[发明专利]半导体封装器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体封装器件，其特征在于，包括：

载体衬底；

第一重配置线路层，设于所述载体衬底的凹槽内；以及

高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片，设于所述凹槽内，其中所述高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片分别具有彼此相对的主动表面与背面，所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面背离所述第一重配置线路层，且所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片分别通过其对应的所述背面与所述第一重配置线路层接触，

其中所述第一重配置线路层由高于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述背面的位置沿着所述凹槽的表面延伸至所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的一侧。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，更包括介电层，其中所述介电层位于所述载体衬底与所述第一重配置线路层之间，且所述第一重配置线路层通过所述介电层与所述载体衬底隔离。

3.如权利要求2所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，其中所述载体衬底具有下表面，且所述凹槽由所述下表面的至少一部分所界定，其中所述介电层完整地覆盖所述载体衬底的所述下表面。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，更包括封装材料，填入所述凹槽以将所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片封装。

5.如权利要求4所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，其中所述第一重分配线路层包括与所述高压氮化物半导体芯片接触的第一部分与所述低压氮化物半导体接触的第二部分，其中所述封装材料的至少一部分延伸入所述第一部分与所述第二部分之间，以使所述第一重分配线路层的所述第一、第二部分隔开。

6.如权利要求4所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，更包括多个第一传导接垫以及多个第二传导接垫，

其中所述多个第一传导接垫贯穿所述封装材料，以使所述多个第一传导接垫的一部分与所述高压氮化物半导体芯片的所述主动表面接触，且所述多个第一传导接垫的另一部分与所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面接触；以及

所述多个第二传导接垫贯穿所述封装材料，以使所述多个第二传导接垫与所述第一重配置线路层接触。

7.如权利要求4所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，其中所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片通过所述封装材料隔开。

8.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，其中所述载体衬底具有第一部分与第二部分，其中所述第一部分设有所述凹槽而其平均厚度小于所述第二部分的平均厚度，所述第二部分连接所述第一部分且环绕所述第一部分。

9.如权利要求8所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，更包括第二重配置线路层，设于所述载体衬底的上表面且贯穿所述载体衬底的所述第一部分，且所述第二重配置线路层与所述高压、低压氮化物半导体芯片重叠。

10.如权利要求9所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，更包括绝缘层，与所述载体衬底的所述上表面接触并与所述第二重配置线路层共同贯穿所述载体衬底的所述第一部分，其中所述绝缘层位于所述第二重配置线路层与所述载体衬底之间。

11.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件，其特征在于，其中所述第一重配置线路层由高于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述背面的高度沿着所述凹槽的表面延伸至低于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面的高度。