[发明专利]具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法在审
| 申请号： | 202211444287.8 | 申请日： | 2022-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN115924928A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡亮;杨秉璋;张振乾;全清林 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反铁磁 半导体 特性 二维 硼化铁 制备 方法 | ||
【主权项】：
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