[发明专利]一种氮化镓外延金刚石结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211060888.9 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115377193A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈祺;张粉红 | 申请（专利权）人： | 化合积电（厦门）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02;C30B25/18;C30B29/04;C30B29/38 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 闫英敏 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市集*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种氮化镓外延金刚石结构，包括氮化镓表面的氮化硅层，以及氮化硅表面的金刚石层。本发明通过优化设计氮化镓与金刚石结合生长的方法、工艺条件及其环境，使得氮化镓上生长的金刚石薄膜均匀且致密，并且具有良好的附着力，不容易脱落；在制备过程实现氮化镓的0损伤，中间层损伤小于10nm；实现了金刚石与氮化镓的高质量结合，形成的外延层质量高，电学特性好，散热效率高，具有良好的前景和适用性，提升了半导体器件生产和应用的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 金刚石 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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