[发明专利]一种半导体硅片局部掺杂装置在审
| 申请号： | 202310863210.2 | 申请日： | 2023-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116631916A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 邱少灵;李丹;尹慧 | 申请（专利权）人： | 武汉誉辰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/265;H01L21/263 |
| 代理公司： | 武汉中知诚业专利代理事务所(普通合伙) 42271 | 代理人： | 孙黄莹 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体硅片局部掺杂装置，包括掺杂装置本体，所述掺杂装置本体包括传送带、掺杂箱、高温分解机构和离子注入机构，所述传送带的表面开设有多个定位孔，每个所述掺杂箱的底部均设置有定位柱，且掺杂箱通过定位柱嵌入到定位孔上，所述掺杂箱的内部安装有独立的半导体硅片，且半导体硅片以垂直的形式插入到掺杂箱的中间位置上，该半导体硅片局部掺杂装置将每个半导体硅片放置到独立的掺杂箱内部，随着传送带移动到高温分解机构的内部后进行掺杂处理，通过垂直放置能够同时对半导体硅片的两面进行掺杂加工，通过封闭组件能够将掺杂箱的内部空间进行遮挡封闭，使内部形成近似密封的空间，提高了掺杂融合的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 局部 掺杂 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
