[发明专利]钙钛矿薄膜的制作方法及钙钛矿电池在审

专利信息
申请号: 202310728613.6 申请日: 2023-06-19
公开(公告)号: CN116669503A 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 邱开富;牛闯;王永谦;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
主分类号: H10K71/10 分类号: H10K71/10;H10K71/12;H10K85/50;H10K30/50;H10K30/40;H10K30/80
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王晓玲
地址: 322009 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供了一种钙钛矿薄膜的制作方法及钙钛矿电池。该方法包括:提供第一钙钛矿前体和第二钙钛矿前体,第一钙钛矿前体中至少含有有机阳离子或第一金属阳离子,第二钙钛矿前体中至少含有第二金属阳离子,第一金属阳离子与第二金属阳离子价态不同,第一钙钛矿前体和第二钙钛矿前体为液态和/或气态;采用化学气相输运法将第一钙钛矿前体和第二钙钛矿前体输运至半导体基底的第一表面上进行反应,形成钙钛矿前驱体薄膜;对钙钛矿前驱体薄膜进行热处理,形成钙钛矿薄膜,钙钛矿薄膜的材料表达式采用ABX3表达,其中,A为有机阳离子或第一金属阳离子,B为第二金属阳离子,X为卤离子。采用上述方法能够大幅提高钙钛矿薄膜的薄膜质量。
搜索关键词: 钙钛矿 薄膜 制作方法 电池
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310728613.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种成膜设备及有机膜层的制备方法-202111191081.4
  • 曾苏伟 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-10-13 - 2023-10-17 - H10K71/10
  • 本发明提供一种成膜设备及有机膜层的制备方法,成膜设备包括:恒温室,包括第一反应釜,第一反应釜包括第一气体输入端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端;成膜室,包括喷嘴及承载台,喷嘴与第一超临界流体输出端相连通;第一气体输入端为气体进入第一反应釜的通道,有机材料输入端为有机材料进入第一反应釜的通道,第一反应釜具有恒定的温度和压强并用于将气体转换为超临界流体,超临界流体用于溶解有机材料,第一超临界流体输出端用于将溶解有有机材料的超临界流体输送至喷嘴,喷嘴用于将溶解有有机材料的超临界流体喷出,以在承载台上形成有机膜层。该成膜设备及有机膜层的制备方法能够避免使用大量有机溶剂,成膜工艺更为简单。
  • 用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法-202280009075.9
  • 柳明勋;金宰范;韩德基 - 丰元精密株式会社
  • 2022-01-19 - 2023-09-15 - H10K71/10
  • 本发明涉及一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法,更详细地,提供一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置,其特征在于,包括:对准基准部,形成有至少两个对准基准点,所述对准基准点位于与对准标记重叠的位置;以及摄像装置,安装在能够拍摄所述对准基准部与对准标记的重叠状态的位置,其中,所述对准基准点中的至少一个与形成在多个光掩模中的第一光掩模上的对准标记重叠,并且剩余的对准基准点与形成在第二光掩模上的对准标记重叠,所述第二光掩模与所述第一光掩模相邻地对准。
  • 用于显示装置的基板的线路制作方法-202111214038.5
  • 邓通 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-10-19 - 2023-09-05 - H10K71/10
  • 本申请公开一种用于显示装置的基板的线路制作方法,包括将具有多条槽缝的掩膜板对位贴合于基板的线路区;利用喷印技术将喷印原料喷印于掩膜板的多条槽缝内,使喷印原料附着于线路区上;将掩膜板自基板移除;以及固化线路区上的喷印原料,以形成多条线路,从而提升线路制作的效率及精度,并可增加线路的良率。
  • 晶体管及其制造方法-201910879619.7
  • 孟令款;张志勇;彭练矛 - 北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
  • 2019-09-18 - 2023-08-25 - H10K71/10
