[发明专利]一种甲脒基钙钛矿薄膜、钙钛矿电池组件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110109281.4 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN112952003A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 黄福志;卜童乐;程一兵 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 庆之
地址: 430063 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种甲脒基钙钛矿薄膜、钙钛矿电池组件及其制备方法,所述甲脒基钙钛矿薄膜的制备原料包括甲脒基钙钛矿前驱体溶液,所述钙钛矿前驱体溶液包含钙钛矿组分和高施主数溶剂;将所述甲脒基钙钛矿前驱体溶液进行涂布,经干燥、退火处理后得到甲脒基钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿前驱体溶液中含有高施主数溶剂,所述高施主数溶剂与钙钛矿前驱体溶液中的钙钛矿组分按照特定比例进行组合,能够在成膜过程中形成稳定致密的过渡相晶核,并抑制非活性的黄相甲脒基钙钛矿的生成,有利于提高大面积钙钛矿薄膜的质量,从而提高钙钛矿电池组件的光电转化效率。
搜索关键词: 一种 甲脒基钙钛矿 薄膜 钙钛矿 电池 组件 及其 制备 方法
【主权项】:
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