[发明专利]目标版图优化方法在审

申请号：	202211343908.3	申请日：	2022-10-31
公开（公告）号：	CN115657417A	公开（公告）日：	2023-01-31
发明（设计）人：	何大权;魏芳;陈翰;张辰明	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	G03F1/36	分类号：	G03F1/36
代理公司：	上海思捷知识产权代理有限公司 31295	代理人：	张子飞
地址：	201314***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明提供了一种目标版图优化方法，包括：对第一金属层图形使用标准模型进行OPC修正得到第一OPC图形；对第一OPC图形使用工艺窗口模型模拟得到模拟图形，并从中标记出桥接图形和断线图形；选择第一金属层和桥接图形接触的第一图形边并移动第一距离得到第二金属层图形；选择第二金属层图形与断线图形接触的第二图形边并移动第二距离得到第一目标图形；选择第一目标图形与桥接图形接触的第三图形边并向图形内部方向移动第一距离，得到第三金属层图形；选择第三金属层图形与断线图形接触的第四图形边并向图形外部方向移动第二距离，得到第二目标图形；对第二目标图形基于标准模型和工艺窗口模型进行OPC修正，得到第二OPC图形。
搜索关键词：	目标版图优化方法
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摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供初始设计版图，所述初始设计版图中具有参考图形以及若干主要图形，所述参考图形具有参考边，每个所述主要图形具有若干主要边；获取搜索参数，根据所述搜索参数以所述参考边为基准确定搜索区域；当任意一个所述主要边与所述搜索区域具有重合部时，将所述主要边标记为待选边；获取筛选条件，并将符合所述筛选条件的所述待选边标记为选定边。通过所述搜索区域进行粗选操作获取若干待选边，再通过筛选条件对若干所述待选边进行进一步的细选操作，进而从若干待选边中获取最终的选定边。通过这种选边机制能够有效的排除具有干扰的所述待选边，进而减少多选或者误选，使得选边结果更加精确，提升后续光学邻近修正效果。

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摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供初始设计版图，初始设计版图中具有参考图形以及若干主要图形，参考图形具有参考边，每个主要图形具有若干主要边；以每个主要边为基准，获取第一搜索参数以确定第一搜索区域；当参考边与任意一个第一搜索区域具有重合部时，将第一搜索区域所对应的主要边标记为待选边；以参考边为基准，根据第一搜索参数获取第二搜索参数，以确定第二搜索区域；当任意一个待选边与第二搜索区域具有重合部时，将待选边标记为选定边。通过第一搜索区域和第二搜索区域的双向选边机制进行选边操作，减少多选或者误选的情况，使得选边结果更加精确，进而提升后续光学邻近修正的效果。

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摘要：本发明涉及集成电路掩模拆分技术领域，特别涉及一种版图拆分方法、装置、计算机可读介质及设备。所述版图拆分方法包括以下步骤：获取初始版图，根据预设规则将初始版图划分多个初始单元；基于预设标准将初始单元分类为大单元或小单元；对大单元进行再划分处理，获得子单元；对所述小单元及子单元进行运算并输出拆分版图。通过对面积较大、图像复杂的初始版图进行多次划分，将其划分为较小的运算单元再对所述运算单元进行运算，从而可以有效提高计算资源的利用率且有效降低运算时间。

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摘要：本申请涉及一种图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法。图形修正方法包括：获取设计图形，设计图形包括多个间隔排布的待修正图形；对设计图形进行光学临近修正，以得到多个间隔排布的初始修正图形；获取初始修正图形中违反掩模版最小规则的修正区域，并将修正区域去除；基于修正区域于初始修正图形的侧边设置条状图形；将条状图形与初始修正图形合并，以得到目标图形。本申请的图形修正方法，可以提高图形的收敛度和准确度，保证光刻的准确性，进一步保证了产品的性能。

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摘要：本发明提供一种光学临近效应的修正方法，包括：获得测试图形；基于测试图形的掩模进行曝光，获得曝光数据；基于测试图形的数据和曝光数据的对应关系建立OPC第一规则库；确定待修正版图的关键区域，并获得关键区域的图形特征参数；根据关键区域的图形特征参数对OPC第一规则库进行筛选，得到OPC第二规则库；基于OPC第二规则库修正待修正版图，得到修正后版图，基于修正后版图制作用于曝光的掩模。本发明还提供一种光学临近效应的修正装置。根据关键区域的图形特征参数对OPC第一规则库进行筛选，降低规则库中的规则数量，缩短修正的运行时间。本发明还提供一种利用上述修正方法形成的掩模，提高了曝光后图形的保真度。