  • 本申请公开了一种晶体管及其制造方法,主要包括:在衬底上形成碳纳米管;在碳纳米管上形成栅叠层结构;形成覆盖栅叠层结构的侧墙;形成至少覆盖侧墙的牺牲层;形成覆盖碳纳米管与牺牲层的金属层,部分位于源漏区域的金属层作为与碳纳米管接触的电接触;去除金属层的一部分以暴露牺牲层;以及去除牺牲层以暴露侧墙。在该制造方法中,当形成金属层时,金属层将会直接覆盖在牺牲层与碳纳米管上,经过牺牲层的隔离,避免了侧墙与金属层直接接触,通过去除牺牲层将覆盖在牺牲层上的金属层与器件分离,形成了源漏接触结构,以便源漏金属能够有效地与碳纳米管产生良好的浸润性,实现低电阻的欧姆接触。
  • 富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管-202010449299.4
  • 张秀娟;邓巍;揭建胜;卢正军 - 苏州大学
  • 2020-05-25 - 2023-07-28 - H10K71/10
  • 本发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管,制备方法包括以下步骤:提供一氧化硅片作为基底;在基底上设置绝缘层;在绝缘层上沉积光刻胶,并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻,以在基底上构筑三维立体通道;配置C60溶液,将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中,并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来,以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法,可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单,有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长,适合大面积推广应用。
  • 内嵌量子点的钙钛矿材料、制备方法及应用、晶体管及制备方法-202310378425.5
  • 陶治;滕龙;雷春;陶冶;刘向 - 南京信息工程大学
  • 2023-04-11 - 2023-07-14 - H10K71/10
  • 本发明属于光电子技术领域,具体涉及一种内嵌量子点的钙钛矿材料、制备方法及应用、晶体管及制备方法。内嵌量子点的钙钛矿材料的制备方法包括,形成种子层;所述种子层包括由第一前驱体的颗粒组成的孤岛层以及位于孤岛层内的量子点;将种子层置于钙钛矿的前驱体溶液中,第一前驱体与钙钛矿的前驱体发生反应,形成内嵌量子点的钙钛矿材料。本发明制备得到的内嵌量子点的钙钛矿材料可用于制备具有内场增益的光电晶体管器件,在偏振光相位选择方面具有突出性能。
  • 一种调控共蒸MAPbI3-202310350391.9
  • 刘明侦;杨云云;李发明 - 电子科技大学
  • 2023-04-04 - 2023-06-23 - H10K71/10
  • 本发明提供一种简单易操作的调控共蒸MAPbI3薄膜微应变的方法,属于钙钛矿太阳能电池领域领域,通过旋涂的方式将功能性的内盐分子旋涂于PTAA空穴传输层上,作为MAPbI3薄膜沉积的基底。内盐分子一端具有芳香基团(喹啉或咪唑或吡啶)可以锚定钙钛矿晶格,有效地降低了薄膜中的微应变,同时另一端的磺酸基团具有缺陷钝化作用。以基于内验功能层修饰的共蒸沉积的MAPbI3薄膜作为吸光层的太阳能电池的电流密度得到显著提高,最终实现了器件效率的增长。本发明避免了通过复杂的工艺参数来调控薄膜的晶体性质,为在气相沉积领域调控钙钛矿薄膜的微应变提供了一种简单易操作的方法。
  • 一种基于磷酸基小分子的钙钛矿薄膜及其制备方法与光伏电池应用-202310034966.6
  • 何祝兵;李兆宁;谭骎 - 南方科技大学
  • 2023-01-10 - 2023-05-02 - H10K71/10
  • 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域,公开了一种含磷酸基小分子添加剂的钙钛矿薄膜及其制备方法、反式钙钛矿太阳能电池,包括以下步骤:S1、将金属卤化物和有机铵盐卤化物溶解于有机溶剂中,制成钙钛矿ABX3前驱体溶液,其中,A为Cs+、甲胺离子或甲脒离子,B为Pb2+,X为卤素离子,包括Cl,Br,I;S2、将磷酸基小分子添加剂加到S1的钙钛矿前驱体溶液中,制成含有小分子掺杂的前驱体溶液;S3、将S2的含有小分子掺杂的前驱体溶液在导电基底上进行沉积,退火后得到钙钛矿薄膜。本发明使用磷酸基小分子添加剂,实现无空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池器件的制备,该电池器件具有优异的光伏性能,光电转化效率超过25%,表现出优异的长期稳定性。
  • 掩模支撑模板和其制造方法及掩模与框架连接体的制造方法-201911156878.3
  • 李炳一;张泽龙 - TGO科技株式会社
  • 2019-11-22 - 2023-05-02 - H10K71/10
  • 本发明涉及掩模支撑模板和其制造方法及框架一体型掩模的制造方法。本发明涉及的掩模支撑模板的制造方法,该掩模支撑模板(50)用于支撑OLED像素形成用掩模(100)并将该掩模(100)对应至框架(200)上,该方法的特征在于包括:(a)在一面形成有临时粘合部(55)的模板(50)上粘合掩模金属膜(110)的步骤;(b)缩减在模板(50)上粘合的掩模金属膜(110)的掩模单元部(CG)的厚度的步骤;以及(c)通过在掩模单元部(CG)上形成掩模图案(P)来制造掩模(100)的步骤。
