蚀窗口进行硅的各向异性湿法腐蚀，以形成硅凹槽；S3，对刻蚀后的硅衬底进行清洗和高温脱氧处理；S4，利用分子束外延法在硅凹槽内沉积本公开提供一种大晶格失配材料体系外延方法，缩短了传统缓冲层外延的生长周期，有望开发大规模的器件制备和应用。
定向外延方法硅基锗锡合金材料

[发明专利]一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法-CN201810992194.6有效
发明人：芦红;苗艺;魏炼;叶佳佳;宋欢欢;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。
一种衬底直接外延生长虚拟方法

[发明专利]单束激光的VCSEL芯片及其制备方法-CN201810676260.9在审
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种单束激光的VCSEL芯片及其制备方法。该芯片包括GaAs衬底、外延层、SiNx层、光栅层、三角形镜面、环氧树脂层以及电极；外延层生长于GaAs衬底的表面，外延层被蚀刻有凹槽以及多个相互独立的外延单元，多个外延单元沿凹槽的中心线均匀分布；SiNx层沉积于多个外延单元的表面，光栅层被制作于SiNx层的表面，三角形镜面位于凹槽内，环氧树脂层填充于三角形镜面的周围，电极连接至SiNx层的表面。其能够使得从多个外延单元发出的光可以汇聚成一束激光，从而导致单束激光的VCSEL芯片的出光功率高。该制备方法简单，获得的芯片发光可以汇聚成一束激光，出光功率高。
外延单元单束激光外延层制备环氧树脂层镜面出光功率光栅层衬底激光芯片蚀刻汇聚电极连接电极沉积填充发光生长制作