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[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610128530.3有效
发明人：纪登峰;杨俊;邵群;胡宗福;刘洪涛;刘浩;钱志刚;王晨骁;肖中强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，基底具有中心区域和边缘区域；在基底上由下到上依次形成金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层；刻蚀金属材料层、牺牲材料层和阻挡材料层直至暴露出基底表面，在中心区域和边缘区域形成金属层、牺牲层和阻挡层；形成覆盖阻挡层和基底的第一层间介质层；平坦化第一层间介质层直至暴露出中心区域和边缘区域阻挡层的顶部表面；刻蚀去除阻挡层和部分厚度的第一层间介质层，且使第一层间介质层的顶部表面与牺牲层的底部表面齐平；去除牺牲层后，形成覆盖金属层和第一层间介质层的第二层间介质层。
半导体器件形成方法

[发明专利]互连结构的制造方法-CN201110427588.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构的制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成金属层、金属阻挡层和介质层；在所述介质层中形成多个凹槽；去除所述凹槽顶部的部分介质层材料，增大所述凹槽顶部的水平宽度；去除凹槽底部的金属阻挡层，露出金属层；向所述凹槽中填充金属材料，形成金属互连线；去除位于金属互连线之间的介质层材料，形成由相邻金属互连线和金属阻挡层围成的孔洞；向所述孔洞中填充金属阻挡层材料，形成空气隙。
互连结构制造方法

[发明专利]一种具备防止铜扩散结构的半导体制造方法-CN202211355922.5在审
发明人：花蔚蔚;曾海 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种具备防止铜扩散阻挡层结构的半导体制造方法，包括：沉积介质层；对介质层进行刻蚀，以开出沟槽；于沟槽沉积第一扩散阻挡层；于第一扩散阻挡层上方形成铜金属层；对铜金属层进行研磨，使呈现碟型结构；以带负偏压的沉积方式在铜金属层表面沉积第二扩散阻挡层；以及对第二扩散阻挡层进行研磨。本申请通过在铜线工艺中以带负偏压的工艺形式沉积金属阻挡层并覆盖在化学研磨后裸露的铜金属表面，与侧边及底部对铜金属形成全包围结构，能够完全防止孔洞现象，故可有效抑制因孔洞问题而导致的铜扩散现象，从而防止后续工艺中出现铜污染
一种具备防止扩散结构半导体制造方法

[发明专利]三银镀膜玻璃-CN202011416468.0在审
发明人：吕宜超;刘莹;谭小安;宋宇;熊建;黄颖;周泓崑 -专利权人：深圳南玻应用技术有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开的一种三银镀膜玻璃，包括玻璃基板和依次在玻璃基板同一侧面上形成的第一介质层、第一打底层、第一功能层、第一金属阻挡层、第二介质层、第二打底层、第二功能层、第二金属阻挡层、第三介质层、第三打底层、第三功能层、第三金属阻挡层、第四介质层，其中，第二介质层包括依次排布的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一金属阻挡层相邻，第二上子介质层与第二打底层相邻；第三介质层包括依次排布的第三下子介质层、第三中间层、第三上子介质层，第三下子介质层与第二金属阻挡层相邻，第三上子介质层与第三打底层相邻；第二中间层、第三中间层分别选自于铜镍合金、铜钛合金、铜铬合金以及铜锌合金。
镀膜玻璃

[实用新型]一种低辐射镀膜玻璃-CN201621039199.X有效
发明人：董清世;齐雪松;李焕生;马秀军 -专利权人：信义玻璃(天津)有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型属于特种玻璃技术领域，提供一种低辐射镀膜玻璃，包括沿玻璃基板表面从内之外依次连接的第一基层电介质层、第二基层电介质层、第一功能银层、第一阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第二阻挡层、第二功能银层、第三阻挡层、第一上层电介质层、第二上层电介质层和外层保护层；这样设计可以解决现有的特种玻璃不能钢化加热导致生产效率低，生产成本高的问题。
一种辐射镀膜玻璃

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111239904.6在审
发明人：刘洋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上，所述第一介质层包括第一互连孔；第一阻挡层，覆盖所述第一互连孔的内壁和底部；第一金属层，位于所述第一互连孔内；第二阻挡层，覆盖第一金属层的顶部表面的边缘区域；第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层包括第二互连孔，第二互连孔暴露出所述第一金属层部分顶部表面，且所述第二互连孔底部的尺寸小于所述第一互连孔顶部的尺寸；第三阻挡层，覆盖所述第二互连孔的侧壁，且所述第三阻挡层与所述第二阻挡层接触；第二金属层，位于所述第二互连孔内，且所述第二金属层与所述第一金属层直接接触。所述半导体结构的金属层之间的接触电阻减小。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]铜电镀方法-CN202110340987.1在审
发明人：杨钰;赵正元;李虎 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜电镀方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和硬掩模层，所述硬掩模层和所述层间介质层内形成有沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部及所述硬掩模层的表面形成阻挡层和/或种子层，所述沟槽的开口处的所述阻挡层和/或所述种子层内形成有突起；刻蚀部分厚度的所述阻挡层和/或种子层，以缩小所述突起；进行电化学镀填充工艺，在所述沟槽内形成铜互连层。本发明通过刻蚀部分阻挡层和/或种子层以减小阻挡层和/或种子层在沟槽开口处形成的突起，扩大后续电化学镀工艺的工艺窗口，从而减少甚至避免铜电镀填充时产生空洞。
电镀方法

