[发明专利]半导体封装器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211401715.9 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115662973A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 许二岗;曹凯;张雷;张建平 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化物半导体封装器件包括氮化物外延叠层、至少一电极、绝缘层、导电通孔、第一金属层、第二金属层以及重配置线路层。至少一电极设于所述氮化物外延叠层上。绝缘层包覆电极与氮化物外延叠层。导电通孔设于电极上且在绝缘层内延伸。第一金属层与第二金属层，设于绝缘层上。第一金属层位于导电通孔上方且通过导电通孔与电极电性连接，且第一金属层与第二金属层隔开。重配置线路层设于第一金属层与第二金属层之间且连接第一金属层与第二金属层，其中重配置线路层具有相对的第一端部与第二端部，第一端部覆盖第一金属层，第二端部覆盖第二金属层，其中重配置线路层的材料不同于第一金属层与第二金属层的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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