[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；

源极/漏极图案，其位于所述栅电极的侧表面上；

源极/漏极接触件，其连接到所述源极/漏极图案；

第一蚀刻停止膜结构，其位于所述源极/漏极接触件和所述栅极结构上，所述第一蚀刻停止膜结构包括第一下蚀刻停止膜和位于所述第一下蚀刻停止膜上的氮化硅膜；以及

第一过孔插塞，其位于所述第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到所述源极/漏极接触件，

其中，所述第一下蚀刻停止膜包括铝，并且

其中，所述氮化硅膜的上表面与所述第一过孔插塞的上表面位于同一平面上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一蚀刻停止膜结构还包括位于所述第一下蚀刻停止膜与所述氮化硅膜之间的第一上蚀刻停止膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一下蚀刻停止膜包括氮化铝或氧化铝。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

栅极接触件，其连接到所述栅电极；以及

第二过孔插塞，其位于所述第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到所述栅极接触件，

其中，所述第二过孔插塞的上表面与所述氮化硅膜的上表面位于同一平面上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一过孔插塞的高度和所述第二过孔插塞的高度各自小于所述栅极接触件在垂直于由所述衬底形成的平面的方向上的高度。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一过孔插塞和所述第二过孔插塞各自具有单个导电膜结构。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一过孔插塞包括一个或多个宽度扩展区域，并且

其中，所述宽度扩展区域的宽度随着与所述衬底的距离增大而先增大后减小。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述宽度扩展区域的至少一部分位于所述第一下蚀刻停止膜内部。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

位于所述第一蚀刻停止膜结构上的第二蚀刻停止膜结构、位于所述第二蚀刻停止膜结构上的层间绝缘膜、以及在所述第二蚀刻停止膜结构和所述层间绝缘膜内部连接到所述第一过孔插塞的布线，

其中，所述布线沿着所述氮化硅膜的上表面延伸，并且与所述氮化硅膜的上表面物理接触，并且

其中，所述第二蚀刻停止膜结构包括第二下蚀刻停止膜，所述第二下蚀刻停止膜包括铝并且与所述氮化硅膜的上表面物理接触。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二下蚀刻停止膜包括氮化铝或氧化铝。

11.一种半导体装置，包括：

栅极结构，其位于衬底上并且包括栅电极；

源极/漏极图案，其位于所述栅电极的侧表面上；

源极/漏极接触件，其连接到所述源极/漏极图案；

栅极接触件，其连接到所述栅电极；

第一蚀刻停止膜结构，其位于所述源极/漏极接触件和所述栅极接触件上，所述第一蚀刻停止膜结构包括氮化硅膜；

第一过孔插塞，其位于所述第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到所述源极/漏极接触件；

第二过孔插塞，其位于所述第一蚀刻停止膜结构内部，并且连接到所述栅极接触件；以及

布线，其沿着所述氮化硅膜的上表面延伸，与所述氮化硅膜的上表面物理接触，并且连接到所述第一过孔插塞，

其中，所述第一过孔插塞包括第一宽度扩展区域和直接连接到所述第一宽度扩展区域的上区域，

其中，所述第一宽度扩展区域的宽度随着与所述衬底的距离增大而先增大后减小，并且

其中，在所述衬底提供基准参考平面的所述半导体装置的截面图中，所述第一宽度扩展区域与所述上区域之间的边界高于所述第一蚀刻停止膜结构的下表面。