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[发明专利]一种具有促血管再生性能的胶原基细胞支架及其制备方法-CN201910460122.1有效
发明人：葛黎明;解晓芬;林先玉;李德富;穆畅道 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： A61L27/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有促血管再生性能的胶原基细胞支架及其制备方法。3‑二甲氨基丙基)‑3‑乙基碳二亚胺盐酸盐和N‑羟基琥珀酰亚胺的催化作用下，实现氧化淀粉羧基与胶原氨基之间的酰胺化反应，通过调控氧化淀粉的羧基含量制备得到微观孔道结构均一可控、机械性能良好且具有促血管再生性能的胶原基细胞支架本发明制备的胶原基细胞支架微环境能够促进脂肪干细胞在支架中由黏附生长逐渐转变为聚集生长，进而诱导脂肪干细胞调控内皮血管生长因子和纤维生长因子的高表达，促使创面血管再生，加速创面的愈合。
一种具有血管再生性能胶原细胞支架及其制备方法

[发明专利]基于巯基生物分子调控贵金属纳米颗粒形态的方法及应用-CN201910805664.8有效
发明人：于永亮;何梦崎;王建华 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明的基于巯基生物分子调控贵金属纳米颗粒形态的方法及应用，具体对贵金属纳米颗粒选择性修饰巯基生物分子，同时加入还原剂、贵金属溶液，反应后加入贵金属生长液，在巯基修饰的贵金属纳米颗粒表面再生长贵金属层，该调控方法简单，条件温和快速；且制得再生长贵金属纳米颗粒分散性好可用于检测与癌症相关生物分子等。在巯基修饰时，针对性选取序列上具有与贵金属纳米颗粒结合位点以及酶切位点的巯基生物分子，利用再生长贵金属纳米颗粒溶液颜色的变化、纵向表面等离子体共振峰的红移，作为检测酶活性的表达信号，大大提高了检测灵敏度
基于巯基生物分子调控贵金属纳米颗粒形态方法应用

[发明专利]一种建立康地6号油葵再生体系的方法-CN201110236887.0无效
发明人：王沛政;林霞;夏春兰;王志安;李新鹏 -专利权人：新疆康地种业科技股份有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种向日葵康地6号再生体系方法。通过将康地6号自交系子叶接种到附加不同激素组合的诱导培养基上诱导胚性愈伤，将诱导的胚性愈伤转接到分化培养基上高频分化不定芽，待不定芽生长到一定程度再将其转入到生长培养基上中进一步生长，最后再生植株进行嫁接移植；诱导培养基配方采用MS培养基、IAA1.2mg/L和6-BA 4.5mg/L；分化培养基配方采用MS培养基+IAA 0.01mg/L和6-BA 0.04mg/L；生长培养基配方采用2/5MS培养基。该发明对向日葵康地6号自交系具有再生频率极高、操作简单、周期较短等特性，具有重要应用价值。
一种建立号油葵再生体系方法

[发明专利]用于再生牙齿的组合物-CN201010238975.X无效
发明人：洪满荣 -专利权人：郭山辉;洪满荣
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： A61L27/24 文献下载
摘要：一种与脂肪干细胞并用以再生牙齿的组合物，其包含生长激素及人工及/或天然的聚合物；将该组合物连同脂肪干细胞植入齿槽中，可使牙齿再生。
用于再生牙齿组合

[发明专利]一种间充质干细胞来源的细胞生长因子制剂及其制备方法与应用-CN202010682461.7在审
发明人：程锦雁;贾婷婷;郭鸽;聂霄;张鹏 -专利权人：沃森克里克（北京）生物科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： A61K35/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种间充质干细胞来源的细胞生长因子制剂及其制备方法与应用，其特征在于，所述制剂由胎盘组织和脐带组织中的间充质干细胞中分离提取得到，包括高活性多肽分子、复合细胞生长因子、细胞活化因子以及外泌体本发明中间充质干细胞来源的细胞生长因子制剂的原材料由胎盘和脐带中的间充质干细胞分离提取得到，无动物来源的成分，不含有害化学成分、基因重组的生长因子、生长激素和重金属等；该制剂用于组织再生皮肤可以促进皮肤功能性皮肤再生
一种间充质干细胞来源细胞生长因子制剂及其制备方法应用