[发明专利]栅极结构、半导体器件和两者的形成方法-CN201210246111.1无效
发明人：杨红;王文武;殷华湘;闫江;马雪丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成界面层；在所述界面层上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成吸氧元素保护层；进行金属化后退火；进行刻蚀，直至露出所述刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成功函数调整层；以及在所述功函数调整层上形成栅层。本公开实施例提供的栅极结构形成方法能够有效降低等效栅氧化层厚度。
栅极结构半导体器件两者形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310157828.3有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括在第一鳍部的源区和漏区形成半导体层，半导体层覆盖第一鳍部的顶部表面、和部分侧壁表面，且半导体层具有凸起的第一棱角和第二棱角，第一棱角位于第一鳍部的顶部表面，第二棱角位于第一鳍部的侧壁表面；在基底、第一鳍部和半导体层表面形成阻挡层，阻挡层填充于相邻第二棱角之间的空间，使相邻的第二棱角之间由阻挡层连接；在阻挡层表面形成介质层，介质层内的第一开口暴露出至少两个相邻的第一棱角表面的阻挡层，且第一开口的侧壁与阻挡层相接触的位置高于第二棱角的水平位置；刻蚀第一开口底部的阻挡层直至暴露出半导体层表面为止，在第一开口内的半导体层表面形成第一导电层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]栅极的制备方法-CN201610828370.3有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，部分半导体衬底的表面具有伪栅极，伪栅极包括依次层叠的介电层、第一高k介质层、阻挡层及多晶硅层；沉积第二高k介质层，第二高k介质层覆盖剩余的半导体衬底及伪栅极的侧壁和顶壁；刻蚀第二高k介质层，使得第二高k介质层在至少部分阻挡层的侧壁形成缓冲层；形成侧墙，侧墙覆盖缓冲层及伪栅极的侧壁；沉积层间介质层，层间介质层覆盖半导体衬底及侧墙，且多晶硅层暴露在层间介质层之外；去除多晶硅层，形成沟槽；在沟槽中填充金属层，形成金属栅极。本发明中，在阻挡层的侧壁形成缓冲层，缓冲层将阻挡层的部分侧壁包围，从而提高伪栅极侧壁的平整度，改善器件的性能。
栅极制备方法

[发明专利]一种化学机械研磨的方法-CN201110034120.X无效
发明人：邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有介质层，所述介质层内包含通孔和/或沟槽；在介质层上及通孔和/或沟槽的侧壁和底部形成阻挡层；在阻挡层上形成金属层，且所述金属层填充满通孔和/或沟槽内；对所述金属层进行研磨至露出阻挡层；采用第一研磨液研磨去除部分厚度的阻挡层；采用第二研磨液研磨剩余阻挡层至露出介质层，所述第二研磨液中所含氧化物研磨颗粒的数量及直径小于所述第一研磨液中所含氧化物研磨颗粒的数量及直径
一种化学机械研磨方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010762860.4在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上有栅极结构，栅极结构两侧的基底内有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上有第一介质层，沿栅极结构延伸方向，基底包括多个相邻的器件单元区；在器件单元区交界处的第一介质层顶部形成阻挡层；以阻挡层为掩膜刻蚀部分厚度的第一介质层，在栅极结构两侧的第一介质层中形成露出源漏掺杂层顶部的开口；在开口露出的源漏掺杂层顶部形成底部源漏插塞；在底部源漏插塞顶部形成第二介质层，第二介质层覆盖阻挡层侧壁；在第二介质层内形成电连接底部源漏插塞的顶部源漏插塞，相邻器件单元区中的顶部源漏插塞通过阻挡层相隔离。本发明通过阻挡层提高了顶部源漏插塞与相对应的底部源漏插塞的对准精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种具有高k栅介质层和硅化物栅电极的半导体器件的制造方法-CN200510129150.3有效
发明人： M·多茨;J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;M·梅茨;S·达塔;R·仇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成高k栅介质层，在该高k栅介质层上形成阻挡层，和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。
一种具有介质硅化物栅电极半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201711213534.2在审
发明人：韩秋华;蒋晓钧;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和与之相邻的第二区域，半导体衬底表面覆盖有层间介质层、贯穿第一区域上方层间介质层的第一伪栅、贯穿第二区域上方层间介质层的第二伪栅；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖层间介质层、第一伪栅和第二伪栅的顶部表面；形成覆盖硬掩膜层顶部表面的阻挡层，避免后续刻蚀硬掩膜层时，硬掩膜层中的元素进入光阻层；在阻挡层表面形成光阻层，光阻层暴露出第二区域上方的阻挡层；以光阻层为掩膜去除第二区域上方的阻挡层；去除光阻层；和以阻挡层为掩膜去除硬掩膜层。在硬掩膜层与光阻层之间形成阻挡层，避免了刻蚀硬掩膜层时，氮原子扩散进入光阻层中破坏其尺寸结构。
硬掩膜层光阻层阻挡层第二区域伪栅介质层去除半导体器件第一区域顶部表面上方层衬底刻蚀掩膜半导体半导体衬底表面层间介质层阻挡层表面尺寸结构氮原子覆盖层贯穿覆盖扩散暴露

[发明专利]互连结构及其制备方法-CN201911244975.8有效
发明人：韦玲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种互连结构及其制备方法；包括如下步骤：提供介质层；于介质层内形成互连通孔；于互连通孔的侧壁及底部形成阻挡层；使用氢等离子体对阻挡层表面进行预处理；于阻挡层的表面形成浸润层；于浸润层的表面形成成核层；于互连通孔内形成导电层，以形成互连结构。上述互连结构的制备方法中，在形成浸润层之前先使用氢等离子体对阻挡层表面进行预处理，可以去除阻挡层表面自然形成的氧化层，可以有效促进浸润层及成核层成核，减少成核时间；可以有效避免成核层的剥落；可以有效降低接触电阻
互连结构及其制备方法