[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210215316.7 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115799218A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 和田秀雄;山崎博之;园田真久;小池豪 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H10B41/20;H10B41/30;H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
实施方式提供一种能抑制半导体层引起的问题的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置于所述第1衬底上；及半导体层，设置于所述第1绝缘膜上。所述装置还具备：金属层，包含：第1部分，设置于所述半导体层上；及第2部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的接合垫。
本申请案享受以日本专利申请案2021-148093号(申请日：2021年9月10日)及日本专利申请案2022-15204号(申请日：2022年2月2日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考所述基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
技术领域
本发明的实施方式关于一种半导体装置及其制造方法。
背景技术
如果在半导体装置内残存着无用的半导体层，那么担心半导体装置的性能因半导体层而降低、或担心半导体层妨碍半导体装置的制造。
发明内容
实施方式提供一种能抑制半导体层引起的问题的半导体装置及其制造方法。
根据一实施方式，半导体装置具备：第1衬底；第1绝缘膜，设置于所述第1衬底上；及半导体层，设置于所述第1绝缘膜上。所述装置还具备金属层，包含：第1部分，设置于所述半导体层上；及第2部分，包含不介隔所述半导体层而设置于所述第1绝缘膜上的接合垫。
附图说明
图1是表示第1实施方式的半导体装置的构造之剖视图。
图2是表示第1实施方式的柱状部的构造的剖视图。
图3及图4是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。
图5是表示第1实施方式的比较例的半导体装置的构造的剖视图。
图6是表示第1实施方式的变化例的半导体装置的构造的剖视图。
图7～图12是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。
图13～图16是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的另一剖视图。
图17是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的俯视图。
图18是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的另一俯视图。
图19是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的另一俯视图。
图20是表示第2实施方式的变化例的半导体装置的制造方法的俯视图。
图21～图34是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。
图35是表示第3实施方式的半导体装置的构造的剖视图
图36是表示第3实施方式的比较例的半导体装置的构造的剖视图。
图37是表示第3实施方式的半导体装置的构造的俯视图。
图38是表示第3实施方式的变化例的半导体装置的构造的俯视图。
图39(a)～(c)是用来说明第3实施方式的半导体装置的构造的立体图。
具体实施方式
以下，参考附图说明本发明的实施方式。在图1～图39中，对相同的构成标注相同的符号，并省略重复的说明。
(第1实施方式)
图1为表示第1实施方式的半导体装置的构造的剖视图。图1的半导体装置为将阵列芯片1与电路芯片2贴合的3维存储器。
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