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[发明专利]形成多层互连线路的光掩模组和用它制造的半导体器件-CN200310119511.7有效
发明人：金成镇;张胜弦;南基钦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-01 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用于形成多层互连线路的光掩模组和使用这种光掩模组制造的半导体器件包括用于形成下层互连线路的第一光掩模和用于形成上层互连线路的第二光掩模。第一和第二光掩模带有互相平行的下层不透光图形和覆盖下层不透光图形的上层不透光图形。在这种情况中，下层不透光图形的末端与跨过下层不透光图形的直线一致。因而，当使用第二光掩模来形成上层互连线路时，尽管有反射光的会聚，低质量的光致抗蚀图形还是被防止形成。
形成多层互连线路模组制造半导体器件

[发明专利]用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法-CN201410338417.9有效
发明人：刘恩铨;郭腾钦;白源吉;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括：提供具有电路布局、第一光掩模图与第二光掩模图的第一基板，其中第一光掩模图与第二光掩模图依序叠置于电路布局上，且第一光掩模图与第二光掩模图分别相对于电路布局具有不相等的x轴向可容许偏差范围与y轴向可容许偏差范围；获取第一光掩模图相对于第二光掩模图的座标偏移量；以及计算座标偏移量相对上述x轴向可容许偏差范围与上述y轴向可容许偏差范围的偏移差值，并将第一倍数的上述座标偏移量与第二倍数的上述偏移差值进行加总
光掩模容许偏差补偿参数电路布局偏移量制作工艺偏移非对称光刻第一基板不相等加总

[发明专利]光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板-CN201310138465.9有效
发明人：吴泰必 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板，所述方法包括：步骤1、提供光罩掩模板半成品，该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区；步骤2、通过半蚀刻制程在无效区上形成凹槽本发明的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板，通过对设于有效开口区周围的无效区域进行半蚀刻，在无效区上形成凹槽，降低有效开口区与无效区之间的质量差异，有效避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题，进而保证光罩掩模板的有效开口区能完全平贴于基板上的预定位置，保证镀膜图案的精度。
光罩掩模板制作方法方法制作

[发明专利]三维微纳结构光刻系统及其方法-CN201911115004.3有效
发明人：邵仁锦;浦东林;朱鹏飞;张瑾;朱鸣;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上
三维结构光刻系统及其方法

[发明专利]三维微纳结构光刻系统及其方法-CN201911115238.8有效
发明人：邵仁锦;浦东林;朱鹏飞;张瑾;朱鸣;徐顺达;吕帅;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上
三维结构光刻系统及其方法

[发明专利]光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法-CN03105272.X有效
发明人：野嵨茂树;池永修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明的课题是提供能进行精度更高的是否合格的判断的光掩模的制造方法。本发明的光掩模的制造方法包含下述步骤：在光掩模上作成掩模图案(ST.1)；测定作成的掩模图案的尺寸(ST.2、ST.3)；根据尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光掩模图案时的曝光余量；判断求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量；根据是否满足曝光余量的判断结果，判断光掩模是否合格；该制造方法的特征在于：尺寸测定包含掩模图案中在被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定。
光掩模制造方法使用半导体装置

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811285152.5在审
发明人：高永珉;权赫宇;李凖原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了制造半导体装置的方法，所述方法包括：在目标层上顺序地形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行图案化以形成光致抗蚀剂图案；将光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模顺序地对第二硬掩模层和第一硬掩模层进行图案化以形成第一硬掩模图案和位于第一硬掩模图案上的第二硬掩模图案；将第一硬掩模图案和第二硬掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻目标层，其中，第二硬掩模层包括掺杂杂质的非晶硅。
硬掩模图案硬掩模层光致抗蚀剂图案半导体装置蚀刻掩模图案化光致抗蚀剂层蚀刻目标层掺杂杂质抗蚀剂层非晶硅目标层制造

[发明专利]光掩模坯料及制造方法-CN201810605620.6在审
发明人：高坂卓郎;寺泽恒男;入江重夫;木下隆裕 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。
光掩模坯料蚀刻曝光光透射光掩模含硅材料消光系数检查光接受体折射率波长衬底光刻制造图案透明加工

[发明专利]光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法-CN200810132384.7无效
发明人：文载寅 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法，所述光掩模包括形成于线型图案(41)与岛型图案(43)之间的点型图案(45)。使用该光掩模制造半导体器件的方法改进器件的良率及生产率。
光掩模使用制造半导体器件方法

[发明专利]光掩模，制造光掩模的方法以及使用其的光刻方法和系统-CN200610092512.0无效
发明人：许圣民;金熙范;李东根;全爘旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。
光掩模制造方法以及使用光刻系统

[发明专利]清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法-CN201410392595.X有效
发明人：潘怡勋;谢昆龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明提供了清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法。在清洁光掩模的方法中，从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上。经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模的表面上的粘合剂残留物。在光掩模和该段擦拭带之间进行相对运动以从光掩模的表面去除粘合剂残留物。
清洁模块装置以及光掩模方法

[发明专利]光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模-CN201810915785.3有效
发明人：李宗彦;傅中其;陈立锐;郑博中;郭爵旗;郑介任 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。
光刻设备洁净检测方法以及反射式光掩模

[发明专利]光掩模坯的保持装置-CN99806027.5无效
发明人： G·戈德尔;A·厄尔曼;G·翁格尔;W·贝森贝克;A·雷特尔 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 1999-03-11 - 公布日： 2001-06-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于光掩模坯的保持装置,包括设有用于光掩模坯(4)的支承面(3)的保持体(1)及与光掩模坯(4)的一个导电层(6)可形成电接触的接地单元(10)。接地单元包括一个接触顶尖(15),它可被这样地操作,即它可在实质上对放置在该保持装置中的光掩模坯(4)无侧向相对移动的情况下向下移动到光掩模坯上。
光掩模坯保持装置

[实用新型]具有反光识别区的光掩模夹具-CN202020592068.4有效
发明人：王国荃 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有反光识别区的光掩模夹具，用于光掩模工作台，所述光掩模工作台上方具有反光识别探测器，所述光掩模夹具包括：夹具框体；光掩模窗口，位于所述夹具框体中；以及反光识别区，位于所述夹具框体上，本实用新型在夹具框体上设置具有高反光率的反光识别区，使得不再需要整个光掩模夹具的材质都具有高反射率，可以使用价格较低的金属替代原来昂贵的高反射金属材质，仅需在反光识别区设置高反射材料即可，从而大大降低了光掩模夹具的材料成本及制造成本
具有反光识别光掩模夹具

[发明专利]微晶图制作过程-CN03122478.4有效
发明人：陈孟伟;杨大弘;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种微晶图制作过程，其首先在一基底的上方形成一光阻层。之后，在光阻层的上方设置第一光掩模，该第一光掩模上具有一高密度图案。之后，进行第一曝光步骤，以将该第一光掩模上的高密度图案转移至光阻层，其中第一曝光步骤的曝光能量为E1。之后，再于光阻层的上方设置第二光掩模，该第二光掩模上具有一低密度图案。随后，进行第二曝光步骤，以将该第二光掩模上的低密度图案转移至光阻层，其中第二曝光步骤的曝光能量为E2，且E2大于E1。最后，进行显影步骤，以图案化光阻层。
微晶图制作过程