[发明专利]半导体产品的制作方法及半导体加工设备

说明书

本公开提供了一种半导体产品的制作方法及半导体加工设备，半导体产品的制作方法包括：提供基底；在基底上形成叠层结构；使用预设温度的刻蚀气体对叠层结构进行刻蚀形成刻蚀孔，以使预设温度的刻蚀气体在叠层结构的中心区域与叠层结构的边缘区域的气体分布量达到预设比例。在本公开中，通过使用预设温度的刻蚀气体对叠层结构进行刻蚀，使得刻蚀气体在叠层结构的中心区域和边缘区域的气体分布量达到预设比例，符合预设比例分布量的刻蚀气体对叠层结构具有期望的刻蚀效果，提高了半导体产品的性能以及良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体产品的制作方法及半导体加工设备。

背景技术

半导体技术领域中，刻蚀工艺是半导体工艺中的重要一环。

进气组件通常设置在晶圆中心区域的上方，导致刻蚀气体在晶圆的中心区域和边缘区域的分布量存在差异，刻蚀气体在相同的时间内对晶圆不同区域的刻蚀均匀性不佳，比如刻蚀孔轮廓不佳出现短接、倒塌等情况，影响半导体器件的性能以及良率。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种半导体产品的制作方法及半导体加工设备。

本公开的第一方面，提供了一种半导体产品的制作方法，所述制作方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成叠层结构；

使用预设温度的刻蚀气体对所述叠层结构进行刻蚀形成刻蚀孔，以使所述预设温度的刻蚀气体在所述叠层结构的中心区域与所述叠层结构的边缘区域的气体分布量达到预设比例。

在一些实施例中，所述刻蚀气体的预设温度为40±1℃；

所述叠层结构的中心区域与边缘区域的气体分布量比为1:1～1:1.2。

在一些实施例中，所述刻蚀气体的预设温度通过传输管路中的多个加热节点分别控制。

在一些实施例中，所述多个加热节点的节点温度相同或不同；

所述多个加热节点的节点温度的平均值与所述预设温度相等。

在一些实施例中，所述多个加热节点的加热温度分别选自30℃～45℃中的任意值。

在一些实施例中，所述使用预设温度的刻蚀气体对所述叠层结构进行刻蚀形成刻蚀孔，还包括：

所述叠层结构的中心区域的刻蚀速率与所述边缘区域的刻蚀速率基本相同；

所述叠层结构的中心区域刻蚀孔侧壁的刻蚀保护层沉积速率与所述叠层结构的边缘区域刻蚀孔侧壁的刻蚀保护层沉积速率基本相同。

在一些实施例中，所述刻蚀孔的内径与目标尺寸的差值不超过目标尺寸的5％，所述刻蚀孔的高度大于2000nm，所述刻蚀孔的深宽比大于50。

在一些实施例中，使用预设温度的刻蚀气体对所述叠层结构进行刻蚀形成刻蚀孔，包括：

一部分所述刻蚀气体以垂直于所述叠层结构的顶面进入制程腔室，以刻蚀所述叠层结构的中心区域；

另一部分所述刻蚀气体与所述叠层结构的顶面呈预设夹角进入所述制程腔室，以刻蚀所述叠层结构的边缘区域。

在一些实施例中，在所述基底上形成叠层结构，包括：

在所述基底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的牺牲层和支撑层；

在所述第一叠层结构上形成第二叠层结构，所述第二叠层结构包括堆叠设置的图形转移层和硬掩膜层；