[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310678208.8 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116435275A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张加亮;郭少辉 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底；栅极结构位于衬底上；栅极结构包括：栅极、绝缘隔离侧墙及导电侧墙；栅极包括栅介质层和栅极导电层；栅介质层位于衬底的上表面；栅极导电层位于栅介质层的上表面；绝缘隔离侧墙位于栅极相对两侧的侧壁表面；导电侧墙位于绝缘隔离侧墙远离栅极的表面；源区位于衬底内，且位于栅极的一侧，并与导电侧墙相接触；漏区位于衬底内，且位于栅极远离源区的一侧，并与导电侧墙相接触。可以将导电侧墙直接与源区、漏区与导电侧墙的接触，利用导电侧墙的导电性能，实现底层器件与上层金属的互联，因此，在保证器件集成度的情况下，降低接触孔光刻带来的对准误差，提高了半导体结构的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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