  • 一种碳纳米管复合电荷产生层及其制备方法、叠层OLED器件-202211658367.3
  • 李雪原;吕磊;朱平;李维维;刘胜芳;赵铮涛 - 安徽熙泰智能科技有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-04-21 - H10K71/10
  • 本发明提供的一种碳纳米管复合电荷产生层及其制备方法和在叠层OLED器件的应用,制备方法为:将三氧化二铁负载碳纳米管复合材料置于溶剂中,得到的溶液喷涂于基底表面,干燥,得到改性基膜;将改性基膜置于固定方向、固定频率的磁场下,获得碳纳米管取向性排列的改性基膜;采用高真空蒸镀的方式制备得到碳纳米管复合电荷产生层。与现有技术相比,本发明的通过获得规律排列的碳纳米管材料,运用其轴向导电性远远高于径向导电性的特性,使用传统的蒸镀工艺,通过热蒸发的方式,将CGL制备在排布规律的碳纳米管层之上即可。从而降低CGL的电学串扰(横向导电性),提升叠层OLED器件的性能。
  • 一种修复剂及其修复方法和制备光电薄膜的方法-201910508164.8
  • 请求不公布姓名 - 杭州纤纳光电科技有限公司
  • 2019-06-12 - 2023-04-07 - H10K71/10
  • 本发明涉及一种修复剂,包括为咪唑盐类离子液体、吡啶盐类离子液体、季铵盐类离子液体、季鏻盐类离子液体、吡咯烷盐类离子液体、哌啶盐类离子液体、功能化离子液体、与碘离子通过氢键络合的有机物、二茂铁类有机物、金属酞菁化合物、金属乙酰丙酮化合物、有机金属、卤键化合物以及有机硼化物中的至少一种。本发明还公开一种使用该修复剂制备光电薄膜的方法。本发明将修复剂沉积在光电薄膜与其接触的界面材料之间,为修复剂与光电薄膜材料提供了一个均匀稳定的反应环境,可在制备过程中控制光电薄膜的晶体生长,极大地改善了光电薄膜的稳定性。
  • 一种功能基元序构钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池器件-202211259982.7
  • 鲁建峰;王玉龙;吕品 - 武汉理工大学
  • 2022-10-14 - 2023-01-31 - H10K71/10
  • 本发明公开了一种功能基元序构钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池器件。本发明通过采用二维钙钛矿基元和三维钙钛矿基元有序交替堆叠构建功能基元序构钙钛矿薄膜;二维钙钛矿基元层插入在两层三维钙钛矿基元层之间,通过序构功能基元,二维钙钛矿基元能够将卤素离子约束在三维钙钛矿层的有限空间内;伴随着二维钙钛矿阻隔基元层数的增加,三维钙钛矿内部卤素离子在昼夜交替下的循环往复迁移逐级降低,进而增强钙钛矿太阳能电池的运行稳定性能,缓解器件的疲劳行为。通过二维钙钛矿/三维钙钛矿的有序堆叠和各基元的优化与序构的匹配,有望从根源上解决离子迁移带来的众多稳定性问题。
  • 一种钙钛矿器件制备设备-202222745937.4
  • 徐志斌;刘政;朱颖辉 - 苏州方昇光电股份有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-01-20 - H10K71/10
  • 本实用新型涉及一种钙钛矿器件制备设备,包括反应箱体和蒸镀箱体;所述反应箱体内部水平设置有第一隔板,所述第一隔板将所述反应箱体由上至下分隔为反应腔和存料腔;所述存料腔内部竖直设置有第二隔板,将所述存料腔分隔为药液槽和冷井;所述药液槽内设有雾化柱用于反应药液的雾化,所述冷井用于回收所述反应药液;所述蒸镀箱体密封时其内部形成蒸镀腔,所述蒸镀腔与所述反应腔之间设有连接通道,所述连接通道通过闸板阀控制通断;本实用新型通过控制蒸镀及反应时间精准控制膜厚,多次循环形成稳定的单晶钙钛矿薄膜,减少钙钛矿器件表面缺陷,提高制备效率,同时通过冷井形成反应药液从雾化到冷凝回流的循环,节省药液。
  • 一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法-202211086366.6
  • 马啸尘;杨芳伟;徐晨;钱峰松;胡良臣 - 北京工业大学
  • 2022-09-06 - 2023-01-10 - H10K71/10
  • 本发明公开了一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法,首先在金属箔背面以及衬底表面分别制备金属箔接触层和衬底接触层,使用压合机将金属箔和衬底的接触层在一定的温度和压力条件下进行压合。压合后的金属箔的衬底被置于多温区独立调控的热CVD系统中进行低温生长石墨烯,对压合在衬底上的单晶金属箔上原位生长的石墨烯直接进行图形化光刻,并依次通过干法刻蚀和自对准湿法刻蚀工艺,依次实现石墨烯膜层固定,石墨烯图形化以及金属箔和接触膜层的去除,通过去除石墨烯上的光刻胶和PMMA实现在衬底上原位制备图形化石墨烯。该方法适用于石墨烯基在大面积衬底上的低温免转移制备,有利于推进石墨烯的商业化广泛应用。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top