[实用新型]功率半导体散热封装结构与电子装置

权利要求书

1.一种功率半导体散热封装结构，其特征在于，包括：

导线框架(1)，包括散热载片(11)以及多个传输引脚(12)；

MOSFET芯片(2)，设置于所述散热载片(11)上；

塑封体(3)，密封所述MOSFET芯片(2)，所述塑封体(3)具有散热顶面(31)以及相对的底面；所述散热载片(11)的一表面外露于所述塑封体(3)的所述散热顶面(31)，所述传输引脚(12)由所述塑封体(3)在与所述散热顶面(31)相邻的侧面引出，所述传输引脚(12)远离所述散热顶面(31)的端部向靠近所述塑封体(3)的底面方向弯折，所述散热载片(11)与其中一所述传输引脚(12)一体连接，所述MOSFET芯片(2)与所述传输引脚(12)电性连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：所述传输引脚(12)由所述塑封体(3)的侧面中部引出，与所述散热载片(11)一体相连的所述传输引脚(12)具有位于所述塑封体(3)内的第一弯折部(121)，所述散热载片(11)与其他的所述传输引脚(12)之间有下沉位差，所述传输引脚(12)在所述塑封体(3)外形成第二弯折部(122)。

3.根据权利要求2所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：所述散热载片(11)远离所述塑封体(3)的一侧一体延伸有一个或多个固定引脚(13)，所述固定引脚(13)远离所述塑封体(3)的端部向靠近所述塑封体(3)的底面方向弯折。

4.根据权利要求3所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：所述固定引脚(13)在所述塑封体(3)外形成有第三弯折部(131)，所述第三弯折部(131)的弯折差大于所述第二弯折部(122)的弯折差。

5.根据权利要求3所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：当延伸有所述固定引脚(13)，其中一与所述散热载片(11)一体相连的所述传输引脚(12)被截断且位于其他所述传输引脚(12)之中。

6.根据权利要求4所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：所述第二弯折部(122)的一侧面、所述第三弯折部(131)的一侧面和所述塑封体(3)的底面处于同一平面。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：所述散热载片(11)开设有锁孔(111)，所述锁孔(111)内形成有所述塑封体(3)的卡接部(32)。

8.根据权利要求7所述的功率半导体散热封装结构，其特征在于：所述塑封体(3)包覆所述散热载片(11)在所述塑封体(3)的外露面的三个相邻侧面，所述锁孔(111)呈腰型孔状，所述锁孔(111)的延伸方向能模拟所述散热载片(11)未被所述塑封体(3)包覆的另一侧面。

9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的一种功率半导体散热封装结构。