[发明专利]金属硅化物层以及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210972332.0 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115332063A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 游咏晞;吴启明 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张泽铭 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属硅化物层以及半导体结构的制备方法。金属硅化物层的制备方法包括：提供硅衬底；于预设沉积温度下在硅衬底的表面沉积金属层，在沉积过程中，部分金属层与部分硅衬底反应，以形成富金属相的过渡金属硅化物层；过渡金属硅化物层位于未反应的金属层及未反应的硅衬底之间；将表面形成有过渡金属硅化物层的硅衬底进行退火处理，以将过渡金属硅化物层转化为金属硅化物层。采用本申请能够简化工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 化物层 以及 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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