[发明专利]一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备在审
| 申请号： | 201610070644.7 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105609630A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 叶钊赫;叶建国;苗君 | 申请（专利权）人： | 唐山市众基钢结构有限公司;苗君 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 063100 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备，涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金，具有很高的有效自旋极化率，良好的半金属性，使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应，而反铁磁层采用多铁性材料，不但具备各种单一的铁性，还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应，表现出磁电耦合效应，因此，通过改变反铁磁层的厚度变化，来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用，就可以获得整个异质结构的磁性变化，获得一个具有振荡形式的交换偏置效应，基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁 薄膜 结构 制备 方法 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种铁磁‑反铁磁薄膜异质结构，包括层叠设置的反铁磁层(2)和铁磁层(3)，其特征在于：所述铁磁层(3)的材料为全哈斯勒合金；所述反铁磁层(2)的材料为多铁性材料。
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- 本实用新型公开了微纳电子和自旋电子学材料的半导体器件制备技术领域的一种室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件。所述基于室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件是一种基于室温p型磁性半导体和n型Si的p‑n结和p‑n‑p双重结器件，在n型Si上下表面镀有p型磁性半导体薄膜，形成了Au/p‑CoFeTaBo/n‑Si/p‑CoFeTaBo/Au结构的p‑n‑p结器件，具有明显的整流效应；所述电控磁器件是在单晶硅表面依次镀上一层Cr膜、Au膜、一层p型磁性半导体薄膜和HfO2绝缘氧化物薄膜；该电控磁器件通过外加门电压产生的电场效应对其磁学性能进行有效调控并与以Si为基础的半导体易实现兼容。
- 超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件-201510052492.3
- 于广华;陈喜;于泠然;张静言 - 于广华
- 2015-02-02 - 2017-07-04 - H01L43/10
- 本发明提供一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件，所述超高反常霍尔灵敏度薄膜材料包括第一Ta层，所述第一Ta层上方设置有CoxFey层，所述CoxFey层上方设置有金属氧化层，所述金属氧化层上方设置有第二Ta层，其中，0＜x＜100，x为整数，0＜y＜100，y为整数。本发明通过设置第一Ta层、CoxFey层、金属氧化层和第二Ta层，易于界面轨道杂化调控各向异性场；又由于CoxFey层中的Co和Fe原子比例可调，可进一步调控各向异性场，从而有效提高反常霍尔灵敏度。
- 一种具有垂直交换偏置效应的双层钙钛矿锰氧化物薄膜及其制备方法-201710022885.9
- 赵旭;彭勃;蔡文辉;陈伟 - 河北师范大学
- 2017-01-13 - 2017-06-30 - H01L43/10
- 本发明公开了一种具有垂直交换偏置效应的单相双层钙钛矿锰氧化物薄膜材料，其分子式为Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7。该薄膜具有本征的垂直交换偏置效应。其制备方法包括以下步骤（1）采用溶胶‑凝胶法制备所需要的Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7靶材；（2）采用脉冲激光沉积技术在（111）晶向的Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7薄膜，沉积温度为750℃，沉积氧压为20Pa，激光电压为18.0KV，沉积速率为3HZ。通过改变沉积次数可以制备不同厚度的薄膜。本发明制备方法简单、可工业化推广，在信息存储领域具有一定的应用价值。
- 一种柔性BaTiO3-CoFe2O4磁电复合薄膜-201510919794.6
- 彭建洪;毛多鹭;李海琴;包海萍;董虎林;赵元娟 - 青海民族大学
- 2016-06-06 - 2017-05-10 - H01L43/10
- 本发明公开了一种柔性BaTiO3(BTO)‑CoFe2O4(CFO)复合薄膜的制备方法，其步骤是首选阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，再置于BTO溶胶中，使其孔洞被溶胶填充，煅烧，重复上述过程数次，高温烧结后在模板中形成BTO纳米阵列薄膜；在BTO薄膜底面溅射沉积电极；去除氧化铝模板，将CFO溶胶旋涂于BTO纳米线阵列中，煅烧，重复旋涂‑煅烧过程数次，再高温烧结得到BTO‑CFO复合薄膜；对复合薄膜进行电、磁极化处理。本发明的优点是工艺简单，易于大面积制备；省去单晶基底作为牺牲材料，可大幅降低成本，另外复合薄膜不受基底钳制作用，易于提高性能；特殊结构设计，可避免漏导对电极化过程的影响。
- 一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用-201410072124.0
- 王敦辉;龚元元;都有为 - 南京大学
- 2014-02-28 - 2017-02-15 - H01L43/10
- 一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT)；Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn；二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材，压电体厚度为0.4‑0.8mm。
- 专利分类
