[发明专利]具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法在审
申请号: | 202211444287.8 | 申请日: | 2022-11-18 |
公开(公告)号: | CN115924928A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 胡亮;杨秉璋;张振乾;全清林 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C01B35/04 | 分类号: | C01B35/04;B82Y40/00 |
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地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反铁磁 半导体 特性 二维 硼化铁 制备 方法 | ||
1.具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:包括以下步骤;
步骤一,硼化铁FeB块体准备、配制电解液;
将Fe和B两种原料在氩气气氛下,按照物质的量比为1:0.5~1:2的比例,进行电弧熔炼,制备得到晶态的金属间化合物FeB合金锭;
将所述FeB合金锭冷却到环境温度,并根据晶粒的生长方向,沿着(001)晶面进行切割成块,得到晶态FeB块体;其中,(001)代表结晶学原胞的密勒指数;
对晶态FeB块体表面进行打磨并清洗干净;
将碱金属离子粉末溶解至以下三种溶剂中的任意一种之中:N,N-二甲基甲酰DMF、四氢呋喃溶剂和去离子水,得到碱金属离子电解液;
将碱金属离子电解液转移到电解池当中,使电解池的正负电极都充分浸没在电解液中;
步骤二,金属硼化物的电化学剥离:
将经打磨和清洗的晶态FeB块体连接在电解池的负电极,并保持晶态FeB块体完全浸没在电解液中;
在电解池的两极通电,通电模式为恒流模式和恒压模式中的任意一种,电解0.5~4小时,在电解液中得到减薄后的二维FeB;
步骤三,二维金属硼化物的提纯与干燥:将含有二维FeB的电解液置于离心管中,通过离心机离心清洗沉淀物,提取上清液滴在表面氧化的硅片衬底上,先通过洗耳球吹气诱导液滴粗蒸发,减小液滴大小,再放置于真空干燥箱内充分干燥,去除残留溶剂,得到具有反铁磁和半导体特性的二维FeB。
2.根据权利要求1所述的具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:所述步骤一中,所述Fe和B两种原料纯度均高于99.99%;
通过砂轮机对所述晶态FeB块体表面进行打磨并使用乙醇对打磨后的晶态FeB块体进行清洗。
3.根据权利要求1所述的具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:所述步骤一中,碱金属离子粉末为Li2SO4、Na2SO4、K2SO4、KF、KCl、LiCl、NaF中的任意一种,所述碱金属离子电解液中碱金属离子的浓度为10-1~10-3摩尔/升。
4.根据权利要求1所述的具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,在所述电解液中得到的减薄后的二维FeB,厚度为20纳米以下,横向尺寸为100微米以下。
5.根据权利要求1所述的具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:所述步骤三中,
通过所述离心机进行离心的转速为10000转/分钟,
将所述上清液滴在表面氧化的硅片衬底上时,在所述衬底上得到的液滴的体积为0.3毫升,在真空干燥箱中进行所述干燥的温度为30~80摄氏度,干燥时间控制在0.5~4小时。
6.根据权利要求1所述的具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:所述步骤三中,所述表面氧化的硅片衬底,其表面氧化层的厚度为50~300纳米。
7.根据权利要求1所述的具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,所述恒流模式下,电流大小为10~50毫安;所述恒压模式下,电压大小为1~10伏特。
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