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[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011350050.4在审
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。所述用于形成光致抗蚀剂图案的方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。所述光致抗蚀剂组合物包括金属粒子和附接到所述金属粒子的热稳定配体。所述热稳定配体包含支链或非支链、环状或非环状的C1‑C7烷基或C1‑C7氟代烷基。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。在一个实施方式中，所述方法包括在使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射之前加热所述光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]电致发光元件的制造方法-CN03810515.2无效
发明人：立川智之;伊藤范人 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明的主要目的是提供一种在剥离光致抗蚀剂层等不需要的层时可以很好地进行剥离的EL元件制造方法。为了达到上述目的，本发明提供的EL元件的制造方法的特征在于，具有：在至少形成电极层的基板上形成有机EL层的有机EL层形成工序，在所述有机EL层上形成剥离层的剥离层形成工序，在所述剥离层上形成光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂层形成工序，通过对所述光致抗蚀剂层进行曝光、显影而形成图案的光致抗蚀剂层图案形成工序，除去所述光致抗蚀剂层未覆盖的部分的有机EL层的有机EL层显影工序，通过剥离所述剥离层除去层叠在其上面的光致抗蚀剂层的剥离层剥离工序
电致发光元件制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法-CN02145838.3有效
发明人：李有京;姜圣哲;周振豪;李东基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-10-15 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G03F7/008 文献下载
摘要：本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]不透明导电区域的自对准覆盖-CN201180041107.5有效
发明人： S.哈特曼恩;C.里克斯;H.F.博尔纳;H.里夫卡;H.施瓦布 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种使得能够应用廉价制造技术来制作可靠和鲁棒有机薄膜器件(EL)的方法，该方法包括下述步骤：提供(P)透明衬底(1)，该透明衬底至少部分地覆盖有第一层堆叠，该第一层堆叠包括优选地为导电层的至少一个透明层(2)，以及沉积在透明层(2)之上的第一和第二不透明导电区域(31、32)的图案；在第一层堆叠之上沉积(D)由电绝缘光致抗蚀剂抗蚀剂材料制成的光致抗蚀剂层(4)，该光致抗蚀剂层至少完全覆盖第二不透明导电区域(32)；利用合适波长的光(5)穿过透明衬底(1)照射(IL)光致抗蚀剂层(4)，使得在下方不具有不透明导电区域(31、32)的光致抗蚀剂层(4)的区域(43)中光致抗蚀剂材料是可溶解的；移除(R)光致抗蚀剂层(4)的可溶解区域(43)；加热(B)保留在至少第二不透明导电区域(32)之上的光致抗蚀剂层(4)的区域(42)，从而使光致抗蚀剂层(4)回流以覆盖第二不透明导电区域(32)的接触透明层(2)的边缘(E)；以及硬化(H)光致抗蚀剂层(4)的剩余区域(42)。
不透明导电区域对准覆盖

[发明专利]用于制造抗蚀图案和导体图案的方法-CN200580040726.7有效
发明人：三隅浩一;斋藤宏二;石川薰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明用于制造抗蚀图案的方法包括：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型正性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层，获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
用于制造图案导体方法

[发明专利]形成对准标记的方法-CN202010447799.4有效
发明人：何熊武;徐伟国;白源吉;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开一种形成对准标记的方法，其包含提供一晶片，然后形成一光致抗蚀剂层覆盖晶片，之后进行一曝光显影制作工艺，移除部分的光致抗蚀剂层，剩余的光致抗蚀剂层形成一图案化光致抗蚀剂层，接续进行一硬烤制作工艺，固化图案化光致抗蚀剂层，使得图案化光致抗蚀剂层成为一对准标记，其中对准标记包含氧化硅，最后将晶片放置在一机台上以对准标记为对准记号，定位晶片和机台之间的相对位置。
形成对准标记方法

[发明专利]用于沉积的掩模及用于制造该掩模的方法-CN201880074235.1在审
发明人：李相侑;曹荣得;金南昊 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：实施方式涉及一种用于制造用于沉积OLED像素的沉积掩模的方法，该方法包括以下步骤：准备金属板；在金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层，并且通过对第一光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第一光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第一光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而在金属板的所述一个表面上形成第一凹槽；在金属板的与所述一个表面相反的另一表面上设置第二光致抗蚀剂层，并且通过对第二光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第二光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第二光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而形成连接至第一凹槽的通孔；以及通过移除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层而在金属板上形成掩模图案，其中，金属板具有由以下等式1表示的平直度值，金属板的平直度为
用于沉积制造方法

