[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1衬底；

第1绝缘膜，设置于所述第1衬底上；

半导体层，设置于所述第1绝缘膜上；及

金属层，包含：第1部分，设置于所述半导体层上；及第2部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的接合垫。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2部分与所述第1部分分离。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还具备：

存储器单元阵列，设置于所述第1绝缘膜内，包含多个第1电极层；及

第2电极层，设置于所述存储器单元阵列上，包含所述半导体层、与所述金属层的所述第1部分。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第2部分包含：第3部分，介隔第2绝缘膜设置于所述第1绝缘膜上，包含所述接合垫；及第4部分，未介隔所述第2绝缘膜设置于所述第1绝缘膜上。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1衬底包含多个第1区域、与设置于所述第1区域之间，成为切割对象的第2区域；

所述半导体层仅设置于所述第1及第2区域中的所述第1区域的正上方的所述第1绝缘膜上。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还具备：

晶体管，设置于所述第1衬底上；

第1垫，设置于所述第1绝缘膜内，与所述晶体管电性连接；及

第2垫，在所述第1绝缘膜内设置于所述第1垫上，与所述接合垫电性连接。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述半导体层具备设置于所述半导体层内的凹部。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述凹部贯通所述半导体层。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述接合垫在俯视下设置于所述凹部内。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第2部分的至少一部分设置于所述凹部内。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第1绝缘膜的一部分设置于所述凹部内。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述凹部的宽度为500nm以下。

13.根据权利要求7所述的半导体装置，其中在俯视下，所述半导体层及所述凹部的面积所占的所述凹部的面积的比例为10％～15％。

14.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第2部分包含：第5部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的第1接合垫；及第6部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的第2接合垫。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第1接合垫为信号输入输出用的I/O垫，所述第2接合垫为电源电压供给用的电源垫。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第6部分与所述第5部分分离。

17.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第5部分不包含介隔所述半导体层设置于所述第1绝缘膜上的部分；所述第6部分包含介隔所述半导体层设置于所述第1绝缘膜上的部分。

18.根据权利要求14所述的半导体装置，还具备：第2绝缘膜，设置于所述第1绝缘膜上；且

所述第2绝缘膜的上表面包含第1上表面、与相对于所述第1上表面倾斜的第2上表面；

所述第6部分包含设置于所述第2绝缘膜的所述第2上表面上的部分。