应用矩阵积分法优化光刻部分相干模型的方法-202310749886.9
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摘要：本申请提供一种应用矩阵积分法优化光刻部分相干模型的方法，包括：步骤S1，部分相干光光刻成像理论模型的构建；步骤S2，部分相干光光刻成像模型的实现；步骤S3，积分法转换优化光刻部分相干成像算法。用矩阵积分法将计算光刻部分相干成像需要的四层循环转换成两层循环；或者，用矩阵积分法将等效光源的两层循环变成矩阵运算，然后将非相干叠加的两层循环采用并行算法，既缩短了光照修正的周期，也节省了光罩出版的交货期。

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摘要：一种光学临近效应矫正方法及装置、可读存储介质、终端，所述方法包括：步骤A：对待修正版图中的各个待修正图形进行分割，每个待修正图形的每条边被分割为一条或多条线段，每条线段具有至少一个控制点；步骤B：对所述待修正版图进行光刻模型仿真，根据仿真结果确定至少一部分控制点的光强误差；步骤C：基于所述光强误差和预设光强阈值，确定至少一部分光强误差对应的控制点的近似零点，并判断该控制点是否处于震荡状态，以确定该控制点的移动偏移量。本发明可以有效提高光学临近效应矫正的矫正效果。

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摘要：一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有待测量图形的原始版图；确定待测量图形的待测量位置；通过原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；获取待测量位置对应在物理晶圆图形上的关键尺寸为第一尺寸；执行检测工艺，包括：采用OPC模型对原始版图进行模拟，获得模拟图形；根据待测量位置在模拟图形上选定第一待测量区域，并采集第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据多个关键尺寸的量测数据和第一尺寸类型，获取待测量位置对应在模拟图形上的关键尺寸为第二尺寸；根据第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；当未满足要求时，校正OPC模型，并返回执行检测工艺的步骤。本发明提高OPC精准度。

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发明人：彭飞;桂成群;宋毅;薛兆丰 -专利权人：矽万（上海）半导体科技有限公司;武汉大学
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摘要：本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。

基于循环一致对抗网络的掩模生成方法、装置及存储介质-202310682439.6
发明人：卓嘉祥;许东勇;沈逸江 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明的目的在于提供一种基于循环一致对抗网络的掩模生成方法、装置及存储介质，包括：利用至少1个映射矩阵表示掩模近场；选定对所述掩模近场成像图案有贡献的近场，并根据所述映射矩阵获取所述掩模近场实部数据阵列与虚部数据阵列；构造循环网络的生成器架构和鉴别器架构，得到对抗性循环网络；根据所述循环网络由所述掩模通过正向和反向各自生成掩模近场成像图案的目标函数；将循环一致性损失作为约束条件，通过循环对抗的方式训练所述循环网络，将掩码映射到对应的掩模近场，生成掩模。本发明所述的方法，在取得更快的掩模近场计算速度时，也具有更低的损失函数值，能够通过一个分割方法，直接输入掩模近场就可以得到一个掩模图案。

光掩模图案修正的方法-201911260194.8
发明人：梁时元;刘智龙;权炳仁 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种用于制造一半导体器件的一光掩模的一设计图案的修正方法。所述修正方法包含提供所述光掩模的一基板，构建出被设计以在所述基板上形成一第一接触图案的所述光掩模的一第一掩模图案，所述第一掩模图案包含具有一孔尺寸的多个掩模孔，沿着一水平方向扩大所述多个掩模孔的所述孔尺寸，并旋转所述多个掩模孔，来调整所述第一掩模图案，以构建出被设计以形成具有多个接触孔的一第二接触图案的所述光掩模的一第二掩模图案；确认所述多个接触孔之间的多个器件间隙；以及确认所述第二接触图案与所述半导体器件中的一邻近图案之间的一套刻余量，以确定所述光掩模的所述设计图案。

OPC中修正不对称图形的方法-202310944632.2
发明人：胡瑶;葛同广 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种OPC中修正不对称图形的方法，提供具有多个器件区的版图，之后划分出每个所述器件区的标记区；选择出与多个所述器件区接触的图形，每个所述器件区对应有不同的光学邻近修正，定义该处为第一标记区；对第一标记区中的图形分别进行与其接触的每个所述器件区对应的光学邻近修正，得到用于光罩的第一修正后图形；定义所述修正后图形与所述第一标记区中图形相重合的区域为第二标记区，之后对所述第二标记区中的图形分别进行与其接触的每个所述器件区对应的光学邻近修正，得到不同的用于光罩的第二修正后图形。本发明解决了处于不同器件区之间图形两边补偿值不同的问题，增大了处于不同器件区边缘的图形工艺窗口。

