[发明专利]一种深紫外LED器件封装工艺在审

专利信息
申请号: 202211545628.0 申请日: 2022-12-01
公开(公告)号: CN115863521A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 于潜行;邱幸;李世玮 申请(专利权)人: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);深圳市优威芯电子科技有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/58
代理公司: 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 代理人: 黄立强
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明一种深紫外LED器件封装工艺,属于微电子封装领域。所述封装工艺将可深紫外固化的封装材料填充进入器件内部,包裹住深紫外LED芯片;然后经过深紫外线照射固化,形成封装透镜。相对传统工艺的全氟材料封装工艺而言,该工艺具有步骤简单,性价比高,成本低廉,无毒环境友好等特点。封装材料具有较高的深紫外线穿透率和匹配的折射率,具有优良的抗老化性能,500小时深紫外透过率仍在到90%左右,稳定性良好。而且该工艺能够提升265nm深紫外线LED光功率至少30%。本发明的封装工艺可以应用于多种深紫外LED的封装。
搜索关键词: 一种 深紫 led 器件 封装 工艺
【主权项】:
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  • 本发明公开了一种表面保护的LED器件及LED器件制备方法,应用于冷光源领域,该器件包括:基板、LED芯片、填充体、设置在LED芯片的出光侧表面的荧光层、喷涂在荧光层的出光侧表面的透光保护硅胶层;LED芯片设置在基板的表面;填充体填充在LED芯片沿出光方向的侧面。本发明通过在LED芯片的出光侧表面的荧光层的出光侧表面喷涂透光保护硅胶层,能够对荧光层起到保护作用,避免了荧光层表面受损导致的LED器件色温漂移的问题,同时解决了填充白墙胶后容易发生爬胶现象,使得LED器件色坐标集中度较差的问题,提高了LED表面耐磨、耐碰撞性能,同时降低了客户对LED器件加工的难度,提高了LED器件的成品良率。
  • 一种防止发光二极管内部开路的结构-202222765024.9
  • 任远远;王霞 - 深圳市深宏电子有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-04-07 - H01L33/56
  • 本实用新型涉及LED技术领域,为了解决现有发光二极管内部开路导致死灯的技术问题,本实用新型公开了一种防止发光二极管内部开路的结构,LED芯片的正极设置有第一焊点和第二焊点,第一焊点和第二焊点分别通过导电金线与第二引线支架连接,通过第二银胶将第一导电金线和第二导电金线同时固定覆盖在第二引线支架的焊线平台进行保护,使第一导电金线和第二导电金线与第二引线支架的连接更加稳定;底部导电金线的一端与LED芯片的负极或第一银胶连接,底部导电金线的另一端与碗杯连接,底部导电金线的两端分别设置银胶的内外和外部,有效解决第一银胶与碗杯脱离形成的开路问题,及单条金线容易因高温或应力断开产生的开路问题。
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