[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底，所述基底内具有沿第一方向延伸的字线沟槽和沿第二方向延伸的位线沟槽，所述字线沟槽和所述位线沟槽将所述基底分隔为间隔设置的多个有源柱，沿所述第一方向，相邻的所述有源柱之间具有介质层；其中，所述第一方向和所述第二方向相交；

在所述字线沟槽的侧壁上形成初始保护层，所述初始保护层围成的区域暴露出所述基底；

在所述初始保护层围成的区域内形成字线隔离结构，所述字线隔离结构内具有缝隙；

形成封堵件，所述封堵件至少封堵所述缝隙的顶部；

形成第一填充区，所述第一填充区暴露在所述有源柱和所述字线隔离结构的外周面；

在所述第一填充区内形成沿所述第一方向延伸的字线，所述字线连接位于同一所述第一方向上全部的所述有源柱。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述封堵件包括多个封堵条，每个所述封堵条在所述基底上投影用于覆盖位于同一所述第二方向全部的所述有源柱，或者，至少覆盖在所述字线隔离结构上。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成封堵件，所述封堵件至少封堵所述缝隙的顶部的步骤，包括：

在所述基底上形成封堵层，封堵层还覆盖所述初始保护层和所述字线隔离结构；

去除部分所述封堵层，被保留下来的所述封堵层形成沿第一方向间隔多个第一封堵条，每个所述第一封堵条沿第二方向延伸，且每个所述第一封堵条在所述基底上的投影覆盖位于同一第二方向上全部的所述有源柱；其中，多个所述第一封堵条构成封堵件。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成封堵件，所述封堵件至少封堵所述缝隙的顶部的步骤，包括：

去除部分厚度所述字线隔离结构，被保留下来的字线隔离结构与所述初始保护层围成第二填充区，所述第二填充区未暴露所述缝隙；

在每个所述第二填充区内形成第二封堵条，多个所述第二封堵条构成所述封堵件。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成封堵件，所述封堵件至少封堵所述缝隙的顶部的步骤，包括：

采用第一刻蚀工艺去除部分厚度所述初始保护层，以形成沿所述第一方向延伸的刻蚀孔；

在所述刻蚀孔内形成第三封堵条，所述第三封堵条的顶面与所述字线隔离结构的顶面平齐，所述第三封堵条与所述字线隔离结构的顶部构成所述封堵件。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺对所述初始保护层和所述字线隔离结构的刻蚀选择比大于2，且所述第一刻蚀工艺的第一刻蚀时间的范围为2s-5s。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成封堵件，所述封堵件至少封堵所述缝隙的顶部的步骤包括：

去除部分所述字线隔离结构，被保留下来的所述字线隔离结构的顶面未暴露出所述缝隙，以使得被保留下来的所述字线隔离结构的顶面与所述缝隙的顶部之间的区域构成所述封堵件。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除部分所述字线隔离结构的步骤，包括：

采用第二刻蚀工艺去除部分所述字线隔离结构，所述第二刻蚀工艺对所述字线隔离结构的刻蚀速度大于所述初始保护层的刻蚀速度。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，第二刻蚀工艺对字线隔离结构和所述初始保护层的刻蚀选择比大于2。