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[发明专利]用于喷墨打印机中的静电致动器的隔膜-CN201310324286.4有效
发明人： P·J·奈斯特龙 -专利权人：施乐公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B41J2/015 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于喷墨打印机的静电致动器的隔膜及其制造方法。该方法包括在芯轴上电镀第一层，以及将光致抗蚀剂施加到第一层。该方法还包括与光致抗蚀剂相邻地在第一层上电镀第二层，使得第一和第二层形成基本上均匀的结构，并且将光致抗蚀剂与第一和第二层分离，以暴露定位有光致抗蚀剂的一个或多个挠曲凹部，其中所述隔膜在挠曲凹部附近具有减小的刚度
用于喷墨打印机中的静电致动器隔膜

[发明专利]独立自支撑膜的制造及其在纳米颗粒图案合成中的应用-CN201280053361.1有效
发明人：杨军;李庭杰 -专利权人：西安大略大学
申请日： 2012-10-03 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本方法包括将光致抗蚀剂层涂覆于基底上表面，首先将其加热相应时间段，然后通过具有预设图案的掩模版使该光致抗蚀剂层通过紫外曝光，并控制所述紫外线辐射剂量的强度和时间实现剂量控制，以便所述紫外线辐射剂量通过并进入所述光致抗蚀剂层顶部比与所述基底表面紧邻的光致抗蚀剂层底部经受更多的交联，从而在所述光致抗蚀剂层的厚度内产生交联梯度。由于与基低表面相邻的膜部分与膜表面相比交联程度低，去除掩模版后容易将膜层从基底表面分离。分离后的膜形成是具有特定图形分布的独立自支撑多孔膜。当沉积在UV透明基底上时，该方法也可以用正性光致抗蚀剂材料，以便将光致抗蚀剂从其顶部通过掩模对掩模版进行UV曝光并且从透明基底的背部掩模版进行直接无掩模的UV曝光。
独立支撑制造及其纳米颗粒图案合成中的应用

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610498779.3在审
发明人：樱井仁美 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法，用于抑制对多晶硅层(4)进行离子注入时的沟道效应，使在多晶硅层(4)的构图中使用的第1光致抗蚀剂层(5)在第2光致抗蚀剂层(8)的开口部露出，将第1光致抗蚀剂层(5)作为由多晶硅层
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的金属互连的制造方法-CN200910179134.3无效
发明人：尹基准 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的金属互连的制造方法，包括：在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层，在层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻抗反射层，以形成抗反射图案；使用第一次蚀刻工艺中生成的聚合物，在抗反射图案和光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层；使用抗反射图案、光致抗蚀剂图案和第一聚合物层作为蚀刻掩模，在第二次蚀刻工艺中蚀刻硬掩模层以形成硬掩模；使用光致抗蚀剂图案、抗反射图案、第一聚合物层和硬掩模作为蚀刻掩模，在第三次蚀刻工艺中蚀刻金属层以形成金属互连。在抗反射图案和光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层，使得抗反射图案的设计尺度通过经由第一次蚀刻工艺生成的聚合物而确定。
半导体器件金属互连制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201410554510.3在审
发明人：倪梁;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有氧化物介电层，在氧化物介电层上形成有多个锗帽层；蚀刻氧化物介电层，直至露出半导体衬底，以形成露出半导体衬底的多个开口；形成具有作为腔室的沟槽图案的光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层的底部宽度大于经过蚀刻的氧化物介电层的宽度；以所述图案化的光致抗蚀剂层为掩膜，蚀刻半导体衬底，以在半导体衬底中形成所述沟槽；在所述沟槽中沉积金属层；去除所述图案化的光致抗蚀剂层。根据本发明，实施剥离技术去除所述图案化的光致抗蚀剂层之后，在作为腔室的所述沟槽的顶端拐角部分不会出现金属层的残留。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]图案形成方法-CN202011498811.0在审
发明人： C-B·徐;刘聪;J·F·卡梅伦;林载峰;侯希森;沈载桓 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F7/115 文献下载
摘要：图案形成方法包括：(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂CHF2、或CH2F；R4包括酸可裂解基团；并且m是0至2的整数；(c)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(d)使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案；以及(f)使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。
图案形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811285152.5在审
发明人：高永珉;权赫宇;李凖原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了制造半导体装置的方法，所述方法包括：在目标层上顺序地形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行图案化以形成光致抗蚀剂图案；将光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模顺序地对第二硬掩模层和第一硬掩模层进行图案化以形成第一硬掩模图案和位于第一硬掩模图案上的第二硬掩模图案；将第一硬掩模图案和第二硬掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻目标层，其中，第二硬掩模层包括掺杂杂质的非晶硅。
硬掩模图案硬掩模层光致抗蚀剂图案半导体装置蚀刻掩模图案化光致抗蚀剂层蚀刻目标层掺杂杂质抗蚀剂层非晶硅目标层制造

