[发明专利]半导体布置、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211038651.0 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115863287A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 顾旻峰;庄曜群;李政键;林景彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/762;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。通孔沿第一方向延伸穿过介电层并且穿过器件衬底从第一侧延伸至第二侧。保护环设置在介电层中和通孔周围。保护环包括沿第一方向堆叠的金属层。金属层包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁形成保护环的内侧壁。金属层的第一侧壁之间的重叠部分小于约10nm。重叠部分沿与第一方向不同的第二方向。本申请的实施例还涉及半导体布置和形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 布置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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