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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法-CN201210366144.X有效
  • 王坚;贾照伟;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2012-09-27 - 2018-11-06 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法，包括如下步骤：（1）将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；（2）采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束，提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀，提高了微观上的刻蚀均匀性
  • 氟化氙气刻蚀阻挡方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110294600.X有效
  • 周鸣 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2011-09-29 - 2013-04-10 - H01L21/768
  • 一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成介质层，在介质层中形成金属互连线；在所述金属互连线上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层的表面进行硅化处理，形成第一富硅阻挡层；在所述第一富硅阻挡层上形成第二阻挡层，对所述第二阻挡层的表面进行硅化处理，形成第二富硅阻挡层。相应地，本发明还提供一种半导体器件，包括：衬底，位于衬底上的介质层，形成于介质层中的金属互连线；依次位于金属互连线上的第一阻挡层、第一富硅阻挡层、第二阻挡层、第二富硅阻挡层。本发明可以减小PID问题。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]双银低辐射玻璃-CN201020503116.4有效
  • 陈可明;曾小绵 - 中国南玻集团股份有限公司
  • 2010-08-24 - 2011-05-11 - C03C17/36
  • 本实用新型公开了一种双银低辐射玻璃，膜层结构依次为：玻璃、第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第一阻挡层、第一AgCu层、第二阻挡层、第一上层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层、第三阻挡层、第二AgCu层、第四阻挡层、上层电介质组合层；其中，第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层膜层材质为还原性大于AgCu的材料。采用独特的膜层结构、新工艺、新方法，使该双银低辐射玻璃具有低辐射率、高耐热性的优点，能在700℃高温下进行钢化、热弯和弯钢化等强化处理。
  • 双银低辐射玻璃
  • [发明专利]一种超低K互连结构及其制造方法-CN200710301315.X有效
  • 李秋德 - 和舰科技（苏州）有限公司
  • 2007-12-26 - 2009-07-01 - H01L23/522
  • 本发明提出了一种超低K互连结构及其制造方法，该超低K互连结构至少包括第一金属层，覆盖第一金属层的第一阻挡层，第一阻挡层上方的第一低K介质层，第一低K介质层上方的中间阻挡层，中间阻挡层上方的蚀刻终止层，蚀刻终止层上方的上层阻挡层，一个或多个沟道贯通上述第一阻挡层、第一低K介质层、中间阻挡层、蚀刻终止层和部分上层阻挡层，上述沟道内填充有导电材料，一个或多个通孔贯通上述第一低K介质层、中间阻挡层和蚀刻终止层，上述通孔的侧壁涂覆有一层侧壁阻挡层，上述通孔内填充有低K介质材料。本发明在填充导电材料的沟道周围形成保护用的覆盖阻挡层，使得在使用低K材料的同时有效阻止铜的扩散。
  • 一种互连结构及其制造方法
  • [实用新型]可钢化双银低辐射镀膜玻璃-CN201120507355.1有效
  • 林嘉宏 - 林嘉宏
  • 2011-12-08 - 2012-08-15 - B32B9/04
  • 本实用新型涉及的是一种可钢化双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃，在玻璃上从下向上依次镀制有第一阻挡层、基层电介质层、第二阻挡层、第一功能层、第三阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第三中间电介质层、第四阻挡层、第二功能层、第五阻挡层以及顶层电介质层。所述第一阻挡层、第二阻挡层和第四阻挡层采用NiCr；所述基层电介质层、第一中间电介质层、第三中间电介质层为Si3N4；所述第三阻挡层和第五阻挡层采用锌铝氧化物；第一功能层和所述第二功能层为含银膜层；第二中间电介质层为锌锡氧化物
  • 可钢化双银低辐射镀膜玻璃
  • [发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210946421.8在审
  • 杨弘;叶李欣;简良翰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-08-08 - 2022-10-25 - H01L21/768
  • 本公开涉及半导体器件的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成隔离介质层，在隔离介质层中形成凹槽；在凹槽的槽壁和槽底形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成金属扩散阻挡层，金属扩散阻挡层包括致密阻挡层，致密阻挡层包括交替沉积形成的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层含有用于弱化金属扩散阻挡层的晶界的掺杂元素，掺杂元素在交替沉积过程中掺入第一阻挡层的至少部分内；在凹槽内填充金属层，金属层形成在金属扩散阻挡层上该形成方法能够使金属扩散阻挡层的整体结构更加致密，进而改善了阻挡性能，金属扩散阻挡层能够有效抑制金属向隔离介质层中扩散迁移，从而提高了半导体器件的可靠性。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]去除阻挡层的方法-CN202010519561.8在审
