[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211128658.1 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN116454048A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈国文;陆湘台;戴志轩;吴旻钟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/60;H01L21/74;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体封装结构及其形成方法。本发明实施例涉及一种半导体结构，其包含衬底、设置于所述衬底中的电容器、设置于所述衬底上的互连结构及设置于所述衬底中的第一掺杂区域。所述互连结构包含耦合到所述衬底的第一通路结构及耦合到所述电容器的第二通路结构。所述第一掺杂区域设置于所述第一通路结构下方。所述第一掺杂区域包含p型或n型掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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