[发明专利]一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法-CN201410069486.4有效
发明人：何苗;陈虞龙;王禄;石震武;孙庆灵;高优 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种II型GaSb/In_0.53Ga_0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In_0.53Ga_0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In_0.53Ga_0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5MLGaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5MLGaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S-K模式生长获得GaSb/In_0.53
一种 inp 衬底外延生长 ii gasb ingaas 量子方法

[发明专利]一种辣椒再生栽培方法-CN202210959638.2在审
发明人：邹克秋;易建平;程江 -专利权人：湖南新创四季生态农业发展有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： A01G22/05 文献下载
摘要：本发明涉及辣椒再生栽培技术领域，且公开了一种辣椒再生栽培方法，包括以下步骤：1)对良种辣椒新品种进行选种、大棚育苗、大棚移栽、保花保椒；2)8月上旬大棚辣椒再生回缩修剪期，①将大棚内正常生长的辣椒兜回缩修剪该辣椒再生栽培方法，通过采用上述步骤栽培的辣椒，能够有效提高辣椒整体的再生能力，能够有效提高辣椒整体的抗病虫害能力，能够有效避免辣椒出现落花、落果、落叶、植株早衰和辣椒畸形果等现象，达到了再生长效果好的优点
一种辣椒再生栽培方法

[发明专利]用生长调节因子(GRF)、GRF相互作用因子(GIF)或嵌合GRF-GIF改进植物再生的方法-CN202080062752.4在审
发明人： J·杜卜科夫斯基;J·M·德贝纳尔迪;D·特里科利;J·帕拉特尼克 -专利权人：加利福尼亚大学董事会;国家科学技术研究委员会
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C07K14/415 文献下载
摘要：公开了具有改进的再生效率的产生植物的方法，所述方法使用生长调节因子(GRF)、GRF相互作用因子(GIF)或嵌合GRF‑GIF基因和蛋白。本公开还以改进的再生效率提供通过所公开的方法产生的植物，在植物再生中减少外源细胞分裂素使用的方法，以及提高植物再生效率的方法。
生长调节因子 grf 相互作用 gif 嵌合改进植物再生方法

[发明专利]以叶片为外植体的甜叶菊组织培养方法及其专用培养基-CN201210530224.4在审
发明人：肖玲;叶绍云;蔡南海;许骏 -专利权人：丰益(上海）生物技术研发中心有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：该甜叶菊的组织培养方法，包括将甜叶菊的离体叶片接入愈伤组织诱导与分化培养基中进行培养得到甜叶菊再生芽的步骤；所述愈伤组织诱导与分化培养基是在植物组织培养基本培养基中添加植物生长物质、碳源和凝胶剂制成的固体培养基；所述植物生长物质含有NAA和TDZ。本发明的以叶片为外植体的甜叶菊组织培养方法，可提高甜叶菊的再生频率和再生增殖系数，缩短再生周期，为甜叶菊转基因研究建立了稳定高效的再生体系。
叶片外植体甜叶菊组织培养方法及其专用培养基

[发明专利]无种质基因型限制高频体胚再生培养方法-CN201810116768.3有效
发明人：梁慧敏;梁栋;胡德龙;韩鹏;刘艳;周兴元;夏阳;李金涛 -专利权人：江苏农林职业技术学院
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了无种质基因型限制高频体胚再生培养方法，包括以下步骤：1）选材及无菌芽苗的生长驯化培养；2）叶芽原基体细胞胚诱导的发生培养；3）胚状体增殖和生长培养；4）丛生芽的成苗快繁培养；5）壮苗生根培养；6）再生植株移栽及成活。本发明还公开了一种结缕草的高频体胚再生培养培养方法。本发明通过选择合适外植体、及依据外植体关键发育阶段及时调整培养基配方和激素成分浓度、及相应培养条件等，使这些因素达到良好相互协同作用，有效地克服了结缕草培养中不同种（品种）及基因型限制问题及高频体胚再生问题，大幅度提高体细胞胚发生频率和再生植株频率。
种质基因型限制高频再生培养方法

