[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置具有前侧至背侧的电路径以穿过源极/漏极结构。在一些实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过标准单元中的源极/漏极结构。在其他实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过填充单元中的源极/漏极结构。前侧至背侧的导电路径使局部连接、背侧信号连接及/或背侧电源轨连接所用的弹性绕线可行。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，尤其涉及穿过源极/漏极结构的导电路径。

背景技术

由于多种电子构件的集成密度持续改善，半导体产业已持续经历快速成长。集成密度的改善主要来自于持续减少最小结构尺寸，以将更多构件整合至给定芯片面积中。随着最小结构尺寸减少，亦需改善堆叠结构如电源轨与信号绕线以增加密度。

发明内容

本发明一些实施例提供半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构，具有相对的第一侧与第二侧；层间介电层，位于第一源极/漏极结构上，其中层间介电层自第一侧覆盖第一源极/漏极结构；蚀刻停止层，位于第一源极/漏极结构的第二侧上；第一接点结构，其中第一接点结构的第一端埋置于第一源极/漏极结构中；且第一接点结构的第二端自第一源极/漏极结构延伸穿过层间介电层；以及第二接点结构，其中第二接点结构的第一端埋置于第一源极/漏极结构中并接触第一接点结构的第一端，且第二接点结构的第二端自第一源极/漏极结构延伸穿过蚀刻停止层。

本发明一些实施例提供半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构；第一金属插塞，穿过第一源极/漏极结构；第二源极/漏极结构；栅极结构，与第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构相邻；第一金属线路，位于栅极结构上的前侧金属层中；以及第二金属线路，位于栅极结构下的背侧金属层中，其中第一金属线路与第二金属线路经由含有第一金属插塞的第一导电路径连接。

本发明一些实施例提供半导体装置的形成方法。方法包括形成一或多个晶体管，其包括源极/漏极结构于基板的前侧上；形成前侧源极/漏极接点结构于源极/漏极结构中；形成前侧内连线结构于前侧源极/漏极接点结构上；翻转基板以对基板的背侧进行工艺；形成背侧接点开口于源极/漏极结构中，以露出前侧源极/漏极接点结构；形成背侧源极/漏极接点结构以接触前侧源极/漏极接点结构；以及形成背侧内连线结构于背侧源极/漏极接点结构上。

附图说明

图1A及图1B为本发明实施例中，制造半导体装置的方法的流程图。

图2至图8、图9A及图9B、图10A至图10E、图11A至图11C、图12A至图12D到图13A至图13D、与图14A至图14C到图20A至图20C为本发明实施例中，制造半导体装置的多种阶段的附图。

图21A至图21C到图26A至图26C与图21D为本发明实施例中，制造半导体装置的多种阶段的附图。

图27A至图27C为本发明实施例中，半导体装置的附图。

附图标记如下：

A-A,B-B,C-C,D-D,E-E:剖线

D:漏极区

H1,H2:高度

S:源极区

x,y,z:方向

10,10a,10b,10c:半导体装置

12:基板

12a:n型井

12b:p型井

12f,38f,40f:前侧

12k,38b,40b:背侧

14a,14b,16a,16b:半导体层

18a,18b:半导体堆叠