[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210955460.4 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115565982A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 廖翊博;黄禹轩;陈豪育;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一第一源极/漏极结构，具有相对的一第一侧与一第二侧；
一层间介电层，位于该第一源极/漏极结构上，其中该层间介电层自该第一侧覆盖该第一源极/漏极结构；
一蚀刻停止层，位于该第一源极/漏极结构的该第二侧上；
一第一接点结构，其中该第一接点结构的第一端埋置于该第一源极/漏极结构中；且该第一接点结构的第二端自该第一源极/漏极结构延伸穿过该层间介电层；以及
一第二接点结构，其中该第二接点结构的第一端埋置于该第一源极/漏极结构中并接触该第一接点结构的第一端，且该第二接点结构的第二端自该第一源极/漏极结构延伸穿过该蚀刻停止层。
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