[实用新型]一种半导体多层芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202320118495.2 申请日: 2023-02-01
公开(公告)号: CN218827110U 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 陆金发 申请(专利权)人: 江西安芯美科技有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/544
代理公司: 广州大象飞扬知识产权代理有限公司 44745 代理人: 蒋静
地址: 337000 江西省萍乡*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型涉及半导体技术领域,且公开了一种半导体多层芯片封装结构,包括:第一芯片,第一焊盘区固定连接在第一芯片的顶部,第一氧化层区固定连接在第一芯片的顶部,半导体衬底固定连接在第一芯片的底部且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,第二焊盘区固定连接在半导体衬底的第一表面且和第一焊盘区贴合,第二氧化层区固定连接在半导体衬底的第二表面。该一种半导体多层芯片封装结构,可以避免在芯片和衬底之间制作凸块结构并采用有机填料填充所带来的热膨胀系数差异的问题,提升了芯片封装的长期可靠性,通过引入位于对位标记之上的半密封空腔,能够保护对位标记不被塑封料挡住,消除对位失败的问题。
搜索关键词: 一种 半导体 多层 芯片 封装 结构
【主权项】:
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