[实用新型]功率半导体散热封装结构与电子装置

说明书

本申请涉及功率半导体散热封装结构与电子装置，功率半导体散热封装结构包括导线框架、MOSFET芯片和塑封体，导线框架包括散热载片以及多个传输引脚；MOSFET芯片设置于所述散热载片上；塑封体密封所述MOSFET芯片，塑封体具有散热顶面以及相对的底面；散热载片的一表面外露于塑封体的散热顶面，传输引脚由塑封体在与散热顶面相邻的侧面引出，传输引脚远离散热顶面的端部向靠近塑封体的底面方向弯折，散热载片与其中一传输引脚一体连接，MOSFET芯片与传输引脚电性连接。本申请在电路应用中能够减小自身热量对周边元器件的影响，并且提高散热效果。

技术领域

本申请涉及封装半导体器件技术领域，尤其是涉及功率半导体散热封装结构与电子装置。

背景技术

传统的例如DPAK/D²PAK(TO-252/TO-263)封装产品的散热载片朝下，塑封体面朝上。在使用过程中，散热载片与PCB焊接在一起，主要通过PCB进行散热，这种散热方式可以将器件产生热量传导到PCB板上的铜箔，再通过面积较大的铜箔进行散热，但同时也会导致PCB板的温度随着器件的温度升高而升高，器件周边的其他元件会受到较大的影响。

在一些紧凑的电路中，PCB板的铜箔不能做得太大，导致散热效果不佳，在需要增加外置散热载片帮助散热的应用中，外置散热载片只能通过塑封体传热，散热效果较差。

实用新型内容

为了提高功率半导体封装器件的散热效果，本申请提供一种功率半导体散热封装结构与电子装置。

本申请提供的一种功率半导体散热封装结构，采用如下的技术方案：

一种功率半导体散热封装结构，包括：

导线框架，包括散热载片以及多个传输引脚；

MOSFET芯片，设置于所述散热载片上；

塑封体，密封所述MOSFET芯片，所述塑封体具有散热顶面以及相对的底面；所述散热载片的一表面外露于所述塑封体的所述散热顶面，所述传输引脚由所述塑封体在与所述散热顶面相邻的侧面引出，所述传输引脚远离所述散热顶面的端部向靠近所述塑封体的底面方向弯折，所述散热载片与其中一所述传输引脚一体连接，所述MOSFET芯片与所述传输引脚电性连接。

通过采用上述技术方案，MOSFET芯片(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)设置在散热载片上并且密封于塑封体中，由于散热载片比起塑封体有更高的对外导热性，MOSFET芯片产生的高温会优先从散热载片上进行热量传导。散热载片的一表面外露塑封体的散热顶面，并且传输引脚远离散热顶面的端部向靠近塑封体的底面方向弯折，在PCB板上安装时，塑封体的底面与PCB板贴合，能够隔绝大部分热量传导至PCB板中；而散热载片一表面外露在散热顶面中，当使用外置散热器时，散热载片与外置散热器能够有较好的接触，热量传导更快。散热效果更好。

可选的，所述散热载片开设有锁孔，所述锁孔内形成有所述塑封体的卡接部。

通过采用上述技术方案，塑封体能够通过卡接部镶嵌在散热载片上，增加了散热载片与塑封体结合的牢固性。

可选的，所述塑封体包覆所述散热载片在所述塑封体的外露面的三个相邻侧面，所述锁孔呈腰型孔状，所述锁孔的延伸方向能模拟所述散热载片未被所述塑封体包覆的另一侧边。

通过采用上述技术方案，散热载片的三个侧边被包覆在塑封体中，呈腰型孔状的锁孔固定散热载片未被塑封体包覆的一侧边，并通过腰型孔的延伸方向来模拟散热载片未被塑封体包覆的一侧边，使得散热载片的四个侧边均被塑封体所固定，进一步增加塑封体和散热载片之间的结合稳定性。