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- [发明专利]光刻方法-CN201510996538.7有效
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P·D·休斯塔德;J·K·朴
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罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司
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2015-12-25
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2020-01-14
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G03F7/00
- 所述方法包含：(a)提供包含待蚀刻的有机层的半导体衬底；(b)将光致抗蚀剂组合物层直接涂覆在所述有机层上，其中所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸可裂解离去基的树脂，其裂解形成酸基和/或醇基；光酸产生剂；以及溶剂；(c)使所述光致抗蚀剂层曝露于活化辐射；(d)加热所述光致抗蚀剂层，从而形成所述酸基和/或所述醇基；(e)将所述曝露的光致抗蚀剂组合物层用有机溶剂显影剂显影以形成抗蚀剂图案；(f)涂覆含硅组合物，其中所述组合物包含含硅聚合物和溶剂并且不含交联剂；(g)从所述衬底冲洗残余含硅组合物，将所述含硅聚合物的一部分留在所述抗蚀剂图案的表面上；以及(h)选择性蚀刻所述有机层。
- 光刻方法
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