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[发明专利]沟槽制造方法及半导体器件制造方法-CN201110218617.7有效
发明人：王硕;许忠义 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：根据本发明的沟槽制造方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上生长氧化物或氮化物；涂覆光致抗蚀剂；使得光致抗蚀剂形成图案；利用形成图案的光致抗蚀剂执行沟槽刻蚀；去除光致抗蚀剂；清洗；以及执行氢退火。通过采用根据本发明的沟槽制造方法，增加了去除光致抗蚀剂之后的氢退火步骤，从而对沟槽区域的上部角部分以及下部角部分进行圆角化处理，从而降低了泄漏电流并改进了半导体器件的性能，并且改进了内衬氧化物的厚度均匀性
沟槽制造方法半导体器件

[发明专利]构成阴极射线管中红滤光膜的方法-CN98114955.3无效
发明人：金基俊;崔鸿奎;金铉真 -专利权人：三星电管株式会社
申请日： 1998-06-22 - 公布日： 1999-10-20 - 主分类号： H01J9/227 文献下载
摘要：提供了一种构成阴极发射管(CRT)中的红滤光膜的方法。此方法包括的步骤为将包括一种以通式(1)表示的化合物(PVA－SbQ)的负光致抗蚀剂组合物沉积在一种具有黑底图象的屏板上,构成光致抗蚀剂层,再使该光致抗蚀剂层的某预定部位进行曝光,和将一种红颜料组合物涂敷在此光致抗蚀剂层上由于略去了形成绿及蓝荧光屏图象的显影步骤,可简单地就形成红滤光膜,这是由于采用了一种其硬化部位非常弱地粘结在彩色滤光膜上的负光致抗蚀剂组合物的缘故。
构成阴极射线管滤光方法

[发明专利]被处理体的处理方法-CN201010279990.9有效
发明人：成重和树;重田和男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供能够更强地抑制光致抗蚀剂层的高度的减小的被处理体的处理方法。被处理体W具备有机膜和形成在该有机膜上的光致抗蚀剂层，使用含氢的处理气体作为处理气体，一面对第一电极(5)施加直流负电压，一面使用光致抗蚀剂层作为掩膜，利用含氢的等离子体对有机膜进行蚀刻。
处理方法

[发明专利]制造热电偶检测器的方法-CN99105587.X无效
发明人：金寅式;金泰润 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 1999-02-28 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：热电偶检测器及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成隔膜；在隔膜的指定区域上形成热电偶；在热电偶上形成保护膜；在保护膜上形成光致抗蚀剂和从指定区域上除去光致抗蚀剂；在包含光致抗蚀剂的整个表面上形成黑体和除去残余的光致抗蚀剂及光致抗蚀剂上的黑体
制造热电偶检测器方法

[发明专利]曝光装置及其用以制作彩色滤光片的方法-CN03103430.6无效
发明人：丁景隆;温俊斌 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗蚀剂涂覆及曝光的方法，包括有下列步骤：首先，提供一基板，之后，再提供一光致抗蚀剂涂覆器，以在此基板上涂覆多个条状光致抗蚀剂区，接着，提供一曝光装置，该曝光装置含有一光源，用来产生一曝光用的光线，另含有一具有预定图案的光掩模，置于此光源与此基板之间。然后，对此多个条状光致抗蚀剂区进行一曝光程序，通过此基板与此光掩模的一相对性移动，使此光掩模上的预定图案被转写成此基板上的一条状曝光图案。
曝光装置及其用以制作彩色滤光方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580052304.1有效
发明人：中川进一;三宫逸郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：该半导体器件的制造方法包括：使用具有遮光图案102的曝光用掩模105对光致抗蚀剂进行曝光的工序，所述遮光图案102具有二个以上的宽度狭窄部104；对光致抗蚀剂进行显影，形成多个带状的抗蚀图案68的工序；将抗蚀图案68用作掩模，选择性地对第一导电膜67进行蚀刻的工序；在第一导电膜67上形成中间绝缘膜69的工序；在中间绝缘膜69上形成第二导电膜74的工序；对第一导电膜67、中间绝缘膜69以及第二导电膜74进行图案成形，从而形成闪存单元FL，并形成结构体98的工序，所述结构体98由依次形成下部导体图案、中间绝缘膜的切片以及虚设栅电极而成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202211182841.X在审
发明人：杨可;李明琦;李忠奉;C-B·徐;I·考尔;T·马兰戈尼;J·凯茨 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包含：酸敏感聚合物，其包含含酯缩醛基团的重复单元，其中该酸敏感聚合物不含叔烷基酯基团并且基本上不含芳香族基团；包含碱不稳定基团的材料；不含氟的光酸产生剂化合物，其产生pKa为‑2或更大的酸，并且其中该光致抗蚀剂组合物不含产生pKa小于‑2的酸的光酸产生剂；以及溶剂。该光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的图案形成方法特别地可用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法-CN201180022571.X有效
发明人：朴灿晓;金璟晙;金瑜娜 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种负性光致抗蚀剂组合物，其表现出优异的灵敏度并能形成令人满意的具有倒锥形的光致抗蚀剂图案，从而可在器件制造过程中有效地图案化各种薄膜，并能在图案化后容易地移除，以及涉及一种图案化器件的方法。光致抗蚀剂组合物包括：碱溶性粘合剂树脂；含卤素的第一光生酸剂；基于三嗪的第二光生酸剂；含有烷氧基结构的交联剂；和溶剂。
负性光致抗蚀剂组合器件图案方法

