[发明专利]半导体产品的制作方法及半导体加工设备在审
| 申请号： | 202211331514.6 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115621118A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 龚新;鲍锡飞;张旭 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体产品的制作方法及半导体加工设备，半导体产品的制作方法包括：提供基底；在基底上形成叠层结构；使用预设温度的刻蚀气体对叠层结构进行刻蚀形成刻蚀孔，以使预设温度的刻蚀气体在叠层结构的中心区域与叠层结构的边缘区域的气体分布量达到预设比例。在本公开中，通过使用预设温度的刻蚀气体对叠层结构进行刻蚀，使得刻蚀气体在叠层结构的中心区域和边缘区域的气体分布量达到预设比例，符合预设比例分布量的刻蚀气体对叠层结构具有期望的刻蚀效果，提高了半导体产品的性能以及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 产品 制作方法 加工 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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