[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

一种半导体装置，包括：栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；源极/漏极图案，其位于栅电极的侧表面上；源极/漏极接触件，其连接到源极/漏极图案；第一蚀刻停止膜结构，其位于源极/漏极接触件和栅极结构上，第一蚀刻停止膜结构包括第一下蚀刻停止膜和位于第一下蚀刻停止膜上的氮化硅膜；以及第一过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部并且连接到源极/漏极接触件，其中，第一下蚀刻停止膜包括铝，并且其中，氮化硅膜的上表面与第一过孔插塞的上表面位于同一平面上。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

作为用于提高半导体装置的密度的缩放技术之一，已经提出了一种多栅晶体管，在该多栅晶体管中，具有鳍或纳米线形状的多沟道有源图案(或硅体)形成在衬底上，并且栅极形成在多沟道有源图案的表面上。

因为这种多栅极晶体管使用三维沟道，因此可以更容易地执行缩放。此外，即使不增大多栅极晶体管的栅极长度，也可以改善电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区域的电势受漏极电压影响的SCE(短沟道效应)。

然而，随着半导体装置的节距尺寸减小，可能需要确保半导体装置中的接触件之间的电容和电稳定性降低的研究。

发明内容

本公开的各方面提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。

本公开的各方面还提供了一种用于制造能够改善元件性能和可靠性的半导体装置的方法。

根据本发明构思的一些方面，提供了一种半导体装置，包括：栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；源极/漏极图案，其位于栅电极的侧表面上；源极/漏极接触件，其连接到源极/漏极图案；第一蚀刻停止膜结构，其位于源极/漏极接触件和栅极结构上，第一蚀刻停止膜结构包括第一下蚀刻停止膜和位于第一下蚀刻停止膜上的氮化硅膜；以及第一过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到源极/漏极接触件，其中，第一下蚀刻停止膜包括铝，并且其中，氮化硅膜的上表面与第一过孔插塞的上表面位于同一平面上。

根据本发明构思的一些方面，提供了一种半导体装置，包括：栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；源极/漏极图案，其位于栅电极的侧表面上；源极/漏极接触件，其连接到源极/漏极图案；栅极接触件，其连接到栅电极；第一蚀刻停止膜结构，其位于源极/漏极接触件和栅极接触件上，第一蚀刻停止膜结构包括氮化硅膜；第一过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到源极/漏极接触件；第二过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到栅极接触件；以及布线，其沿着氮化硅膜的上表面延伸，与氮化硅膜的上表面物理接触，并且连接到第一过孔插塞，其中，第一过孔插塞包括第一宽度扩展区域和直接连接到第一宽度扩展区域的上区域，其中，第一宽度扩展区域的宽度随着与衬底的距离增大而先增大后减小，并且其中，在衬底提供基准参考平面的半导体装置的截面图中，第一宽度扩展区域与上区域之间的边界高于第一蚀刻停止膜结构的下表面。

根据本发明构思的一些方面，提供了一种半导体装置，包括：多沟道有源图案，其位于衬底上；栅极结构，其位于多沟道有源图案上，并且包括栅电极和位于栅电极上的栅极封盖图案；源极/漏极图案，其放置在栅极结构的侧表面上；源极/漏极接触件，其连接到源极/漏极图案；栅极接触件，其连接到栅电极；第一蚀刻停止膜结构，其位于源极/漏极接触件上和栅极接触件上，第一蚀刻停止膜结构包括氮化硅膜；第一过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到源极/漏极接触件；第二过孔插塞，其位于第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到栅极接触件；第二蚀刻停止膜结构，其与第一蚀刻停止膜结构物理接触；层间绝缘膜，其位于第二蚀刻停止膜结构上；以及布线，其位于第二蚀刻停止膜结构和层间绝缘膜内部，并且连接到第一过孔插塞，其中，第二蚀刻停止膜结构包括第二下蚀刻停止膜，第二下蚀刻停止膜包括铝并且与氮化硅膜物理接触，并且其中，在衬底提供基准参考平面的半导体装置的截面图中，第一过孔插塞的高度和第二过孔插塞的高度各自小于栅极接触件的高度。