[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210215316.7 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115799218A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 和田秀雄;山崎博之;园田真久;小池豪 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H10B41/20;H10B41/30;H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能抑制半导体层引起的问题的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置于所述第1衬底上；及半导体层，设置于所述第1绝缘膜上。所述装置还具备：金属层，包含：第1部分，设置于所述半导体层上；及第2部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的接合垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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