[发明专利]半导体装置在审
| 申请号: | 202210955460.4 | 申请日: | 2022-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN115565982A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
| 发明(设计)人: | 廖翊博;黄禹轩;陈豪育;程冠伦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置具有前侧至背侧的电路径以穿过源极/漏极结构。在一些实施例中,前侧至背侧的导电路径穿过标准单元中的源极/漏极结构。在其他实施例中,前侧至背侧的导电路径穿过填充单元中的源极/漏极结构。前侧至背侧的导电路径使局部连接、背侧信号连接及/或背侧电源轨连接所用的弹性绕线可行。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
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