[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202311135443.7 | 申请日： | 2023-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN116884947A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李宗怿;罗富铭;唐彬杰;潘波;杨文豪;钱佳成 | 申请（专利权）人： | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 樊倩 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构，包括：晶圆级桥接载体，以及分别位于晶圆级桥接载体的上下表面的第一层结构和第二层结构。晶圆级桥接载体包括：介电图案层，设有多个通孔；金属走线层，嵌设于介电图案层的各通孔中。其中，第一层结构和第二层结构通过金属走线层电性连接。本公开利于缩短半导体封装结构中各层结构之间数据的传输路径，提高数据传输效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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