[发明专利]结合真空的硬掩模工艺和装置-CN201810783756.6在审
发明人：杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼斯·M·豪斯曼;阿德里安·拉瓦伊;托马斯·尼斯利;斯利士·K·雷迪;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿尔图尔·科利奇;乔治·安德鲁·安东内利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。
含金属膜图案化剂图案化硬掩模有机金属化合物方法和装置光致抗蚀剂金属硬掩模金属掩模纳米图案真空环境感光性金属盐抗蚀剂分辨率波长衬底光刻无光沉积半导体金属敏感暴露

[发明专利]结合真空的硬掩模工艺和装置-CN201510053668.7有效
发明人：杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼斯·M·豪斯曼;阿德里安·拉瓦伊;托马斯·尼斯利;斯利士·K·雷迪;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿尔图尔·科利奇;乔治·安德鲁·安东内利 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。
结合真空硬掩模工艺装置

[发明专利]制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法-CN202110331803.5在审
发明人：赖韦翰;杨立柏;张尚文;张庆裕;林子扬;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法。制造半导体器件包括形成光致抗蚀剂层。将光致抗蚀剂层选择性暴露到光化辐射并显影以形成图案。光致抗蚀剂组合物包含：含碘敏化剂、光活性化合物和聚合物。
制造半导体器件光致抗蚀剂组合方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610170177.1无效
发明人：崔治弘 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：在形成有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂图案，并且选择性地刻蚀所述光致抗蚀剂图案以在钝化层中形成沟槽；涂覆彩色光致抗蚀剂并使其高于沟槽；以及对彩色光致抗蚀剂进行热回流以形成滤色镜和微透镜
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以及连接端子的制造方法-CN200480005670.7有效
发明人：鹫尾泰史;斋藤宏二 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，含有(a)在酸的作用下碱溶解性发生变化的树脂、(b)通过放射线照射产生酸的化合物和(c)防锈剂。由此，本发明可提供在放射线照射前碱溶解性不会发生变化的稳定的化学放大型光致抗蚀剂组合物、以及在支撑体上层叠了该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层层叠体、使用了该层叠体的光致抗蚀图案制造方法以及连接端子制造方法
化学大型光致抗蚀剂组合光致抗蚀剂层层叠制造方法光致抗蚀图案以及连接端子

[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN200680045563.6有效
发明人：竹井敏;堀口有亮;桥本圭祐;中岛诚 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂
用于形成交联固化抗蚀剂下层含有组合

[发明专利]MIM结构的电容器的制造方法-CN200810178683.4无效
发明人：梁泽承;李康县 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法包括在下电极金属层的上方顺序地沉积氮化物膜、Ti膜、以及TiN膜，所述氮化物膜作为绝缘膜，并且所述Ti/TiN层的组合作为上金属电极，用于所述MIM结构的电容器。该方法还包括在所述上电极金属层上涂覆光致抗蚀剂层，并且图案化所述光致抗蚀剂层；然后使用所述图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻所述上金属电极层和所述氮化物膜；以及通过湿法清洗工艺，最终除去残留在所述通过本发明的MIM结构的电容器的制造方法，使用湿法清洗工艺除去当图案化MIM电容器时产生的绝缘层的残留物，从而可抑制短路的发生，并且可提高MIM结构的电容器的特性。
mim 结构电容器制造方法