光学邻近效应修正方法、系统、掩膜版及可读存储介质-202310943906.6
发明人：周梦涛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应修正方法、系统、掩膜版及可读存储介质，方法包括：选取不同类型以及不同间距下的显影图形；收集各显影图形在不同工艺窗口下的第一位置和第二位置，其中，第一位置为不考虑光刻胶折射时的成像位置，第二位置为考虑光刻胶折射时的成像位置；建立第一位置和第二位置的拟合曲线；根据拟合曲线和光掩膜图形，选取最优的第一位置和第二位置建立光学模型；根据光学模型对光掩膜图形进行光学邻近效应修正。通过找出是否考虑光刻胶折射时的两个成像位置的对应关系来建立合理的光学模型，以便于实现对显影图形的光学邻近效应修正，从而提高显影图形的质量。

光罩版图信息检查的方法-202310944947.7
发明人：苏耀;陈翰;魏芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种光罩版图信息检查的方法，获取光罩的生产级电子束曝光系统文件以及光罩上的原始版图文件；根据生产级电子束曝光系统文件和原始版图文件分别获取尺寸大小、形状相适配的待测试图形和基准图形；利用待测试图形与基准图形对比，获取待测试图形中包括每个OPC测试图形的第一最小测量区域、包括每个OPC特征图形的第二最小测量区域，以及待测试图形中每个芯片的位置坐标；对比第一最小测量区域中的OPC测试图形是否匹配，对比第二最小测量区域中OPC特征图形与基准图形是否匹配，对比芯片的位置坐标与原始版图文件是否匹配，之后输出检查结果。本发明可缩短99％以上在光罩版图信息检查自动化检查系统的运行时间。

OPC模型的建模方法、OPC修正方法及其系统-202310798082.8
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种OPC模型的建模方法、建模系统和OPC修正方法及其修正系统。具体通过OPC模型的建模过程中加入与测试图形的图形密度相关的变量的方式，使建立的OPC模型中包含图形关键尺寸和/或图形位置偏移量与图形密度相关变量之间的映射函数关系，以提出一种新型的OPC模型。之后，再利用该OPC模型确定出目标修改图形在其周边的不同预设区域的不同图形密度影响下的关键尺寸的畸变情况以及其相对于各个所述预设区域的位置偏移量的偏移情况，然后根据该畸变情况和/或与偏移情况和测试图形的预先设计关键尺寸和标准位置做对比，便可确定出OPC修正过程对测试图形的修正量，从而提高OPC修正过程中的准确度，进而提高了版图的工艺窗口和有效提升了产品良率。

一种基于掩模弱点图形分类的片段替换修正方法-202310507908.0
发明人：江小龙;任堃;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种基于掩模弱点图形分类的片段替换修正方法，首先根据测试图形做具体分类，将测试图形的弱点分为桥接、收缩、线端窄化和接触孔被硅栅层覆盖；然后针对测试图形中各个类型的弱点快速傅里叶变换技术对弱点图像进行去噪处理，消除暗点并收缩范围，得到每个类型的通用修正片段并与弱点图形和仿真图形一起存入修正片段库；最后将实际图形数据进行库匹配，根据测试图形的分类方法判断实际图形数据的弱点类型，再用该弱点类型对应的修正片段库文件进行替换完成修正。该方法将通用修正片段及模拟图形保存形成分类弱点修正片段库，比一一对比原始图形和修正结果效率高，不需要建立大量的图形库数据；简单易行，缩短了出版周期。

设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法-201811426612.1
发明人：梁起豪;张准荣;金昌焕;徐成寿 -专利权人：三星电子株式会社
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摘要：在设计掩模的方法中，设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模，所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠。改变所述第一掩模，使得所述栅极抽头的一部分延伸。对改变的第一掩模执行OPC以设计第二掩模。

