[发明专利]金属硅化物层以及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述金属硅化物层的制备方法包括：

提供硅衬底；

于预设沉积温度下在所述硅衬底的表面沉积金属层，在沉积过程中，部分所述金属层与部分所述硅衬底反应，以形成富金属相的过渡金属硅化物层；所述过渡金属硅化物层位于未反应的所述金属层及未反应的所述硅衬底之间；

将表面形成有所述过渡金属硅化物层的所述硅衬底进行退火处理，以将所述过渡金属硅化物层转化为金属硅化物层。

2.根据权利要求1所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硅化物层包括：第一金属硅化物层及第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物层位于未反应的所述硅衬底的上表面；所述第二金属硅化物层位于所述第一金属硅化物层与未反应的所述金属层之间。

3.根据权利要求2所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述将表面形成有所述过渡金属硅化物层的所述硅衬底进行退火处理，以将所述过渡金属硅化物层转化为金属硅化物层，包括：

将表面形成有所述过渡金属硅化物层的所述硅衬底进行退火处理，以将所述第二金属硅化物层转变为第一金属硅化物层；退火处理过程中形成的第一金属硅化物层与沉积过程中形成的第一金属硅化物层共同构成所述金属硅化物层。

4.根据权利要求1所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述金属层包括掺铂镍层。

5.根据权利要求4所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述金属层中，铂的摩尔浓度为5％～10％。

6.根据权利要求1所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述预设沉积温度为60℃～180℃。

7.根据权利要求1所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述将表面形成有所述过渡金属硅化物层的所述硅衬底进行退火处理之前，还包括：

去除未反应的所述金属层。

8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：

提供衬底，所述衬底包括硅衬底；

于所述衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅极；

于所述衬底内形成源区及漏区，所述源区及漏区位于所述栅极结构相对的两侧；

采用如权利要求1至7中任一项所述的金属硅化物层的制备方法于所述多晶硅栅极的表面、所述源区的表面及所述漏区的表面形成所述金属硅化物层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成栅极结构，包括：

于所述衬底的表面形成氧化层；

于所述氧化层的表面形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层及所述氧化层，以形成包括栅氧化层及多晶硅栅极的叠层结构；

于所述叠层结构的侧壁形成侧墙。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述叠层结构的侧壁形成侧墙之后，还包括：

于所述衬底的表面、所述金属硅化物层的表面以及所述侧墙的表面形成刻蚀停止层；

于所述刻蚀停止层的表面形成层间介质层；

于所述层间介质层内经刻蚀形成接触孔。