[发明专利]具有受控的孔隙度或机械性质的组织基质-CN201680006637.9在审
发明人：伊瑟烈·杰瑟普;姆里纳尔·沙阿;帕特里克·利米 -专利权人：生命细胞公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： A61L27/24 文献下载
摘要：所述组织产品可以包含无细胞细胞外基质，所述无细胞细胞外基质已经在所选区域中处理，以增加所选区域中基质的压缩模量，同时保持支持细胞生长和组织再生的能力。此外，所述组织产品可以包含支持组织向内生长的含胶原的材料，以及胶原或聚合物材料的框架，使得组合具有期望的压缩或拉伸模量和/或强度，同时保持支持细胞生长和组织再生的能力。
具有受控孔隙机械性质组织基质

[发明专利]氮化铝单晶基板的制造方法-CN201780015442.5有效
发明人：永岛徹;冈山玲子;福田真行;柳裕之 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化铝单晶基板的制造方法，其包括：准备工序，准备由氮化铝单晶形成的基底基板；生长工序，通过在该基底基板的主面上生长厚度500μm以上的氮化铝单晶层从而得到层叠体；分离工序，切割该层叠体的氮化铝单晶层部分，使层叠体分离成层叠有氮化铝单晶层的至少一部分的薄膜的基底基板及除此之外的氮化铝单晶层部分；再生研磨工序，对层叠有该薄膜的基底基板的薄膜的表面进行研磨；以及循环工序，将该再生研磨工序中得到的由氮化铝单晶形成的再生基底基板作为在其研磨表面上生长氮化铝单晶的基底基板使用
氮化铝单晶基板制造方法

[发明专利]射频通信系统中用于提供共存的离散时间消除-CN201980069125.0有效
发明人： A·拉格万 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H04B17/11 文献下载
摘要：一种移动设备中的共存管理方法包括：使用第一收发器的接收通道处理RF接收信号以产生数字基带接收信号；使用所述第一收发器的第一观察通道处理第一RF观察信号以产生第一数字观察信号；使用所述第一收发器的第一频谱再生长基带采样电路基于处理所述第一数字观察信号来产生频谱再生长观察数据；以及使用所述第一收发器的离散时间消除电路基于所述频谱再生长观察数据和直接发射泄漏观察数据针对RF信号泄漏补偿所述数字基带接收信号。
射频通信系统用于提供共存离散时间消除

[发明专利]用于氮化镓垂直晶体管的方法和系统-CN201380069597.9有效
发明人：聂辉;安德鲁·P·爱德华兹;伊舍克·克孜勒亚尔勒;大卫·P·布尔;托马斯·R·普朗蒂;昆廷·迪杜克 -专利权人：新时代电力系统有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：垂直JFET还包括耦接到远端外延层并且设置在所述间隙的至少一部分中的多个再生长外延层。近端再生长外延层包括源极沟道的第二部分。垂直JFET还包括穿过远端外延层的部分并且与源极沟道电接触的源极接触部；与远端再生长外延层电接触的栅极接触部；以及与GaN衬底电接触的漏极接触部。
用于氮化垂直晶体管方法系统

[发明专利]一种铟镓氮薄膜的生长方法-CN201910311640.7在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法，用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷，该方法包括：步骤1：在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层；步骤2：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对生长的铟镓氮层进行保温退火；步骤3：降低温度至生长温度，在铟镓氮层上再生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对再生长的铟镓氮层进行保温退火；步骤4：重复执行步骤3，直至铟镓氮层的总厚度达到预设值，完成铟镓氮薄膜的生长。本发明提出的一种铟镓氮薄膜的生长方法，通过分步生长以及退火的工艺，有效降低薄层铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小。
铟镓氮薄膜铟镓氮层生长退火非故意掺杂氮化镓层再生长保温升高低温氮化镓缓冲层重复执行薄层衬底预设