基于贝塞尔自然曲线格式的曲线光罩OPC修正方法-202310858807.8
发明人：牟芝平;任堃;高大为 -专利权人：浙江大学
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摘要：本发明公开了基于贝塞尔自然曲线格式的曲线光罩OPC修正方法，包括：利用ILT技术将矩形版图转化为基于贝塞尔自然曲线格式的曲线光罩；对生成的曲线光罩进行MRC检查以满足制造要求；对生成的曲线光罩进行OPC精修后交付制造。在曲线光罩OPC修正过程中，首先对生成的曲线光罩进行模型仿真，所得仿真结果包含多个待修正的版图图形，包含需添加的亚分辨率辅助图形，以及包含待修正的亚分辨率辅助图形。接着对曲线光罩主要图形进行OPC修正以及添加或修正亚分辨率辅助图形。所述OPC修正过程可采取基于模型或基于规则的修正方案。OPC修正中的测试图形应当包含常规的矩形光罩测试图形和新型曲线光罩的曲线测试图形。

一种芯片设计版图优化方法及装置-202310736363.0
发明人：陈板桥;丁明;陈泽阳 -专利权人：东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明涉及光刻领域，特别涉及一种芯片设计版图优化方法及装置。本发明提供的一种芯片设计版图优化方法，用于对设计版图内存在角对角规则的相邻图形进行优化修正，包括以下步骤：获取图形中角的顶点位置，并获得相邻图形的顶点之间的最短距离；基于预设角对角限制距离判断相邻图形之间是否存在角对角违规；若违规，则最短距离和角对角限制距离基于预设修正算法获得修正量；若不违规，则最短距离和角对角限制距离基于预设可修正余裕算法获得可修正余裕量；基于修正量或可修正余裕量对相邻图形进行修正，以对设计版图进行优化。解决现有技术应对图形之间出现角对角规则进行修正效果差的问题。

孔层的OPC处理方法-202310634526.4
发明人：张瑛;金晓亮;冯佳计 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种孔层的OPC处理方法，包括：步骤一、根据孔的宽度在孔层中选中目标孔，将目标孔的各边分割成多线段。步骤二、给出间距限定值，根据间距限定值选出边对边的第一种线段以及角对角的第二种线段。步骤三、对选择的各线段做位置偏移，第一种线段采用第一偏移值做位置偏移，第二种线段采用第二偏移值做位置偏移。步骤四、计算各经过位置偏移设置后的各目标孔的面积，利用各目标孔的面积和各目标孔的交叠孔的个数相关的特征，根据面积在各目标孔中选择需要的第二目标孔，对选择的所述第二目标孔作OPC处理。本发明能对周围环境复杂的孔也能很好的实现OPC修正。

在光学接近度校正流中对演进掩模形状的并行掩模规则检查-202310133958.7
发明人： K·N·塞斯崔·库尼加尔;S·穆霍帕迪亚;K·T·韦苏德万;V·K·辛格 -专利权人：辉达公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本公开的实施例涉及在用于集成电路设计的光学接近度校正(OPC)流中对演进掩模形状的并行掩模规则检查。公开了并行执行掩模(制造)规则检查(MRC)、共享信息以在违规被纠正时保持对称性的系统和方法。在实施例中，共享信息还用于最小化由OPC引起的对所建议的掩模形状的几何区域的变化。与常规系统相比，对多个边缘并行地执行MRC，从而在不同边缘之间共享信息以鼓励对称性。在实施例中，可以并行地调整所有边缘以减少掩模边缘遍历偏差。

光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质-202311002099.4
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟在兼顾了较低算力占用的同时，解决坏点。

OPC建模方法-202311014499.7
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申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种OPC建模方法。所述OPC建模方法中，先建立初版光学模型，利用所述初版光学模型对用于进行曝光实验的多个测试图形进行模拟仿真，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形，在收集曝光实验形成的晶圆数据以进行检测时，收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据，不收集被去除的所述测试图形形成的晶圆数据，提高了晶圆数据收集的有效性，缩短了收集和检测晶圆数据的时间，从而缩短了OPC建模的总时间，可以在确保OPC建模准确度的情况下，缩短检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，有助于避免人力和资源的浪费，节约成本。

一种掩模版图形的校正方法及装置-202310491664.1
发明人：刘秀梅;罗招龙;杜宇 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种掩模版图形的校正方法及装置，所述校正方法包括以下步骤：输入目标图形和模拟图形；根据模拟图形对目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量，并将循环修正量设为下一次校正循环的循环干涉量；根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形，获取初始修正图形；当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形；以及当目标图形的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。

