[实用新型]一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 202220323357.3 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN217361555U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 郭嘉洪;郭嘉创;郭嘉智 | 申请（专利权）人： | 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/02;H01L23/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人： | 杨艳霞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华强北*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体管技术领域，且公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端固定有凸块，所述晶体管主体远离凸块的一端安装有晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极，所述晶体管主体的上方设有封盖，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极均包括相连的安装部和极板部，本实用新型通过增设、通孔、橡胶球和连接杆，在安装晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极时，只需将安装部嵌入至安装槽内即可，安装方便快捷，其次，使橡胶球穿过通孔，利用橡胶球挡住通孔的上端口，在不受外力情况下，能够有效保证安装部安装的稳定性，避免了安装部的滑脱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能耗 碳化硅 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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