[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210218637.2 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN115117015A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 闵宣基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/48;H01L23/50;H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；源极/漏极图案，其位于栅电极的侧表面上；源极/漏极接触件，其连接到源极/漏极图案；第一蚀刻停止膜结构，其位于源极/漏极接触件和栅极结构上，第一蚀刻停止膜结构包括第一下蚀刻停止膜和位于第一下蚀刻停止膜上的氮化硅膜；以及第一过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部并且连接到源极/漏极接触件，其中，第一下蚀刻停止膜包括铝，并且其中，氮化硅膜的上表面与第一过孔插塞的上表面位于同一平面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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