布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质-202010046509.5
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摘要：一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质，矫正方法用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：提供原始版图，包括与掩膜基底相对应的布局图形，并确定布局图形对应于掩膜基底上的位置作为第一初始位置，布局图形所在的区域为图形区，剩余区域为遮挡区；对掩膜基底进行检测，获取掩膜基底上的缺陷点并确定缺陷点在掩膜基底上的位置为第二初始位置；获取缺陷点的第一偏移矢量，第一偏移矢量适于使缺陷点由第二初始位置移动至任一遮挡区；计算第一偏移矢量的负矢量为第二偏移矢量；根据第二偏移矢量移动布局图形，使布局图形对应于掩膜基底上的位置由第一初始位置变更为优化后位置。本发明提高光刻图形的精度。

OPC图案的拐角倒圆方法、OPC方法和掩模制造方法-202310134128.6
发明人：金景洙;李洙龙;梁宰圆;吕尚哲;李赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明构思提供了一种基于深度学习的光学邻近校正(OPC)图案的拐角倒圆方法，通过该方法可以确保图案化的可靠性，以及一种包括该拐角倒圆方法的OPC方法和掩模制造方法。该基于深度学习的OPC图案的拐角倒圆方法包括：获得晶片上的光阻(PR)图案或蚀刻图案的轮廓；获得与轮廓相对应的PR图案或蚀刻图案的正方形布局；利用正方形布局和轮廓通过深度学习生成变换模型；以及通过使用变换模型获得关于正方形布局目标的倒圆布局目标。

二元化方法和自由形式的掩模优化流程-201980013636.0
发明人：段福·史蒂芬·苏;刘晶晶;拉斐尔·C·豪厄尔;彭星月 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本文描述一种用于确定图案形成装置的掩模图案的方法。该方法包括获得：待印刷在衬底上的目标图案，(ii)图案形成装置的对应于目标图案的初始连续性图像，(iii)被配置成转换初始连续性图像的二元化函数(例如，S型函数、反正切函数、阶跃函数等)，以及(iv)被配置成根据二元化函数的输出来预测衬底上的图案的处理模型；以及由硬件计算机系统通过基于成本函数迭代地更新初始连续性图像使得成本函数减小，从而产生具有对应于初始连续性图像的掩模图案的二元化图像。成本函数(例如，EPE)确定由处理模型确定的预测图案与目标图案之间的差异。

一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质-202310990303.1
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收目标版图；将所述目标版图进行OPC修正，得到待调掩膜；确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离；根据相邻的边段间的错位距离，确定处理组；所述处理组中包括在所述待调掩膜上连续的多个边段，且同一处理组内的相邻的边段间的错位距离小于调整阈值；将同一处理组内的边段调整至齐平，得到优化掩膜。本发明计算所述待调掩膜上的相邻边段之间的错位距离，将错位距离较小的边段合并对齐，以避免后续掩膜生产过程中掩膜版机台不必要的反复重新定位校准，大大缩短了掩模版制造的周期，提升了掩膜版的生产效率。

光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-202210163611.2
发明人：江春珂;刘娟;王兴荣;王伟斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F1/36
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：获取设计版图，包括多个设计图形，设计版图被划分为多个子区域；分别对各个子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理，对相邻两个子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理包括：在相邻两个子区域中，以任一子区域作为第一区域，另一子区域作为第二区域，在第一区域和第二区域交界处形成缓冲区；对第一区域和缓冲区中的设计图形进行光学邻近修正处理，获得第一修正结果；对第二区域中的设计图形进行光学邻近修正处理，获得第二修正结果；结合第一修正结果和第二修正结果，获得缓冲区所对应的第三修正结。本发明有利于使得光学邻近修正处理更为精准。

一种OPC修正中亚分辨率辅助图形布局方法-202310560546.1
发明人：李璇;任堃;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开一种OPC修正中亚分辨率辅助图形布局方法。数据获取模块，获取待OPC修正的版图；计算版图中孤立图形和密集图形的工艺窗口；获取SRAF初始规则，并在孤立图形中插入SRAF，通过光刻模型曝光SRAF；根据SRAF曝光结果设置SRAF宽度；更新SRAF和孤立图形之间的距离；根据更新后的工艺参数实现SRAF插入到孤立图形。本发明提出根据插入SRAF后孤立图形工艺窗口中心位置和密集图形工艺窗口中心位置的差值，实现SRAF插入参数的调节，适用于不同尺寸孤立图形SRAF的插入，具有普适性，能够提高各种尺寸孤立图形的工艺窗口，最终提高产品良率。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]目标版图优化方法在审

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