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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210409910.X在审
发明人： 卢越野;刘轶群 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有垂直堆叠的多个相互间隔的沟道层，沟道层上依次形成有电介质层与第一阻挡层，电介质层包覆沟道层，第一阻挡层包覆电介质层；形成含硅的第二阻挡层，第二阻挡层包覆第一阻挡层，且第二阻挡层的材质还包括钛、钽或氮中的一种或多种；进行热处理，使第二阻挡层中的硅与第一阻挡层相结合以起到阻挡的作用。所述第二阻挡层不易晶化团聚的特点可以防止第二阻挡层在热处理过程中封闭相邻沟道层之间的通道，从而解决沟道层之间的间隔中有残留存在的问题。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN202111653373.5在审
发明人： 卢越野;刘轶群 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，其中半导体器件结构的制备方法包括：提供晶体管基底以及器件单元，器件单元包括位于NMOS区域的NMOS器件单元和位于PMOS区域的PMOS器件单元，NMOS器件单元和PMOS器件单元分别包括多个相互间隔的纳米层；形成牺牲层和第一光刻胶层于器件单元上，牺牲层还填充部分纳米层之间的间隔；去除PMOS区域的第一光刻胶层和牺牲层；去除NMOS区域的第一光刻胶层；形成功函数层和第二光刻胶层于NMOS区域的牺牲层和PMOS器件单元上，功函数层还填充PMOS器件单元中的纳米层之间的间隔；去除NMOS区域的第二光刻胶层、功函数层及牺牲层。本发明的半导体器件结构的制备方法能够解决纳米层之间的间隔中功函数层残留的问题。
半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN202111653351.9在审
发明人： 卢越野;刘轶群 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，其中所述半导体器件结构的制备方法包括以下步骤：提供晶体管基底以及器件单元，器件单元包括位于晶体管基底的NMOS区域的NMOS器件单元和位于晶体管基底的PMOS区域的PMOS器件单元，NMOS器件单元和PMOS器件单元分别包括多个相互间隔的纳米层，所述纳米层的表面生长有功函数层；依次形成牺牲层和抗反射层于所述器件单元上，所述牺牲层还填充部分所述纳米层之间的间隔；光刻并刻蚀所述NMOS区域的抗反射层和牺牲层，以裸露出所述NMOS器件单元中的所述纳米层的功函数层；去除所述NMOS器件单元中的所述纳米层的功函数层。本发明的半导体器件结构的制备方法能够解决纳米层之间的间隔中抗反射层残留的问题。
半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111681786.4在审
发明人： 卢越野;刘轶群 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中所述半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆包括至少一个长沟道源漏极预设区和短沟道源漏极预设区；形成掩膜层于晶圆的上表面，且短沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度大于长沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度；去除部分掩膜层，使得长沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度少于设定值；将第一掺杂离子注入晶圆的上表面；将第二掺杂离子注入晶圆的上表面；刻蚀晶圆，以在所述晶圆的长沟道源漏极预设区和短沟道源漏极预设区形成沟槽结构；在沟槽结构中生长半导体材料，以形成源区和漏区。通过本发明的半导体器件的制备方法能够改善长沟道区的半导体材料生长的厚度。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种透过率可调的车窗及车窗热控系统-CN201510446321.9有效
发明人：李垚;卢越野;潘磊;赵九蓬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： B60J1/00 文献下载
摘要：一种透过率可调的车窗及车窗热控系统，它涉及一种车窗及其热控系统。为解决现有车辆在露天泊车时车辆因受到日光直射而迅速升温，而现有车载控温技术高能耗，无法连续工作且灵活性差的问题。本发明中车窗的两片透明板材具有间隙，多个介质颗粒均位于两片透明板材之间，填充介质液填充在多个介质颗粒之间的空隙中，填充介质液的折射率与介质颗粒的折射率相等，介质颗粒的折射率大于1.4；本发明中车窗热控系统的工作腔体与两片透明板材的间隙相连通，驱动电机为推拉组件提供在工作腔体内往复运动的动力，控制器的控制信号输出端连接电机的控制信号输入端，电机的驱动信号输出端连接推拉组件的驱动信号输入端。本发明用于车辆的降温。
车窗介质颗粒热控系统透明板材折射率填充推拉组件介质液可调的透过率控制信号输出端控制信号输入端驱动信号输出端驱动信号输入端工作腔体连接电机驱动电机迅速升温控制器直射工作腔泊车控温相等日光电机体内露天

[发明专利]一种车窗热控系统及利用该系统实现的车内温度调节方法-CN201510446255.5有效
发明人：李垚;卢越野;潘磊;赵九蓬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B60J1/00 文献下载
摘要：一种车窗热控系统及利用该系统实现的车内温度调节方法，它涉及一种车窗及其车内温度调节方法。本发明为解决现有车辆在露天泊车时车辆因受到日光直射而迅速升温，而现有车载控温技术高能耗，无法连续工作且灵活性差的问题。本发明中工作腔体与两片透明板材的间隙相连通，填充介质液流动在工作腔体和两片透明板材的间隙之间，控制器的控制信号输出端连接驱动电机的控制信号输入端，驱动电机的驱动信号输出端连接推拉组件的驱动信号输入端。本发明中车内温度调节方法包括步骤一：车窗通过光线模式转变为车窗反射光线模式；步骤二：车窗反射光线模式转变为车窗透过光线模式的过程。本发明用于车辆的降温。
车窗温度调节车内反射光线工作腔体模式转变驱动电机热控系统透明板材系统实现控制信号输出端控制信号输入端驱动信号输出端驱动信号输入端推拉组件迅速升温控制器直射介质液泊车控温填充日光露天流动

[发明专利]一种利用层层吸附快速组装胶体晶体的方法-CN201510412510.4有效
发明人：李垚;卢越野;潘磊;赵九蓬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：一种利用层层吸附快速组装胶体晶体的方法，涉及一种胶体晶体的组装方法。本发明是要解决现有方法制备的胶体晶体结合强度差，方法时间长，层数不可控的问题。方法一、将带电胶体微球分散在溶剂中，获得胶体微球分散液；二、对基板进行表面处理，获得不同电性的带电基板，将带电基板浸入带有相反电荷的胶体微球分散液中；三、对基板施外加作用力；四、将基板浸入与基板相同电荷的胶体微球分散液中；五、对基板施外加作用力；六、重复步骤二至五直至得到所需的结构和厚度，即完成。本方法提高了胶体晶体层的强度及与基板的结合力，且用时较短。本发明用于组装胶体晶体。
一种利用层层吸附快速组装胶体晶体方法

[发明专利]一种三维有序大孔微电极的制备方法-CN201310262843.4有效
发明人：赵九蓬;李垚;丁艳波;卢越野;应坤;吕东锴;杨昊崴 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种三维有序大孔微电极的制备方法，它涉及一种三维有序大孔微电极的制备方法。本发明要解决制备的微电极无法实现电极的多功能化的问题。本发明的方法为：配置聚苯乙烯胶体微球乳液，将金属丝插入其中制得聚苯乙烯胶体晶体模板，向其中填充目标物质，去除模板，得到表面生长有反蛋白石结构的金属纤维，然后将其插入到带有规则孔洞的金属板中，形成阵列结构的微电极或者编织成网格状微电极。本发明弥补现有微电极未考虑电极材料表面微结构以及难以实现大规模集成化应用的缺陷，利用微电极微观上的大比表面积和宏观上的阵列及网状结构对空间的高效利用，实现能量高效稳定的转化，为新型微电极的制备提供新的思路。
一种三维有序微电极制备方法

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