[发明专利]压电振动元件的制造方法-CN201711113728.5有效
发明人：大岛尚士 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及压电振子的制造方法，其包括：准备具有第一主面和与第一主面对置的第二主面的呈压电性的基板的工序、在基板的第一主面侧形成第一光致抗蚀剂层并在第二主面侧形成第二光致抗蚀剂层的工序、使用第一光掩模将第一光致抗蚀剂层曝光并在第一光致抗蚀剂层转印第一图案以及第一对准标记的第一曝光工序、拍摄第二光掩模的第二对准标记并记录第二对准标记的拍摄图像的工序、基于第一光致抗蚀剂层的第一对准标记与第二对准标记的拍摄图像调整基板相对于第二光掩模的相对位置的工序、使用第二光掩模并将第二光致抗蚀剂层曝光并在第二光致抗蚀剂层转印第二图案的第二曝光工序、以及使第一光致抗蚀剂层以及第二光致抗蚀剂层显影的工序。
压电振动元件制造方法

[发明专利]形成T或伽玛形电极的方法-CN200610064335.5有效
发明人：安浩均;林钟元;文载京;张宇镇;池弘九;金海天 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种形成精细T或伽玛形栅极电极的方法，包括：在半导体衬底上沉积第一绝缘层；在该第一绝缘层上涂覆具有彼此不同的敏感度的至少两个光致抗蚀剂层，且构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；关于栅极图案进行栅极凹进工艺；以及沉积栅极金属在该栅极图案上，并移除该光致抗蚀剂层。
形成伽玛形电极方法

[发明专利]彩色滤光基板及薄膜的制作方法-CN200410055660.6无效
发明人：林佳德;官大双 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种彩色滤光基板的制作方法，其包括：(a)于一基板上形成一图案化的第一光致抗蚀剂层，其中第一光致抗蚀剂层具有多个开口，且这些开口暴露出基板的部分区域；(b)于开口所暴露的基板的部分区域上形成一滤光材料层；(c)于滤光材料层上形成一第二光致抗蚀剂层；(d)移除第一光致抗蚀剂层与第二光致抗蚀剂层，其中滤光材料层形成多个第一滤光薄膜；以及(e)重复步骤(a)至(c)至少一次，并移除第一光致抗蚀剂层与第二光致抗蚀剂层
彩色滤光薄膜制作方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811182653.0有效
发明人：张峰溢;李甫哲;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：首先，形成一第一图案化光致抗蚀剂层于一基底上。接着，在形成第一图案化光致抗蚀剂层于基底上之后，形成一第二图案化光致抗蚀剂层于基底上，其中第一图案化光致抗蚀剂层与第二图案化光致抗蚀剂层交错排列。接续，形成一衬垫层覆盖第一图案化光致抗蚀剂层以及第二图案化光致抗蚀剂层的侧壁。本发明还提供一种半导体装置，包含有多个柱状结构设置于一层上，其中此层包含第一凹槽以及第二凹槽，其中此些第一凹槽的深度小于此些第二凹槽的深度。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210261610.8有效
发明人：张荣芳;张民杰 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：半导体元件的制作方法包括：在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及蚀刻终止层。蚀刻终止层具两个暴露出部分氧化物半导体层的接触开口。在蚀刻终止层上形成金属层。金属层通过接触开口与氧化物半导体层相连接。在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]用于制造抗蚀图案和导体图案的方法-CN200580040710.6有效
发明人：三隅浩一;斋藤宏二;石川薰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明用于制造抗蚀图案的方法是包括下列步骤的用于制造抗蚀图案的方法：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型负性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层以获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
用于制造图案导体方法

[发明专利]光刻工艺、压模、该压模的使用以及光学数据存储介质-CN200480010708.X无效
发明人： J·H·M·奈泽恩;H·范桑坦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：该工艺包含以下步骤：将光致抗蚀剂层(2)涂敷到衬底(1)上，将该光致抗蚀剂层(2)局部曝光于具有适当波长的辐射源，在衬底(1)上提供适当的液体显影剂合成物，用该显影剂合成物溶解光致抗蚀剂层(2)的曝光区域或者未曝光区域，清洗和烘干该光致抗蚀剂层(2)并由此中断所述溶解步骤。衬底(1)具有和光致抗蚀剂层(2)接触的金属表面(1c)，且该光致抗蚀剂层(2)的厚度dr小于100nm。可以获得70度或更大的相对大的光致抗蚀剂壁陡度。
光刻工艺压模使用以及光学数据存储介质

[发明专利]制造光致抗蚀剂图案的方法-CN200810134017.0无效
发明人：姜在贤 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光致抗蚀剂图案的方法。该方法包括在蚀刻目标层上涂覆光致抗蚀剂，采用使用掩模的曝光工艺形成最初的光致抗蚀剂图案，以及采用包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料生长最初的光致抗蚀剂图案以形成最后的光致抗蚀剂图案。本发明无需功能特定的高价设备即可制造光致抗蚀剂图案，有利于生产，可确保稳定的工艺余量并实现微观设计规则。
制造光致抗蚀剂图案方法