[实用新型]功率半导体散热封装结构与电子装置有效

专利信息
申请号: 202122173610.X 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN215869372U 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 谢文华;任炜强 申请(专利权)人: 深圳真茂佳半导体有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 朱鹏程
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及功率半导体散热封装结构与电子装置,功率半导体散热封装结构包括导线框架、MOSFET芯片和塑封体,导线框架包括散热载片以及多个传输引脚;MOSFET芯片设置于所述散热载片上;塑封体密封所述MOSFET芯片,塑封体具有散热顶面以及相对的底面;散热载片的一表面外露于塑封体的散热顶面,传输引脚由塑封体在与散热顶面相邻的侧面引出,传输引脚远离散热顶面的端部向靠近塑封体的底面方向弯折,散热载片与其中一传输引脚一体连接,MOSFET芯片与传输引脚电性连接。本申请在电路应用中能够减小自身热量对周边元器件的影响,并且提高散热效果。
搜索关键词: 功率 半导体 散热 封装 结构 电子 装置
【主权项】:
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