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[发明专利]异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法-CN201310365253.4在审
发明人：刘战辉;肖韶荣;梁成;李庆芳;陈玉林 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓(GaN)异质外延生长材料的位错类型的观测和位错密度的测定方法，利用熔融氢氧化钾及氢氧化钾、氧化镁共熔物刻蚀结合扫描电子显微镜和原子力显微镜，直观观测氮化镓外延膜表面位错类型，分析研究不同类型位错的特性及分布和计算位错密度方法对不同氮化物样品均能研究其中不同类型位错的特性，获得各种位错在表面的分布，并且准确计算各种类型位错的密度及总位错密度。
外延生长氮化镓位错密度测定方法

[发明专利]一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法-CN200910025456.2无效
发明人：刘争晖;钟海舰;徐科;王明月 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： G01N13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区域表面形貌进行测试，然后将样品进行多次腐蚀，并在每次腐蚀后用原子力显微镜对标记的同一检测区域进行重复测试，多次腐蚀和测试后统计得到每个腐蚀位错坑的腐蚀速率，判定对应的位错类型，进而统计各类型位错的密度。本发明突破传统透射电子显微镜的位错检测方法，制样方法简单，位错类型判定准确高效，不仅可用于工业上各类半导体材料的质量检测，促进III族氮化物基光电器件在光电产业的发展，也能应用于关于薄膜材料位错腐蚀动力学的科学研究
一种评估氮化物表面检测方法

[发明专利]一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法-CN201711214286.3在审
发明人：崔潆心;李俊焘 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法，该方法主要通过对SiC单晶衬底进行湿法腐蚀处理，借助激光共聚焦显微镜观察位错腐蚀坑的形成与发展，进而通过衬底腐蚀坑的截面图和夹角信息来判断衬底腐蚀坑对应的位错类型因为衬底中不同类型的位错对SiC外延及器件产生不同的影响，因此，通过本发明可以准确地判断SiC衬底中的位错类型，对单晶生长工艺改进和高性能器件制备具有重要意义。 1
衬底位错类型碳化硅单晶辨别腐蚀坑激光共聚焦显微镜单晶生长工艺高性能器件位错腐蚀坑夹角信息湿法腐蚀重要意义衬底片单晶位错制备观察改进

[发明专利]第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板-CN201610681560.7在审
发明人：林昌弘;皿山正二;佐藤隆;木村千春;三好直哉;村上明繁;和田纯一 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C30B9/06 文献下载
摘要：第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
13 氮化物晶体

[发明专利]第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板-CN201310085505.8无效
发明人：林昌弘;皿山正二;佐藤隆;木村千春;三好直哉;村上明繁;和田纯一 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
13 氮化物晶体

[发明专利]一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法-CN202111551300.5在审
发明人：彭燕;于金英;杨祥龙;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：所述方法包括将碳化硅晶片置于刻蚀腔中，使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面；刻蚀至预设时间后，将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出，用去离子水和酒精超声清洗；根据所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型该方法通过刻蚀C面形成刻蚀坑，根据刻蚀坑的形貌和截面信息可以准确辨认微管及不同类型的位错；同时，对于衬底材料可以和Si面位错情况进行对比，从而直接观察位错在生长过程中的行为；对于外延材料可以和外延表面对比位错情况，进而研究位错的增值和转化机理。
一种晶片辨别碳化硅缺陷方法

[发明专利]半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法-CN200580042970.7无效
发明人：马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫;亚历克斯·罗马诺夫;蒂姆·朗 -专利权人：奥普特冈有限公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的半导体衬底(1)由具有纤维锌矿晶体结构的III族金属氮化物制成，以及其以汽相生长在晶格与所述半导体衬底材料不匹配的(0001)取向异质衬底(2)上，或者生长在所述半导体衬底材料的已有(0001)取向的高位错层(3)上，以及具有高度减少的位错密度。根据本发明，使用一种结构用于位错密度的减少，其包括位错重定向层(4)，位错重定向层(4)提供螺位错(6)向着具有除了(0001)外的指数和那些{1¹00}类型指数的高指数晶面的有意倾斜，以增加所述螺位错彼此汇合的可能性；以及位错反应层(5)，位错反应层(5)定位在所述位错重定向层之上，其中所述螺位错(6)彼此聚结，导致在所述半导体衬底表面(7)的减少的螺位错密度。
半导体衬底半导体器件制造方法

[发明专利]一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法-CN202010038547.6在审
发明人：黎大兵;开翠红;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：S1，根据氮化物单体位错的缺陷选择刻蚀方法；S2，表征刻蚀坑的形貌，确定氮化物单体位错的类型；S3，表征氮化物单体位错暗态下表面电势；S4，表征氮化物单体位错紫外光下表面电势；S5，基于表面电势，建立能带模型，获得氮化物单体位错光电性能。本发明根据刻蚀坑的形貌辨别出螺位错、刃位错、混合位错，解决紫外光辅助开尔文探针力显微镜无法分辨单体位错的问题。本发明应用于半导体技术领域。
一种实现缺陷光电性能测评方法