  • 王晖;张洪伟;代迎伟;金一诺;王坚 - 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2020-06-09 - 2021-12-10 - H01L21/311
  • 本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，去除单层金属钌阻挡层，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层；氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，用于10nm及以下的工艺节点的结构中，结构包括衬底、介质层、阻挡层和金属层，介质层沉积在衬底上，介质层上形成凹进区，阻挡层沉积在介质层上，金属层沉积在阻挡层上，金属层是铜层，阻挡层是单层金属钌层，该方法包括：减薄步骤，对金属层进行减薄；去除步骤，去除金属层；氧化步骤，对阻挡层进行氧化，氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺；氧化层刻蚀步骤，刻蚀氧化后的阻挡层。
  • 去除阻挡方法
  • [发明专利]一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法-CN202011052273.2在审
  • 孙少俊;张栋;黄鹏 - 华虹半导体（无锡）有限公司
  • 2020-09-29 - 2021-01-05 - H01L23/528
  • 其中，芯片包括：衬底层、硅化物阻挡层和介质层；衬底层上形成器件层；硅化物阻挡层覆盖在器件层上；硅化物阻挡层包括从器件层上依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层与第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；侧墙结构和第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；介质层形成于硅化物阻挡层上。方法包括：提供上述芯片；定义出接触孔图案；进行第一次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的介质层和第二阻挡层；使得第一次刻蚀的停止面位于第一阻挡层中；根据接触孔图案，进行第二次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的第一阻挡层
  • 一种芯片接触对准刻蚀方法
  • [发明专利]双银低辐射玻璃及其制造方法-CN201010261813.8无效
  • 陈可明;曾小绵 - 中国南玻集团股份有限公司
  • 2010-08-24 - 2012-03-14 - C03C17/36
  • 本发明公开了一种双银低辐射玻璃，膜层结构依次为：玻璃、第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第一阻挡层、第一AgCu层、第二阻挡层、第一上层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层、第三阻挡层、第二AgCu层、第四阻挡层、上层电介质组合层；其中，第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层膜层材质为还原性大于AgCu的材料。采用独特的膜层结构、新工艺、新方法，使该双银低辐射玻璃具有低辐射率、高耐热性的优点，能在700℃高温下进行钢化、热弯和弯钢化等强化处理。本发明还提供了一种该双银低辐射玻璃的制造方法。
  • 双银低辐射玻璃及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210409910.X在审
  • 卢越野;刘轶群 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有垂直堆叠的多个相互间隔的沟道层，沟道层上依次形成有电介质层与第一阻挡层，电介质层包覆沟道层，第一阻挡层包覆电介质层；形成含硅的第二阻挡层，第二阻挡层包覆第一阻挡层，且第二阻挡层的材质还包括钛、钽或氮中的一种或多种；进行热处理，使第二阻挡层中的硅与第一阻挡层相结合以起到阻挡的作用。所述第二阻挡层不易晶化团聚的特点可以防止第二阻挡层在热处理过程中封闭相邻沟道层之间的通道，从而解决沟道层之间的间隔中有残留存在的问题。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]后端结构的形成方法-CN202011292924.5有效
  • 张超逸;梁金娥;卢光远 - 华虹半导体（无锡）有限公司
  • 2020-11-18 - 2022-09-30 - H01L21/768
  • 本申请公开了一种后端结构的形成方法，包括：在介质层上形成反射阻挡层，介质层形成于第一金属层上，第一金属层形成于衬底上，反射阻挡层的反射率低于第一金属层的反射率；对目标区域进行刻蚀，形成通孔，通孔底端的第一金属层暴露；在反射阻挡层和通孔的表面形成阻挡层；在阻挡层上形成第二金属层，第二金属层填充通孔；通过CMP工艺进行平坦化处理，去除通孔所在区域以外的其它区域的反射阻挡层、阻挡层和第二金属层，通孔内剩余的的阻挡层和第二金属层形成金属连线本申请通过在介质层上形成反射阻挡层，通过该反射阻挡层阻挡终端探测器穿透介质层照射到前层金属层上的光，降低了前层金属层的反射光对设备控制端的影响。
  • 后端结构形成方法
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