[发明专利]光致抗蚀剂用剥离液以及使用该剥离液的基板处理方法-CN200710112536.2无效
发明人：熊泽明;大桥卓矢;泽田佳宏;原口高之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂用剥离液，所述抗蚀剂用剥离液不腐蚀基板发生、且能有效地除去光致抗蚀剂膜，所述基板为形成了含有银的金属层的基板以及形成了还含有其他金属的金属层的基板。本发明提供一种光致抗蚀剂用剥离液，所述光致抗蚀剂用剥离液含有0.5质量％以上20质量％以下(A)N，N－二乙基羟基胺、10质量％以上90质量％以下(B)烷醇胺以及10质量％以上90质量％以下(C)水溶性有机溶剂
光致抗蚀剂用剥离以及使用处理方法

[发明专利]制造显示设备的方法-CN202010837918.7在审
发明人：朴种熙;金真锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种制造显示设备的方法，所述方法包括：在基体基底上形成第一导电层，所述基体基底包括面板区域和设置为接近于所述面板区域的裕度区域，所述裕度区域包括虚设图案区域；在所述第一导电层上形成光致抗蚀剂层；通过曝光和显影所述光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案；通过使用所述光致抗蚀剂图案蚀刻所述第一导电层来形成第一导电图案；以及去除所述光致抗蚀剂图案。
制造显示设备方法

[发明专利]一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法-CN202310769418.8有效
发明人：汪海燕;卢迪锋;李建恒;朱思坤 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法，包括硅片，硅片的顶部依次设有氧化硅、光致抗蚀剂和金属层，金属层的顶部设有栅极氧化层，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的左右两侧设有对准标记，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的下方左右两侧设有用于防止金属层对对准标记覆盖的挡板组件，光致抗蚀剂位于对准标记上设有叠加标记，叠加标记的高度等于金属层和光致抗蚀剂之和，本发明通过叠加标记代替被覆盖的对准标记进行识别，可以针对金属层比较厚情况下进行对准，而且叠加标记的高度根据半导体以及器件电性的特点，在硅片上喷射相应的金属层体积，使得金属层刚好在叠加标记水平端上相平齐，方便叠加标记的轮廓清晰。
一种栅极氧化对准标记装置及其形成方法

[发明专利]使蚀刻底切最小化及提供清洁金属剥离的方法-CN200810191101.6有效
发明人：周显辉;陈艳 -专利权人： WJ通信公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：在一个实施例中，采用双层抗蚀剂掩模，并将其用于蚀刻下面的衬底材料和随后的金属剥离。在一个实施例中，首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量(诸如近UV或紫光)敏感的顶部层抗蚀剂(诸如正性光致抗蚀剂)图形化，以暴露出部分的底部抗蚀剂层，其对不同的选定范围的能量(诸如深UV光)敏感。然后，通过各向异性蚀刻诸如氧反应离子蚀刻，利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模，去除底部抗蚀剂层的暴露部分，以暴露出部分的下面的衬底。这使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后，将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模，以用于随后的下面的衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切，因此也使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。
蚀刻最小化提供清洁金属剥离方法

[发明专利]场发射器件的制造方法-CN200710186971.X无效
发明人：崔濬熙;裵民钟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种场发射器件的制造方法，包括：在基板上依次形成阴极和光阻挡层，并构图所述光阻挡层以形成阻挡层孔；在所述光阻挡层上依次形成绝缘层和栅极材料层，并构图所述栅极材料层以形成栅电极，在所述栅电极中形成栅电极孔；在所述栅电极上涂覆光致抗蚀剂，并曝光和显影所述光致抗蚀剂以在所述栅电极孔内形成抗蚀剂孔；各向同性地蚀刻通过所述抗蚀剂孔暴露出的绝缘层的部分从而形成绝缘层孔；蚀刻通过所述绝缘层孔暴露出的栅电极的部分，以形成栅极孔，并除去所述光致抗蚀剂；和在通过所述阻挡层孔暴露的阴极电极上形成发射器。
发射器件制造方法

[发明专利]形成半导体元件及其栅极结构的方法-CN200910167343.6有效
发明人：叶明熙;林舜武;陈启群;陈嘉仁;陈薏新;陈建豪;赵元舜;黄国宾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。
形成半导体元件及其栅极结构方法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810137834.1有效
发明人：杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着，于栅介电层上形成通道层，并于通道层上形成第二金属层。接着，于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层，并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层，以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极，其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后，于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层，以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出漏极。接着，于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。
像素结构制作方法

[发明专利]形成双镶嵌结构的方法-CN200810169440.4有效
发明人：谢永刚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：首先提供基材，并依序安排有蚀刻停止层与层间介电层位于基材上。此层间介电层具有厚度A。其次，图案化层间介电层以形成第一开口。继续，在层间介电层上形成光致抗蚀剂层。此光致抗蚀剂层具有厚度B。然后，通过光源而图案化此光致抗蚀剂层。接着，通过图案化光致抗蚀剂层而图案化此层间介电层，以建立位于第一开口上方的第二开口并形成双镶嵌结构，其中该光源具有周期参数C，而使得(A+B)/C≈X/2，X为奇数。
形成镶嵌结构方法