[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210785352.7 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115172267A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;肖德元;邱云松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/538;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;臧建明 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底内具有字线沟槽和位线沟槽，字线沟槽和位线沟槽将基底分隔为间隔设置的多个有源柱，沿第一方向，相邻的有源柱之间具有介质层；在字线沟槽的侧壁上形成初始保护层；在初始保护层围成的区域内形成字线隔离结构，字线隔离结构内具有缝隙；形成封堵件，所述封堵件至少封堵缝隙的顶部；形成第一填充区；在第一填充区内形成沿所述第一方向延伸的字线。本公开用于防止半导体结构产生寄生电容，提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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