[发明专利]一种修复钙钛矿薄膜缺陷的方法有效

专利信息
申请号: 201910554385.9 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN111435708B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 杭州纤纳光电科技有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 杨文华
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种修复钙钛矿薄膜缺陷的方法,包括如下阶段:阶段一,对已经制备的钙钛矿薄膜进行预处理,再采用喷涂法在钙钛矿薄膜表面喷涂钙钛矿前驱体溶液,对喷涂后钙钛矿薄膜进行风干处理或低温干燥处理;阶段二,采用热蒸汽对风干后的钙钛矿薄膜进行处理;阶段三,再使用清洗溶剂对钙钛矿薄膜进行清洗,并对清洗完的钙钛矿薄膜进行溶剂干燥即得到修复后的钙钛矿薄膜。本发明通过一系列处理方法修复大面积制备后的钙钛矿薄膜缺陷,调整钙钛矿薄膜的形貌,提高钙钛矿薄膜的稳定性。
搜索关键词: 一种 修复 钙钛矿 薄膜 缺陷 方法
【主权项】:
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  • 张春福;韩瑶域;朱卫东;巴延双;陈大正;习鹤;张进成 - 西安电子科技大学
  • 2022-08-25 - 2022-12-16 - H01L51/48
  • 本发明涉及一种三维限制大面积钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列的制备方法,包括:在衬底层上制备金属阵列电极;在金属阵列电极上制备第一图形层;刻蚀金属阵列电极上的PMMA层和第一光刻胶,形成隔离槽;在隔离槽上滴加MAPbI3过饱和溶液;在第一光刻胶和MAPbI3过饱和溶液上覆盖软板;在加热的条件下,同时移除软板,以在金属阵列电极上形成MAPbI3单晶薄膜阵列;去除剩余的PMMA层和第一光刻胶,以完成钙钛矿单晶薄膜X射线探测器阵列的制备。本发明的方法制备的晶体阵列具有与块体钙钛矿型单晶相当的高晶体质量,其厚度、面积可控。
  • 一种近红外退火结晶设备-202220949066.5
  • 苏援教;李静;尹君;吴炳辉;王远哲;陈智凌;张渝柏;郑南峰 - 嘉庚创新实验室
  • 2022-04-22 - 2022-12-16 - H01L51/48
  • 本实用新型涉及一种近红外退火结晶设备,包括:壳体,所述壳体设置有相应的退火仓;若干近红外灯管,所述若干近红外灯管阵列排布于所述退火仓的顶端;反射面罩,设置于所述退火仓的上端面和若干所述近红外灯管之间,所述反射面罩朝向所述近红外灯管的一面设置为镜面;退火台板,设置于所述退火仓的下端面。本实用新型通过在退火仓内设置近红外灯管,利用近红外灯管发生的近红外线照射放置于退火台板上的半导体湿膜,从而能够使半导体湿膜吸收近红外线中的能量并迅速升温从而蒸发半导体湿膜内的水分从而结晶,达到制膜的目的,并大大缩短了退火结晶所需的时间并保证退火结晶后半导体薄膜的质量。
  • 一种以镍掺杂氧化亚铜为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法-202211178304.8
  • 李丽波;曲文华;折雨珀 - 哈尔滨理工大学
  • 2022-09-26 - 2022-12-13 - H01L51/48
  • 一种以镍掺杂氧化亚铜为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法,它涉及一种无电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明主要解决现有空穴材料成本过高以及叠层复杂的问题。本发明的方法如下:一、掺氟二氧化锡导电玻璃的清洗处理;二、在步骤一上制备钙钛矿薄膜;三、镍掺杂氧化亚铜的制备;四、在步骤二钙钛矿薄膜表面制备镍掺杂氧化亚铜薄膜作为空穴传输层;五、在步骤四镍掺杂氧化亚铜薄膜表面制备银电极层。本发明的方法制备的钙钛矿太阳能电池通过镍掺杂氧化亚铜薄膜和钙钛矿薄膜的结合配伍,省去电子传输层,尽可能最大的减少钙钛矿太阳能电池的制备成本。本发明应用于太阳能电池领域。
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