[发明专利]以增加的良率制造半导体装置模块的方法有效
| 申请号： | 202210842644.X | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115206900B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | A·帕查穆图;C·H·育;何思瑩;J·F·克丁 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/768;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及以增加的良率制造半导体装置模块的方法。制造半导体装置模块的方法可涉及在牺牲材料中形成孔，且将导电材料放置于所述孔中。可移除所述牺牲材料以暴露所述导电材料的柱。可在移除所述牺牲材料之后将半导体裸片堆叠放置于所述柱中的至少两者之间，所述堆叠的所述半导体裸片中的一者包含作用表面，所述作用表面面向与所述堆叠的所述半导体裸片中的另一者的另一作用表面的方向相反的方向。可将所述柱及所述半导体裸片堆叠至少横向地包封于包封物中。可在至少横向地包封所述柱及所述半导体裸片堆叠之后将所述半导体裸片中的所述一者的接合垫电连接到对应柱。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 制造 半导体 装置 模块 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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