[发明专利]稀土金属氧化物晶体的位错检测方法-CN202110843154.7在审
发明人：李子阳;黄凯;骆文锋;张坤;朱刚;刘子莲 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土金属氧化物晶体的位错检测方法，包括以下步骤：利用质量分数为75％～95％的磷酸溶液在80℃～200℃下对所述稀土金属氧化物晶体刻蚀处理10分钟～60分钟，制备预处理样品；对所述预处理样品进行观察，获取所述稀土金属氧化物晶体的位错特征。通过对稀土金属氧化物晶体选择适当的刻蚀温度以及刻蚀液，使晶体结构中的位错易于在光学显微镜下以及扫描电子显微镜下进行观察，不仅可以判断稀土金属氧化物的晶体结构中位错的类型，还能进一步计算出晶体位错密度。上述测试方法成本低且周期短，避免传统透射电子显微镜对样品进行繁琐处理以及X射线衍射不能对晶体位错类型进行判断的缺陷。
稀土金属氧化物晶体检测方法

[发明专利]一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层-CN201910643471.7有效
发明人：游正璋;马后永;李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层，采用多周期应力调节层以及位于多周期应力调节层顶部的第一导电类型位错微调层来降低第一导电类型外延层中的应力，并且利用第一导电类型位错微调层来控制应力调节层表面的位错浓度
一种用于半导体超薄外延结构应力调节

[发明专利]一种碳化硅晶片的抛光方法及半导体晶片的抛光方法-CN202310110785.7在审
发明人：王蓉;李佳君;皮孝东;沈典宇;高万冬;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供粗磨或精磨后的碳化硅晶片，将碳化硅晶片进行碱腐蚀,将碱腐蚀后的碳化硅晶片置于显微镜下拍照获得灰度图，调整灰度图的阈值后，得到位错图，再对位错图进行位错表征和统计，最后将位错表征和统计后的碳化硅晶片进行后续抛光加工工艺本发明利用加工过程中粗磨或精磨后的碳化硅晶片进行碱腐蚀，由于位错腐蚀坑的深度和加工损伤形成的腐蚀坑的深度不同，使得位错腐蚀坑和加工损伤腐蚀坑的衬度也不同，通过对灰度图的阈值调整，排除加工损伤形成的腐蚀坑，使得位错图中全部为位错腐蚀坑，有利于计算机软件读取图片信息进行位错类型区分和统计。
一种碳化硅晶片抛光方法半导体

[发明专利]一种碳化硅单晶位错检测方法-CN202010198747.8在审
发明人：彭燕;杨祥龙;徐现刚;王垚浩;于国建;陈秀芳 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳化硅单晶位错检测方法，利用氢等离子体或者氧等离子体的刻蚀特性，刻蚀碳化硅晶圆表面，得到碳化硅单晶中的位错缺陷，既可以选择对C面刻蚀、也可以对Si面刻蚀，不采用强碱熔融作为腐蚀液，安全且高效，另外，由于微波等离子体腔体较大，无需额外制样，可实现小片或者全片观察位错类型、密度和分布情况。
一种碳化硅单晶位错检测方法

[发明专利]一种可区分不同类型位错的透射电镜成像方法-CN201811623972.0在审
发明人：黄俊;牛牧童;苏旭军;董晓鸣;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种可区分不同类型位错的透射电镜成像方法，包括：在普通透射电镜模式下，倾转样品，使电子束沿第一晶带轴入射，拍摄衍射谱并标定；根据标定倾转样品，使样品处于第一衍射矢量的双束衍射状态；将电镜切换进入暗场成像模式，利用探测器收集第一衍射矢量衍射束的衍射衬度图像；倾转样品，拍摄样品沿第二晶带轴的衍射谱，并标定；根据标定倾转样品，使样品的待观察位错区域先后处于两个不同的衍射矢量的双束衍射状态，并将电镜切换进入暗场成像模式本发明解决了传统的“双束”衍射无法区分多种伯格斯矢量的位错类型的问题，有利于更深入地揭示样品的位错演变规律。
衍射标定倾转位错透射电镜矢量暗场成像矢量衍射衍射衬度衍射谱探测器带轴成像电子束图像位错类型演变规律传统的拍摄入射观察

[发明专利]一种基于位错理论计算水力压裂产生应力场的方法-CN202011316182.5有效
发明人：张丰收;曹澍天;王小华;安孟可;赵峦啸 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-11-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于位错理论计算水力压裂诱导应力场的方法，基于对象井的地质参数和分段压裂或重复压裂水力裂缝基本参数，如裂缝位置坐标、基本尺寸与数量等，采用位错理论对水力裂缝面沿不同方向发生的位错来表征水力裂缝的拉伸或剪切破坏该方法通过裂缝面位错合理表征了不同类型的水力裂缝，可准确的得出多条水力裂缝共同作用下的诱导应力场。
一种基于理论计算水力产生力场方法

[发明专利]一种LED芯片-CN202110601827.8有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;曲晓东 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。
一种 led 芯片

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